Correlation between displacive-type ferroelectricity and electronic density of states near the Fermi level in SrBi2Ta2O9

Physica Status Solidi (B) Basic Research

Volumn 242, Issue 4, 2005, Pages 899-908

  Hidaka, M ^a   Soejima, M ^a   Noguchi, Y ^b,c   Miyayama, M ^b   Choi, Sun Hee ^d   Sung, Nark Eon ^d   Kim, Min Gyu ^d   Lee Min, Jay ^d  

^a KYUSHU UNIVERSITY   (Japan)

^b INSTITUTE OF INDUSTRIAL SCIENCE   (Japan)

^c JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY   (Japan)

^d Pohang University of Science and Technology (POSTECH)   (South Korea)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 15744381706     PISSN: 03701972     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1002/pssb.200402103     Document Type: Article

References (36)

1. C. A. Paz de Araujo, J. D. Cuchiaro, L. D. Mcmillan, M. C. Scott, and J. F. Scott, Nature (London) 374, 627 (1995).
2. T. Atsuki, N. Soyama, T. Ynezawa, and K. Ogi, Jpn. J. Appl. Phys. 34, 5096 (1995).
3. S. B. Desu and D. P. Vijay, Mater. Sci. Eng. B 32, 75 (1995).
4. W. F. Zhang, M. S. Zhang, Z. Yin, Y. Z. Gu, Z. L. Du, and B. L.Yu, Appl. Phys. Lett. 75, 902 (1999).
5. S. E. Moon, S. B. Back, S. I. Kwun, Y. S. Lee, T. W. Noh, T. K. Song, and J. G.Yoon, Jpn. J. Appl. Phys. 39, 5916 (2000).
6. M. Takahashi, M. Noda, and M. Okuyama, J. Appl. Phys. 94, 1912 (2003).
7. R. R. Das, P. Bhattacharya, W. Perez, and R. S. Katiyar, Jpn. J. Appl. Phys. 42, 162 (2003).
8. T. Atsuki, N. Soyama, T. Yonezawa, and K. Ogi, Jpn. J. Appl. Phys. 1 34, 5096 (1995).
9. T. Noguchi, T. Hase, and Y. Miyasaki, Jpn. J. Appl. Phys. 35, 4900 (1996).
10. M. Noda, Y. Matsumuro, H. Sugiyama, and M. Okumura, Jpn. J. Appl. Phys. 38, 2275 (1999).
11. A. Furuya and J. D. Cuchiaro, Jpn. J. Appl. Phys. 39, L371 (2000).
12. M. J. Forbess, S. Seraji, Y. Wu, C. P. Nguyen, and G. Z. Cao, Appl. Phys. Lett. 74, 1904 (2000).
13. K. Aizawa, E. Tokumitsu, K. Okamoto, and H. Ishiwara, Appl. Phys. Lett. 76, 2609 (2000).
14. A. D. Rae, J. G. Thompson, and R. L. Withers, Acta Crystallogr. B 48, 418 (1992).
15. Y. Shimakawa, Y. Kubo, Y. Nakagawa, T. Kamiyama, H. Asano, and F. Izumi, Appl. Phys. Lett. 74, 1904 (1999).
16. Y. Noguchi, M. Miyayama, and T. Kudo, Phys. Rev. B 63, 214102 (2001).
17. A. Onodera, K. Yoshio, and H. Yamashita, Jpn. J. Appl. Phys. 42, 6218 (2003).
18. S.-K. Kim, M. Miyayama, and H. Yanagida, J. Ceram. Soc. Jpn. 102, 722 (1994).
19. S.-K. Kim, M. Miyayama, and H. Yanagida, Mater. Res. Bull. 31, 121 (1996).
20. J. Robertson, C. W. Chen, W. L. Warren, and C. D. Gutleben, Appl. Phys. Lett. 69, 1704 (1996).
21. Y. Noguchi, M. Miyayama, K. Oikawa, T. Kamiyama, M. Osada, and M. Kakihana, Jpn. J. Appl. Phys. 41(11B), 7062 (2002).
22. G. A. Smolenski, V. A. Isupov, and A. I. Agranovskaya, Sov. Phys.-Solid State 3, 51 (1961).
23. Y. Noguchi, H. Shimizu, M. Miyayama, K. Oikawa, and T. Kamiyama, Jpn. J. Appl. Phys. 40, 5812 (2001).
24. K. Yoshio, A. Onodera, and H. Yamashita, Ferroelectrics 284, 65 (2003).
25. Y. Shimakawa, Y. Kubo, Y. Nakagawa, T. Kamiyama, H. Asano, and F. Izumi, Phys. Rev. B 61, 6559 (2000).
26. J. Robertson and C. W. Chen, Appl. Phys. Lett. 69, 1704 (1996).
27. K. Miura and M. Tanaka, Jpn. J. Appl. Phys. 37, 606 (1997).
28. M. G. Stachiotti, C. O. Rodriguez, C. Ambrosch-Draxl, and N. E. Christensen, Phys. Rev. B 61, 14434 (2000).
29. Min-H. Tsai and S. K. Dey, IEEE Trans. Ultrason. Ferroelectr. Freq. Control 47, 929 (2000).
30. M. G. Stachiotti, C. O. Rodriguez, C. Ambrosch-Draxl, and N. E. Christensen, Ferroelectrics 237, 49 (2000).
31. J. Zhang, Z. Yin, and M. S. Zhang, Appl. Phys. Lett. 81, 4778 (2002).
32. M. Hidaka, N. Tokiwa, S. Takahashi, J. Y. Choi, and J. M. Lee, phys. stat. sol. (b) 241, 1058 (2004).
33. J. Zaanen, G. A. Sawatzky, and J. W. Allen, Phys. Rev. Lett. 55, 418 (1985).
34. N. F. Mott, Philos. Mag. 6, 287 (1961).
35. J. Hubbard, Proc. R. Soc. Lond. A 277, 237 (1964).
36. J. Hubbard, Proc. R. Soc. Lond. A 281, 401 (1964).