-
1
-
-
16244407497
-
-
Special Issue about photonic structures
-
For an overview see J. Lightwave Technol. 1999, 17. Special Issue about photonic structures.
-
(1999)
J. Lightwave Technol.
, pp. 17
-
-
-
3
-
-
0000939999
-
-
Murray, C. B.; Norris, D. J.; Bawendi, M. G. J. Am. Chem. Soc. 1993, 115, 8706.
-
(1993)
J. Am. Chem. Soc.
, vol.115
, pp. 8706
-
-
Murray, C.B.1
Norris, D.J.2
Bawendi, M.G.3
-
4
-
-
0034594990
-
-
Peng, X.; Manna, L.; Yang, W.; Wickham, J.; Scher, E.; Kadavanich, A.; Alivisatos, A. P. Nature 2000, 404, 59.
-
(2000)
Nature
, vol.404
, pp. 59
-
-
Peng, X.1
Manna, L.2
Yang, W.3
Wickham, J.4
Scher, E.5
Kadavanich, A.6
Alivisatos, A.P.7
-
6
-
-
16244384323
-
Semiconductor quantum dots: Nanocrystals
-
Chapter 5.5. II-VI, and Chapter 5.6. II-VI
-
Landolt-Börnstein New Series III/34C Optical Properties of Semiconductor Nanostructures; Klingshirn, C., Ed.; Springer-Verlag: Berlin, 2004. Woggon, U.; Gaponenko, S. V.; Chapter 5.5. II-VI Semiconductor Quantum Dots: Nanocrystals, and Chapter 5.6. II-VI Semiconductor Quantum Dots: Self-organized, epitaxially grown nanostructures
-
Semiconductor Quantum Dots: Self-organized, Epitaxially Grown Nanostructures
-
-
Woggon, U.1
Gaponenko, S.V.2
-
7
-
-
16244379319
-
-
Danek, M.; Jensen, K. F.; Murray, C. B.; Bawendi, M. G. Appl. Phys. Lett. 1994, 65, 2796.
-
(1994)
Appl. Phys. Lett.
, vol.65
, pp. 2796
-
-
Danek, M.1
Jensen, K.F.2
Murray, C.B.3
Bawendi, M.G.4
-
8
-
-
0000444138
-
-
Leonardi, K.; Heinke, H.; Ohkawa, K.; Hommel, D.; Selke, H.; Gindele, F.; Woggon, U. Appl. Phys. Lett. 1997, 71, 1510. Gindele, F.; Woggon, U.; Langbein, W.; Hvam, J. M.; Leonardi, K.; Hommel, D.; Selke, H. Phys. Rev. B 1999, 60, 8773. Schikora, D.; Schwedhelm, S.; As, D. J.; Lischka, K.; Litvinov, D.; Rosenauer, A.; Gerthsen, D.; Strassburg, M.; Hoffmann, A.; Bimberg, D. Appl. Phys. Lett. 2000, 76, 1. Peranio, N.; Rosenauer, A.; Gerthsen, D.; Sorokin, S. V.; Sedova, I. V.; Ivanov, S. V. Phys. Rev. B 2000, 61, 16015. Litvinov, D.; Rosenauer, A.; Gerthsen, D.; Kratzert, P.; Henneberger, K. Appl. Phys. Lett. 2002, 81, 640.
-
(1997)
Appl. Phys. Lett.
