Real structure of partially ordered crystals

Materials Science in Semiconductor Processing

Volumn 6, Issue 5-6, 2003, Pages 393-396

  Kienle, L ^a   Oeckler, O ^a   Mattausch, Hj ^a   Duppel, V ^a   Simon, A ^a   Reiner, C ^b   Schlosser, M ^b   Xhaxhiu, K ^b   Deiseroth, H J ^b  

^a MAX PLANCK INSTITUT FÜR FESTKÖRPERFORSCHUNG   (Germany)

^b UNIVERSITY OF SIEGEN   (Germany)

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ANNEALING; CAMERAS; CHARGE COUPLED DEVICES; COMPUTATIONAL METHODS; COMPUTER SIMULATION; DIFFUSION; SEMICONDUCTING GALLIUM COMPOUNDS; SINGLE CRYSTALS; TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY; X RAY DIFFRACTION ANALYSIS;

DIFFRACTION PATTERNS; PARTIALLY ORDERED CRYSTALS;

CRYSTAL STRUCTURE;

EID: 1642603005     PISSN: 13698001     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1016/j.mssp.2003.07.009     Document Type: Conference Paper

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