High-temperature growth of silica sheathed Bi2S3 semiconductor nanowires

Chemical Vapor Deposition

Volumn 11, Issue 3, 2005, Pages 147-152

  Zhang, Hao Xu ^a,b   Ge, Jian Ping ^a   Li, Ya Dong ^a  

^a NATIONAL CENTER FOR NANOSCIENCE AND TECHNOLOGY   (China)

^b INSTITUTE OF GEOLOGY AND GEOPHYSICS   (China)

Author keywords

APCVD; Bismuth sulfide nanowire; Silica sheath

Indexed keywords

ATMOSPHERIC PRESSURE; BISMUTH COMPOUNDS; CRYSTAL STRUCTURE; HIGH TEMPERATURE EFFECTS; NANOSTRUCTURED MATERIALS; THERMODYNAMICS;

APCVD; BISMUTH SULFIDE NANOWIRES; SILICA SHEATH; SULFUR POWDER;

SILICA;

EID: 21244477525     PISSN: 09481907     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1002/cvde.200406334     Document Type: Article

References (31)

1. L. M. Peter, J. Electroanal. Chem. 1979, 98, 49.
2. J. D. Desai, J. D. Lokhande, Mater. Chem. Phys. 1995, 41, 98.
3. S. H. Pawar, P. N. Bhosale, M. D. Uplane, S. Tamhankar, Thin Solid Films 1983, 110, 165.
4. V. V. Killedar, C. D. Lokhande, C. H. Bhosale, Thin Solid Films 1996, 289, 14.
5. O. C. Monteiro, T. J. Trindade, J. Mater. Sci. Lett. 2000, 19, 859.
6. K. Kalyanasundaram, Solar Cells 1985, 15, 93.
7. L. M. Peter, K. G. U. Wijayantha, D. J. Riley, J. P. Waggett, J. Phys. Chem. B 2003, 107, 8378.
8. M. W. Shao, M. S. Mo, Y. Cui, G. Chen, Y. T. Qian, J. Cryst. Growth 2001, 233, 799.
9. D. B. Wang, M. W. Shao, D. B. Yu, G. P. Li, Y. T. Qian, J. Cryst. Growth 2002, 243, 331.
10. G. Z. Shen, D. Chen, K. B. Tang, F. Q. Li, Y. T. Qian, Chem Phys. Lett. 2003, 370, 334.
11. R. He, X. F. Qian, J. Yin, Z. K. Zhu, J. Cryst. Growth 2003, 252, 505.
12. D. B. Wang, M.W. Shao, D. B. Yu, W. C. Yu,Y. T. Qian, J. Cryst. Growth 2003, 254, 487.
13. S. X. Zhou, J. M. Li, Y. X. Ke, S.- M. Lu, Mater. Lett. 2003, 57, 2602.
14. G. J. Xing, Z. J. Feng, G. H. Chen, W. Yao, X. M. Song, Mater. Lett. 2003, 57, 4555.
15. H. Wang, J. J. Zhu, J. M. Zhu, H. Y. Chen, J. Phys. Chem. B 2002, 106, 3848.
16. H. Mizoguchi, H. Hosono, N. Ueda, H. Kawazoe, J. Appl. Phys. 1995, 78, 1376.
17. O. C. Monteiro, T. Trindade, J. H. Park, P. O'Brien, Chem. Vap. Deposition 2000, 6, 230.
18. C. H. Ye, G. W. Meng, Z. Jiang, Y. H. Wang, G. Z. Wang, L. D. Zhang, J. Am. Chem. Soc. 2003, 125, 15 180.
19. J. P. Ge, Y. D. Li, Chem. Commun. 2003, 2498.
20. H. P. Ge, Y. D. Li, Adv. Funct. Mater. 2004, 14, 157.
21. Handbook of Chemistry, (Ed: N. A. Lange), McGraw-Hill, New York 1961.
22. A. S. Kanishcheva, Yu. N. Mikhailov, A. F. Trippel, Inorg. Mater. 1981, 17, 1466.
23. M. E. Rincón, P. K. Nair, Semicond. Sci. Technol. 1997, 12, 467.
24. A. Glatz, V. F. Meikleham, J. Electrochem. Soc. 1963, 110, 1231.
25. E. I. Givargizov, J. Cryst. Growth 1973, 20, 217.
26. H. Y. Peng, Z. W. Pan, L. Xu, X. H. Fan, N. Wang, C. S. Lee, S. T. Lee, Adv. Mater. 2001, 13, 317.
27. H. Kohno, S. Takada, Appl. Phys. Lett. 1998, 73, 3144.
28. X. C. Wu, Y. R. Tao, J. Cryst. Growth 2002, 242, 309.
29. R. Gupta, Q. Xiong, G. D. Mahan, P. C. Eklund, Nano Lett. 2003, 3, 1745.
30. J. S. Wu, S. Dhara, C. T. Wu, K. H. Chen, Y. F. Chen, L. C. Chen, Adv. Mater. 2002, 14, 1847.
31. R. S. Williams, Z. Anorg. Chem. 1907, 55, 1.