Theory of a strained p-Ge resonant-state terahertz laser

Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics

Volumn 70, Issue 11, 2004, Pages

  Odnoblyudov, M A ^a,b   Prokofiev, A A ^a   Yassievich, I N ^a,b   Chao, K A ^b  

^a IOFFE INSTITUTE   (Russian Federation)

^b LUND UNIVERSITY   (Sweden)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

GERMANIUM;

ACOUSTICS; ARTICLE; CALCULATION; ELECTRIC FIELD; LASER; MATHEMATICAL ANALYSIS; MATHEMATICAL MODEL; PHONON; QUANTUM THEORY; STEADY STATE;

EID: 19744382023     PISSN: 01631829     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1103/PhysRevB.70.115209     Document Type: Article

References (43)

1. R. E. Miles, in Terahertz Sources and Systems, edited by P. Harrison and D. Lippens, Vol. 27, NATO Science Series II (Kluwer, Dordrecht, 2001).
2. P. Y. Han, G. C. Cho, and X.-C. Zhang, Opt. Lett. 25, 242 (2000).
3. D. M. Mittleman, R. H. Jacobsen, and M. C. Nuss, IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron. 2, 679 (1996).
4. D. M. Mittleman, S. Hunsche, L. Boivin, and M. C. Nuss, Opt. Lett. 22, 904 (1997).
5. P. T. Lang, F. Sessler, U. Werling, and K. F. Renk, Appl. Phys. Lett. 55, 2576 (1989).
6. F. Lewen, S. P. Belov, F. Maiwald, T. Klaus, and G. Winnewisser, Z. Naturforsch., A: Phys. Sci. 50, 1182 (1995).
7. A. A. Andronov, Sov. Phys. Semicond. 21, 701 (1987); Opt. Quantum Electron. 23 (1991).
8. A. A. Andronov, Sov. Phys. Semicond. 21, 701 (1987); Opt. Quantum Electron. 23 (1991).
9. E. Bründermann, A. M. Linhart, H. P. Röser, O. D. Dubon, W. L. Hansen, and E. E. Haller, Appl. Phys. Lett. 68, 1359 (1996); E. Bründermann, D. R. Chamberlin, and E. E. Haller, ibid. 73, 2757 (1998).
10. E. Bründermann, A. M. Linhart, H. P. Röser, O. D. Dubon, W. L. Hansen, and E. E. Haller, Appl. Phys. Lett. 68, 1359 (1996); E. Bründermann, D. R. Chamberlin, and E. E. Haller, ibid. 73, 2757 (1998).
11. D. H. Auston, K. P. Cheung, and P. R. Smith, Appl. Phys. Lett. 45, 284 (1984).
12. B. B. Hu, X.-C. Zhang, and D. H. Auston, Phys. Rev. Lett. 67, 2709 (1991).
13. Y.-S. Lee, T. Meade, V. Perlin, H. Winful, T. B. Norris, and A. Galvanauskas, Appl. Phys. Lett. 76, 2505 (2000).
14. K. M. Evenson, D. A. Jennings, and F. R. Petersen, Appl. Phys. Lett. 44, 576 (1984).
15. S. Matsuura, M. Tani, and K. Sakai, Appl. Phys. Lett. 70, 559 (1997).
16. G. Dehlinger, L. Diehl, U. Gennser, H. Sigg, J. Faist, K. Ensslin, D. Gruntzmacher, and E. Muller, Science 290, 2277 (2000).
17. M. Rochat, J. Faist, M. Beck, U. Oesterle, and M. Ilegems, Appl. Phys. Lett. 73, 3724 (1998).
18. B. S. Williams, B. Xu, Q. Hu, and M. R. Melloch, Appl. Phys. Lett. 75, 2927 (1999).
19. J. Ulrich, R. Zobl, W. Schrenk, G. Strasser, and K. Unterrainer, Appl. Phys. Lett. 76, 1928 (2000).
20. M. Helm, P. England, E. Colas, F. De Rosa, and S. J. Allen, Phys. Rev. Lett. 63, 74 (1989).
21. R. Köhler, A. Tredicucci, F. Beltram, H. E. Beere, E. H. Linfield, A. G. Davies, D. A. Ritchie, R. C. Iotti, and F. Rossi, Nature (London) 417, 156 (2002).
