Excellent field-emission properties of P-doped GaN nanowires

Journal of Physical Chemistry B

Volumn 109, Issue 46, 2005, Pages 21521-21524

  Liu, B D ^b   Bando, Y ^a,b   Tang, C C ^b   Xu, F F ^c   Golberg, D ^b  

^a UNIVERSITY OF TSUKUBA   (Japan)

^b NATIONAL INSTITUTE FOR MATERIALS SCIENCE   (Japan)

^c SHANGHAI INSTITUTE OF CERAMICS   (China)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

DOPING (ADDITIVES); EVAPORATION; GALLIUM NITRIDE; HIGH RESOLUTION ELECTRON MICROSCOPY; NANOSTRUCTURED MATERIALS; SCANNING ELECTRON MICROSCOPY; SURFACE ROUGHNESS; SYNTHESIS (CHEMICAL);

FIELD-EMISSION PROPERTIES; NANOWIRES;

PHOSPHORUS;

EID: 28944449192     PISSN: 15206106     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1021/jp052351b     Document Type: Article

References (24)

1. Wu, J.; Walukiewicz, W.; Yu, K. M.; Ager, J. W., III; Haller, E. E.; Hong, Y. G.; Xin, H. P.; Tu, C. W. Phys. Rev. B 2002, 65, 241303.
2. Weyers, M.; Sato, M. Appl. Phys. Lett. 1993, 62, 1396.
3. Sánchez-Páramo, J.; Calleja, J. M.; Sánchez- García, M. A.; Calleja, E. Appl. Phys. Lett. 2001, 78, 4124.
4. Monroy, E.; Andreev, T.; Holliger, P.; Bellet-Amalric, E.; Shibata, T.; Tanaka, M.; Daudin, B. Appl. Phys. Lett. 2004, 84, 2554.
5. Lee, J. H.; Hahm, S. H.; Lee, J. H.; Bae, S. B.; Lee, K. S.; Cho, Y. H.; Lee, J. L. Appl. Phys. Lett. 2003, 83, 917.
6. Sasaki, T.; Sonoda, S.; Yamamoto, Y.; Suga, K.; Shimizu, S.; Kindo, K.; Hori, H. J. Appl. Phys. 2002, 91, 7911.
7. Iwata, K.; Asahi, H.; Asami, K.; Gonda, S. J. Cryst. Growth 1997, 175/176, 150.
8. Liu, X.; Bishop, S. G.; Baillargeon, J. N.; Cheng, K. Y. Appl. Phys. Lett. 1993, 63, 208.
9. Cheng, G. S.; Zhang, L. D.; Zhu, Y.; Fei, G. T.; Li, L.; Mo, C. M.; Mao, Y. Q. Appl. Phys. Lett. 1999, 75, 2455.
10. Jiang, K.; Chen, X. L.; He, M.; Wang, W. J.; Zhang, X. N.; Shen, F. Chem. Phys. Lett. 2003, 365, 416.
11. Hu, J. Q.; Bando, Y.; Golberg, D.; Liu, Q. L. Angew. Chem., Int. Ed. 2003, 42, 3493.
12. Nakamura, S.; Pearton, S. J.; Fasol, G. The Blue Laser Diode: The Complete Story; Springer: Berlin, 2000.
13. Tang, C. C.; Fan, S. S.; Dang, H. Y.; Li, P.; Liu, Y. M. Appl. Phys. Lett. 2000, 77, 1961.
14. Wagner, R. S.; Eliis, W. C. Appl. Phys. Lett. 1964, 4, 89.
15. Duan, X. F.; Lieber, C. M. J. Am. Chem. Soc. 2000, 122, 188.
16. Golberg, D.; Changzhi Gu, C. Z.; Bando, Y.; Mitome, M.; Tang, C. C. Acta Mater. 2005, 53, 1583.
17. Zhong, Z.; Qian, F.; Wang, D.; Lieber, C. M. Nano Lett. 2003, 3, 343.
18. Tang, C. C.; Bando, Y. Appl. Phys. Lett. 2003, 83, 659.
19. Zhu, W.; Bower, C.; Kochanski, G. P.; Jin, S. Solid-State Electron. 2001, 45, 921.
20. Luo, L.; Yu, K.; Zhu, Z.; Zhang, Y.; Ma, H.; Xue, C.; Yang, Y.; Chen, S. Mater. Lett. 2004, 58, 2893.
21. Chen, C. C.; Yeh, C. C.; Chen, C. H.; Yu, M. Y.; Liu, H. L.; Wu, J. J.; Chen, K. H.; Chen, L. C.; Peng, J. Y.; Chen, Y. F. J. Am. Chem. Soc. 2001, 123, 2791.
22. Yamanaka, T.; Tampo, H.; Yamada, K.; Ohnishi, K.; Hashimoto, M.; Asahi, H. Phys. Stat. Sol (c) 2002, 1, 469.
23. Li, Y. B.; Bando, Y.; Oolberg, D. Appl. Phys. Lett. 2003, 82, 1962.
24. Li, Y. B.; Bando, Y.; Golberg, D. Appl. Phys. Lett. 2004, 84, 3603.