Anisotropy of optical absorption and fluorescence in Al2 O3: C,Mg crystals

Journal of Applied Physics

Volumn 98, Issue 3, 2005, Pages

  Sanyal, Subrata ^a,b   Akselrod, Mark S ^a  

^a LANDAUER INC   (United States)

^b NONE   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ALUMINUM COMPOUNDS; ANISOTROPY; CRYSTAL ORIENTATION; CRYSTALLOGRAPHY; EMISSION SPECTROSCOPY; LIGHT ABSORPTION; LIGHT POLARIZATION; OPTICAL DATA STORAGE;

ANISOTROPIC PROPERTIES; EXCITATION-EMISSION SPECTRA; POLARIZED OPTICAL ABSORPTION; SPECTROSCOPIC PROPERTIES;

SINGLE CRYSTALS;

EID: 23944448602     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1999032     Document Type: Article

References (42)

1. E. F. Martynovich, V. I. Baryshnikov, and V. A. Grigorov, Opt. Commun. 0030-4018 53, 257 (1985); E. F. Martynovich, V. I. Baryshnikov, and V. A. Grigorov, Sov. Tech. Phys. Lett. 11, 81 (1985).
2. E. F. Martynovich, V. I. Baryshnikov, and V. A. Grigorov, Opt. Commun. 0030-4018 53, 257 (1985); E. F. Martynovich, V. I. Baryshnikov, and V. A. Grigorov, Sov. Tech. Phys. Lett. 11, 81 (1985).
3. M. S. Akselrod, V. S. Kortov, D. J. Kravetsky, and V. I. Gotlib, Radiat. Prot. Dosim. 0144-8420 32, 15 (1990); M. S. Akselrod and S. W. McKeever, Radiat. Prot. Dosim. 80, 167 (1999).
4. M. S. Akselrod, V. S. Kortov, D. J. Kravetsky, and V. I. Gotlib, Radiat. Prot. Dosim. 0144-8420 32, 15 (1990); M. S. Akselrod and S. W. McKeever, Radiat. Prot. Dosim. 80, 167 (1999).
5. J. A. Valbis and N. Itoh, Radiat. Eff. Defects Solids 116, 171 (1991).
6. O. Ambachar, J. Phys. D 31, 2653 (1998).
7. Structure and Properties of MgO and Al2 O3 Ceramics, Advances In Ceramics Vol. 10, edited by, W. D. Kingery, (American Ceramic Society, Columbus, OH, 1983).
8. T. Shikama, K. Yasuda, S. Yamamoto, C. Kinoshita, S. J. Zinkle, and E. R. Hodgson, J. Anal. Chem. USSR 271-272, 560 (1999).
9. R. Gotz, B. Mizaikoff, and R. Kellner, Appl. Spectrosc. 52, 1248 (1998).
10. M. S. Akselrod, A. E. Akselrod, S. S. Orlov, S. Sanyal, and T. H. Underwood, Proc. SPIE 0277-786X 5609, 244 (2003); M. S. Akselrod, A. E. Akselrod, S. S. Orlov, S. Sanyal, and T. H. Underwood, J. Fluoresc. 1053-0509 13, 503 (2003); M. S. Akselrod and S. S. Orlov, Proc. SPIE 0277-786X 5609, 252 (2003); M. S. Akselrod, S. S. Orlov, and G. M. Akselrod, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 43, 4908 (2004).
11. M. S. Akselrod, A. E. Akselrod, S. S. Orlov, S. Sanyal, and T. H. Underwood, Proc. SPIE 0277-786X 5609, 244 (2003); M. S. Akselrod, A. E. Akselrod, S. S. Orlov, S. Sanyal, and T. H. Underwood, J. Fluoresc. 1053-0509 13, 503 (2003); M. S. Akselrod and S. S. Orlov, Proc. SPIE 0277-786X 5609, 252 (2003); M. S. Akselrod, S. S. Orlov, and G. M. Akselrod, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 43, 4908 (2004).
12. M. S. Akselrod, A. E. Akselrod, S. S. Orlov, S. Sanyal, and T. H. Underwood, Proc. SPIE 0277-786X 5609, 244 (2003); M. S. Akselrod, A. E. Akselrod, S. S. Orlov, S. Sanyal, and T. H. Underwood, J. Fluoresc. 1053-0509 13, 503 (2003); M. S. Akselrod and S. S. Orlov, Proc. SPIE 0277-786X 5609, 252 (2003); M. S. Akselrod, S. S. Orlov, and G. M. Akselrod, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 43, 4908 (2004).
13. M. S. Akselrod, A. E. Akselrod, S. S. Orlov, S. Sanyal, and T. H. Underwood, Proc. SPIE 0277-786X 5609, 244 (2003); M. S. Akselrod, A. E. Akselrod, S. S. Orlov, S. Sanyal, and T. H. Underwood, J. Fluoresc. 1053-0509 13, 503 (2003); M. S. Akselrod and S. S. Orlov, Proc. SPIE 0277-786X 5609, 252 (2003); M. S. Akselrod, S. S. Orlov, and G. M. Akselrod, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 43, 4908 (2004).
14. Crystal Growth in Science and Technology, edited by, H. Arend, and, J. Hulliger, (Plenum, New York, 1989).
15. G. A. Crosby, J. N. Demas, and J. B. Callis, J. Res. Natl. Bur. Stand. 0160-1741 76A, 561 (1972); M. Fisher and J. Georges, Anal. Chim. Acta 334, 337 (1996).