22. J. V. Altukhov, E. G. Chirkova, M. S. Kagan, K. A. Korolev, V. P. Sinis, and F. A. Smirnov, Sov. Phys. JETP 74, 404 (1992); I. V. Altukhov, E. G. Chirkova, M. S. Kagan, K. A. Korolev, V. P. Sinis, and I. N. Yassievich, Phys. Status Solidi B 198, 35 (1996); I. V. Altukhov, M. S. Kagan, K. A. Korolev, V. P. Sinis, E. G. Chirkova, M. A. Odnoblyudov, and I. N. Yassievich, JETP 88, 51 (1999).
23. J. V. Altukhov, E. G. Chirkova, M. S. Kagan, K. A. Korolev, V. P. Sinis, and F. A. Smirnov, Sov. Phys. JETP 74, 404 (1992); I. V. Altukhov, E. G. Chirkova, M. S. Kagan, K. A. Korolev, V. P. Sinis, and I. N. Yassievich, Phys. Status Solidi B 198, 35 (1996); I. V. Altukhov, M. S. Kagan, K. A. Korolev, V. P. Sinis, E. G. Chirkova, M. A. Odnoblyudov, and I. N. Yassievich, JETP 88, 51 (1999).
24. J. V. Altukhov, E. G. Chirkova, M. S. Kagan, K. A. Korolev, V. P. Sinis, and F. A. Smirnov, Sov. Phys. JETP 74, 404 (1992); I. V. Altukhov, E. G. Chirkova, M. S. Kagan, K. A. Korolev, V. P. Sinis, and I. N. Yassievich, Phys. Status Solidi B 198, 35 (1996); I. V. Altukhov, M. S. Kagan, K. A. Korolev, V. P. Sinis, E. G. Chirkova, M. A. Odnoblyudov, and I. N. Yassievich, JETP 88, 51 (1999).
25. Yu. P. Gousev, I. V. Altukhov, K. A. Korolev, V. P. Sinis, and M. S. Kagan, Appl. Phys. Lett. 75, 757 (1999).
26. I. V. Altukhov, E. G. Chirkova, V. P. Sinis, M. S. Kagan, Yu. P. Gousev, S. G. Thomas, K. L. Wang, M. A. Odnoblyudov, and I. N. Yassievich, Appl. Phys. Lett. 79, 3909 (2001).
27. A. Blom, M. A. Odnoblyudov, H. H. Cheng, I. N. Yassievich, and K. A. Chao, Appl. Phys. Lett. 79, 713 (2001).
28. M. A. Odnoblyudov, I. N. Yassievich, V. M. Chistyakov, and K. A. Chao, Phys. Rev. B 62, 2486 (2000).
29. M. I. D'yakonov and A. V. Khaetski, Sov. Phys. JETP 59, 1072 (1984).
30. M. A. Odnoblyudov, A. A. Prokofiev, and I. N. Yassievich, JETP 94, 593 (2002).
31. M. A. Odnoblyudov, I. N. Yassievich, M. S. Kagan, and K. A. Chao, Phys. Rev. B 62, 15 291 (2000).
32. W. Quade, G. Hüpper, E. Schöll, and T. Kuhn, Phys. Rev. B 49, 13 408 (1994).
33. E. Schöll, Nonequilibrium Phase Transitions in Semiconductors (Springer, Berlin, 1987).
34. V. N. Abakumov, V. I. Perel, and I. N. Yassievich, in Modern Problems in Condensed Matter Sciences, edited by V. M. Agranovich and A. A. Maradudin (North-Holland, Amsterdam, 1991).
35. M. A. Odnoblyudov and V. M. Chistyakov, Semiconductors 32 799 (1998).
36. W. Kohn and J. M. Luttinger, Phys. Rev. 98, 915 (1955).
37. G. L. Bir and G. E. Pikus, Symmetry and Strain Effects in Semi-conductors (Wiley, New York, 1974).
38. Y.-C. Chang, R. B. James, Phys. Rev. B 39, 12 672 (1989).
39. J. Taylor, V. Tolstikhin, J. Appl. Phys. 87, 1054 (2000).
40. M. A. Odnoblyudov, A. A. Pakhomov, V. M. Chistyakov, and I. N. Yassievich, Fiz. Tekh. Poluprovodn. (S.-Peterburg) 31, 1180 (1997) [Semiconductors 31, 1014 (1997)].
41. M. A. Odnoblyudov, A. A. Pakhomov, V. M. Chistyakov, and I. N. Yassievich, Fiz. Tekh. Poluprovodn. (S.-Peterburg) 31, 1180 (1997) [Semiconductors 31, 1014 (1997)].
42. P. Y. Yu and M. Cardona, Fundametals of Semiconductors: Physics and Materials Properties (Springer, Berlin, 2001).
43. A. Dargys and J. Kundrotas, Handbook on Physical Properties of Ge, Si, GaAs and InP (Science and Encyclopedia Publishers, Vilnus, 1994).