Study of the buffer-layer and annealing-temperature impact on fabrication of polycrystalline Fe3 O4 film for the application of spintronic devices

Journal of Vacuum Science and Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures

Volumn 23, Issue 6, 2005, Pages 2314-2318

  Tang, Xiao Li ^a   Zhang, Huai Wu ^a   Su, Hua ^a   Zhong, Zhi Yong ^a  

^a UNIVERSITY OF ELECTRONIC SCIENCE AND TECHNOLOGY OF CHINA   (China)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ANNEALING; IRON COMPOUNDS; MAGNETIC FIELDS; POLYCRYSTALLINE MATERIALS; SATURATION (MATERIALS COMPOSITION); X RAY DIFFRACTION;

ANNEALING TEMPERATURE; FILM FABRICATION; REACTIVE SPUTTERING; VACUUM ANNEALING;

THIN FILMS;

EID: 29144509756     PISSN: 10711023     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1116/1.2101635     Document Type: Article

References (26)

1. R. A. de Groot, F. M. Mueller, P. G. van Engen, and K. H. J. Buschow, Phys. Rev. Lett. 50, 2024 (1983).
2. R. Kabani, M. Terada, A. Roshko, and J. S. Moodera, J. Appl. Phys. 67, 4896 (1990).
3. S. Gardelis, J. Androulakis, P. Migiakis, J. Giapintzakis, S. K. Clowes, Y. Bugoslavsky, W. R. Branford, Y. Miyoshi, and L. F. Cohen, J. Appl. Phys. 95, 8063 (2004).
4. W. E. Pickett and D. J. Singh, Phys. Rev. B 53, 1146 (1996).
5. M. Konoto, T. Kohashi, K. Koike, T. Arima, Y. Kaneko, Y. Tomioka, and Y. Tokura, Appl. Phys. Lett. 84, 2361 (2004).
6. H. Q. Yin, J.-S. Zhou, R. Dass, J.-P. Zhou, J. T. McDevitt, and J. B. Goodenough, J. Appl. Phys. 87, 6761 (2000).
7. R. Yamamoto, Y. Moritomo, and A. Nakamura, Phys. Rev. B 61, R5062 (2000).
8. J. M. D. Coey and M. Venkatesan, J. Appl. Phys. 91, 8345 (2002).
9. Z. Zhang and S. Satpathy, Phys. Rev. B 44, 13319 (1991).
10. W. Eerenstein, T. T. M. Palstra, S. S. Saxena, and T. Hibma, Phys. Rev. Lett. 88, 247204 (2002).
11. S. Jain, A. O. Adeyeye, and D. Y. Dai, J. Appl. Phys. 95, 7237 (2004).
12. H. Takahashi, S. Soeya, J. Hayakawa, K. Ito, A. Kida, C. Yamamoto, H. Asano, and M. Matsui, J. Appl. Phys. 93, 8029 (2003).
13. T. Hibma, F. C. Voogt, L. Niesen, P. A. A. van der Heijden, W. J. M. deJonge, J. J. T. M. Donkers, and P. J. van der Zaag, J. Appl. Phys. 85, 5291 (1999).
14. W. Kim, K. Kawaguchi, N. Koshizaki, M. Sohma, and T. Matsumoto, J. Appl. Phys. 93, 8032 (2003).
15. C.-H. Lai, P.-H. Huang, Y.-J. Wang, and R. T. Huang, J. Appl. Phys. 95, 7222 (2004).
16. K.-I. Aoshima and Shan X. Wang, J. Appl. Phys. 93, 7954 (2003).
17. C. A. Kleint, H. C. Semmelhack, M. Lorenz, and M. K. Krause, J. Magn. Magn. Mater. 140-144, 725 (1995).
18. E. J. Preisler, J. Brooke, N. C. Oldham, and T. C. McGill, J. Vac. Sci. Technol. B 21, 1745 (2003).
19. J. P. Hong, S. B. Lee, Y. W. Jung, J. H. Lee, K. S. Yoon, K. W. Kim, C. O. Kim, C. H. Lee, and M. H. Jung, Appl. Phys. Lett. 83, 1590 (2003).
20. S. van Dijken, X. Fain, S. M. Watts, and J. M. D. Coey, Phys. Rev. B 70, 052409 (2004).
21. H. Hoshiya and K. Hoshino, J. Appl. Phys. 95, 6774 (2004).
22. G. Hu and Y. Suzuki, Phys. Rev. Lett. 89, 276601 (2002).
23. K. S. Yoon, J. Y. Yang, K. W. Kim, J. H. Koo, C. O. Kim, and Jin Pyo Hong, J. Appl. Phys. 95, 6933 (2004).
24. H. Liu, E. Y. Jiang, H. L. Bai, and R. K. Zheng, J. Appl. Phys. 95, 5661 (2004).
25. J. F. Anderson, M. Kuhn, and U. Diebold, J. Cryst. Growth 174, 446 (1997).
26. H. Liu, E. Y. Jiang, H. L. Bai, R. K. Zheng, H. L. Wei, and X. X. Zhang, J. Appl. Phys. 83, 3531 (2003).