16. G. A. Crosby, J. N. Demas, and J. B. Callis, J. Res. Natl. Bur. Stand. 0160-1741 76A, 561 (1972); M. Fisher and J. Georges, Anal. Chim. Acta 334, 337 (1996).
17. D. Magde, R. Wong, and P. G. Seybold, Photochem. Photobiol. 75, 327 (2002).
18. G. A. Reynolds and K. H. Drexhage, Opt. Commun. 13, 222 (1975).
19. D. P. Norwood, C. Vinches, J. F. Anderson, and W. F. Reed, Appl. Opt. 36, 2529 (1997).
20. R. C. Benson and H. A. Kues, J. Chem. Eng. Data 0021-9568 22, 379 (1977) ; J.-C. Mialocq and M. Meyer, Laser Chem. 10, 277 (1990).
21. R. C. Benson and H. A. Kues, J. Chem. Eng. Data 0021-9568 22, 379 (1977) ; J.-C. Mialocq and M. Meyer, Laser Chem. 10, 277 (1990).
22. P. W. Levy, Phys. Rev. 123, 1226 (1961).
23. T. J. Turner and J. H. Crawford, Jr., Phys. Rev. B 0556-2805 10.1103/PhysRevB.13.1735 13, 1735 (1976); K. H. Lee and J. H. Crawford, Jr., Phys. Rev. B 15, 4065 (1977).
24. T. J. Turner and J. H. Crawford, Jr., Phys. Rev. B 0556-2805 10.1103/PhysRevB.13.1735 13, 1735 (1976); K. H. Lee and J. H. Crawford, Jr., Phys. Rev. B 15, 4065 (1977).
25. B. D. Evans, H. D. Hendricks, F. D. Bazzarre, and J. M. Bunch, in Ion Implantation in Semiconductors, edited by, F. Chernow, J. A. Borders, and, D. K. Brice, (Plenum, New York, 1977), p. 265.
26. B. D. Evans and M. Stapelbroek, Phys. Rev. B 18, 7089 (1978).
27. B. D. Evans, G. J. Pogatshnik, and Y. Chen, Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B 91, 258 (1994).
28. E. W. J. Mitchell, J. D. Rigden, and P. W. Townsend, Philos. Mag. 5, 1013 (1960).
29. G. J. Pogatshnik, Y. Chen, and B. D. Evans, IEEE Trans. Nucl. Sci. NS-34, 1709 (1987).
30. L. S. Welch, A. E. Hughes, and G. P. Pells, J. Phys. C 0022-3719 10.1088/0022-3719/13/9/025 13, 1805 (1980); L. S. Welch, A. E. Hughes, and G. P. Pells, J. Phys. (Paris), Colloq. C6, 533 (1980).
31. L. S. Welch, A. E. Hughes, and G. P. Pells, J. Phys. C 0022-3719 10.1088/0022-3719/13/9/025 13, 1805 (1980); L. S. Welch, A. E. Hughes, and G. P. Pells, J. Phys. (Paris), Colloq. C6, 533 (1980).
32. G. W. Arnold and W. D. Compton, Phys. Rev. Lett. 4, 66 (1960).
33. G. W. Arnold, G. B. Krefft, and C. B. Norris, Appl. Phys. Lett. 25, 540 (1974).
34. K. H. Lee and J. H. Crawford, Jr., Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.90362 33, 273 (1978); K. H. Lee and J. H. Crawford, Jr., Phys. Rev. B 0163-1829 10.1103/PhysRevB.19.3217 19, 3217 (1979); B. G. Draeger and G. P. Summers, Phys. Rev. B 19, 1172 (1979).
35. K. H. Lee and J. H. Crawford, Jr., Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.90362 33, 273 (1978); K. H. Lee and J. H. Crawford, Jr., Phys. Rev. B 0163-1829 10.1103/PhysRevB.19.3217 19, 3217 (1979); B. G. Draeger and G. P. Summers, Phys. Rev. B 19, 1172 (1979).
36. K. H. Lee and J. H. Crawford, Jr., Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.90362 33, 273 (1978); K. H. Lee and J. H. Crawford, Jr., Phys. Rev. B 0163-1829 10.1103/PhysRevB.19.3217 19, 3217 (1979); B. G. Draeger and G. P. Summers, Phys. Rev. B 19, 1172 (1979).
37. M. Springis, P. Kulis, A. Veispals, and I. Tale, Radiat. Meas. 1350-4487 24, 453 (1995); I. Tale, T. M. Piters, M. Barboza-Flores, R. Perez-Salas, R. Aceves, and M. Springis, Radiat. Prot. Dosim. 65, 235 (1996).
38. M. Springis, P. Kulis, A. Veispals, and I. Tale, Radiat. Meas. 1350-4487 24, 453 (1995); I. Tale, T. M. Piters, M. Barboza-Flores, R. Perez-Salas, R. Aceves, and M. Springis, Radiat. Prot. Dosim. 65, 235 (1996).
39. P. A. Kulis, M. J. Springis, I. A. Tale, V. S. Vainer, and J. A. Valbis, Phys. Status Solidi B 104, 719 (1981).
40. V. S. Kortov, T. S. Bessonova, M. S. Akselrod, and I. I. Milman, Phys. Status Solidi A 87, 629 (1985), and references therein.
41. P. W. M. Jacobs and E. A. Kotomin, Philos. Mag. A 0141-8610 68, 695 (1993);
42. E. A. Kotomin, A. Stashans, L. N. Kantorovich, A. I. Lifshitz, A. I. Popov, I. A. Tale, and J.-L. Calais, Phys. Rev. B 51, 8770 (1995), and references therein.