, vol.71
, pp. 1510
-
-
Leonardi, K.1
Heinke, H.2
Ohkawa, K.3
Hommel, D.4
Selke, H.5
Gindele, F.6
Woggon, U.7
-
9
-
-
0001365289
-
-
Leonardi, K.; Heinke, H.; Ohkawa, K.; Hommel, D.; Selke, H.; Gindele, F.; Woggon, U. Appl. Phys. Lett. 1997, 71, 1510. Gindele, F.; Woggon, U.; Langbein, W.; Hvam, J. M.; Leonardi, K.; Hommel, D.; Selke, H. Phys. Rev. B 1999, 60, 8773. Schikora, D.; Schwedhelm, S.; As, D. J.; Lischka, K.; Litvinov, D.; Rosenauer, A.; Gerthsen, D.; Strassburg, M.; Hoffmann, A.; Bimberg, D. Appl. Phys. Lett. 2000, 76, 1. Peranio, N.; Rosenauer, A.; Gerthsen, D.; Sorokin, S. V.; Sedova, I. V.; Ivanov, S. V. Phys. Rev. B 2000, 61, 16015. Litvinov, D.; Rosenauer, A.; Gerthsen, D.; Kratzert, P.; Henneberger, K. Appl. Phys. Lett. 2002, 81, 640.
-
(1999)
Phys. Rev. B
, vol.60
, pp. 8773
-
-
Gindele, F.1
Woggon, U.2
Langbein, W.3
Hvam, J.M.4
Leonardi, K.5
Hommel, D.6
Selke, H.7
-
10
-
-
20144387421
-
-
Leonardi, K.; Heinke, H.; Ohkawa, K.; Hommel, D.; Selke, H.; Gindele, F.; Woggon, U. Appl. Phys. Lett. 1997, 71, 1510. Gindele, F.; Woggon, U.; Langbein, W.; Hvam, J. M.; Leonardi, K.; Hommel, D.; Selke, H. Phys. Rev. B 1999, 60, 8773. Schikora, D.; Schwedhelm, S.; As, D. J.; Lischka, K.; Litvinov, D.; Rosenauer, A.; Gerthsen, D.; Strassburg, M.; Hoffmann, A.; Bimberg, D. Appl. Phys. Lett. 2000, 76, 1. Peranio, N.; Rosenauer, A.; Gerthsen, D.; Sorokin, S. V.; Sedova, I. V.; Ivanov, S. V. Phys. Rev. B 2000, 61, 16015. Litvinov, D.; Rosenauer, A.; Gerthsen, D.; Kratzert, P.; Henneberger, K. Appl. Phys. Lett. 2002, 81, 640.
-
(2000)
Appl. Phys. Lett.
, vol.76
, pp. 1
-
-
Schikora, D.1
Schwedhelm, S.2
As, D.J.3
Lischka, K.4
Litvinov, D.5
Rosenauer, A.6
Gerthsen, D.7
Strassburg, M.8
Hoffmann, A.9
Bimberg, D.10
-
11
-
-
0000821758
-
-
Leonardi, K.; Heinke, H.; Ohkawa, K.; Hommel, D.; Selke, H.; Gindele, F.; Woggon, U. Appl. Phys. Lett. 1997, 71, 1510. Gindele, F.; Woggon, U.; Langbein, W.; Hvam, J. M.; Leonardi, K.; Hommel, D.; Selke, H. Phys. Rev. B 1999, 60, 8773. Schikora, D.; Schwedhelm, S.; As, D. J.; Lischka, K.; Litvinov, D.; Rosenauer, A.; Gerthsen, D.; Strassburg, M.; Hoffmann, A.; Bimberg, D. Appl. Phys. Lett. 2000, 76, 1. Peranio, N.; Rosenauer, A.; Gerthsen, D.; Sorokin, S. V.; Sedova, I. V.; Ivanov, S. V. Phys. Rev. B 2000, 61, 16015. Litvinov, D.; Rosenauer, A.; Gerthsen, D.; Kratzert, P.; Henneberger, K. Appl. Phys. Lett. 2002, 81, 640.
-
(2000)
Phys. Rev. B
, vol.61
, pp. 16015
-
-
Peranio, N.1
Rosenauer, A.2
Gerthsen, D.3
Sorokin, S.V.4
Sedova, I.V.5
Ivanov, S.V.6
-
12
-
-
79956060259
-
-
Leonardi, K.; Heinke, H.; Ohkawa, K.; Hommel, D.; Selke, H.; Gindele, F.; Woggon, U. Appl. Phys. Lett. 1997, 71, 1510. Gindele, F.; Woggon, U.; Langbein, W.; Hvam, J. M.; Leonardi, K.; Hommel, D.; Selke, H. Phys. Rev. B 1999, 60, 8773. Schikora, D.; Schwedhelm, S.; As, D. J.; Lischka, K.; Litvinov, D.; Rosenauer, A.; Gerthsen, D.; Strassburg, M.; Hoffmann, A.; Bimberg, D. Appl. Phys. Lett. 2000, 76, 1. Peranio, N.; Rosenauer, A.; Gerthsen, D.; Sorokin, S. V.; Sedova, I. V.; Ivanov, S. V. Phys. Rev. B 2000, 61, 16015. Litvinov, D.; Rosenauer, A.; Gerthsen, D.; Kratzert, P.; Henneberger, K. Appl. Phys. Lett. 2002, 81, 640.
-
(2002)
Appl. Phys. Lett.
, vol.81
, pp. 640
-
-
Litvinov, D.1
Rosenauer, A.2
Gerthsen, D.3
Kratzert, P.4
Henneberger, K.5
-
13
-
-
0035018208
-
-
Murray, C. B.; Sun, S.; Gaschler, W.; Doyle, H.; Betley, T. A.; Kagan, C. R. IBM J. Res. Dev. 2001, 45, 47.
-
(2001)
IBM J. Res. Dev.
, vol.45
, pp. 47
-
-
Murray, C.B.1
Sun, S.2
Gaschler, W.3
Doyle, H.4
Betley, T.A.5
Kagan, C.R.6
-
14
-
-
1842411963
-
-
Peng, X.; Schlamp, M. C.; Kadavanich, A. V.; Alivisatos, A. P. J. Am. Chem. Soc. 1997, 119, 7019.
-
(1997)
J. Am. Chem. Soc.
, vol.119
, pp. 7019
-
-
Peng, X.1
Schlamp, M.C.2
Kadavanich, A.V.3
Alivisatos, A.P.4
-
15
-
-
0001465967
-
-
The ZnS shell is very thin (1 to 2 monolayers). Since the thickness of the ZnS shell is not larger than the ZnS-lattice constant, the ZnS is present here on a molecular scale. If the ZnS shell plays a role at all in the ZnSe cap process, then it will most likely help to reduce the strain between CdSe and ZnSe and thus to decrease the defect density. In the MBE growth of quantum wells, ZnS is sometimes used for strain compensation between CdSe and ZnSe layers since its lattice constant of 0.5406 nm is smaller than that of both CdSe (0.60813 nm) and ZnSe (0.5668 nm). See, e.g., Engelhardt, R.; Pohl, U. W.; Bimberg, D.; Litvinov, D.; Rosenauer, A.; Gerthsen, D. J. Appl. Phys. 1999, 86, 5578.
-
(1999)
J. Appl. Phys.
, vol.86
, pp. 5578
-
-
Engelhardt, R.1
Pohl, U.W.2
Bimberg, D.3
Litvinov, D.4
Rosenauer, A.5
Gerthsen, D.6
-
17
-
-
0001851456
-
-
Schikora, D.; Schwedhelm, S.; As, D. J.; Lischka, K.; Litvinov, D.; Rosenauer, A.; Gerthsen, D.; Strassburg, M.; Hoffmann, A.; Bimberg, D. Appl. Phys. Lett. 2000, 76, 418.
-
(2000)
Appl. Phys. Lett.
, vol.76
, pp. 418
-
-
Schikora, D.1
Schwedhelm, S.2
As, D.J.3
Lischka, K.4
Litvinov, D.5
Rosenauer, A.6
Gerthsen, D.7
Strassburg, M.8
Hoffmann, A.9
Bimberg, D.10
-
18
-
-
0242608467
-
-
Patton, B.; Langbein, W.; Woggon, U. Phys. Rev. B 2003, 68, 12 5316.
-
(2003)
Phys. Rev. B
, vol.68
, Issue.12
, pp. 5316
-
-
Patton, B.1
Langbein, W.2
Woggon, U.3
|