Thermal expansion of spinel-type Si3N4

Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics

Volumn 69, Issue 5, 2004, Pages

  Paszkowicz, W ^a   Minikayev, R ^a   Piszora, P ^b   Knapp, M ^c   Bahtz C ^c   Recio, J M ^d   Marques M ^d   Mori Sanchez P ^d   Gerward, L ^e   Jiang, J Z ^e,f  

^a INSTITUTE OF PHYSICS   (Poland)

^b ADAM MICKIEWICZ UNIVERSITY   (Poland)

^c DARMSTADT UNIVERSITY OF TECHNOLOGY   (Germany)

^d UNIVERSITY OF OVIEDO   (Spain)

^e TECHNICAL UNIVERSITY OF DENMARK   (Denmark)

^f ZHEJIANG UNIVERSITY   (China)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

NITROGEN; SILICON DERIVATIVE;

ARTICLE; CALCULATION; CHEMICAL ANALYSIS; CRYSTAL STRUCTURE; HYPERBARISM; MASS SPECTROMETRY; SYNCHROTRON; TEMPERATURE DEPENDENCE; X RAY DIFFRACTION;

EID: 12144287248     PISSN: 10980121     EISSN: 1550235X     Source Type: Journal    
DOI: 10.1103/PhysRevB.69.052103     Document Type: Article

References (42)

1. A. Zerr, G. Miehe, G. Serghiou, M. Schwarz, E. Kroke, R. Riedel, H. Fuess, P. Kroll, and R. Boehler, Nature (London) 400, 340 (1999).
2. K. Leinenweber, M. O’Keeffe, M. Somayazulu, K. Hubert, P. F. McMillan, and G. H. Wolf, Chem.-Eur. J. 5, 3076 (1999).
3. G. Serghiou, G. Miehe, O. Tschauner, A. Zerr, and R. Boehler, J. Chem. Phys. 111, 4659 (1999).
4. S. D. Mo, L. Ouyang, W. Y. Ching, I. Tanaka, Y. Koyama, and R. Riedel, Phys. Rev. Lett. 83, 5046 (1999).
5. J. J. Dong, O. F. Sankey, S. K. Deb, G. Wolf, and P. F. McMillan, Phys. Rev. B 61, 11 979 (2000).
6. T. Sekine, H. He, T. Kobayashi, M. Zhang, and F. Xu, Appl. Phys. Lett. 76, 3706 (2000).
7. M. Schwarz, G. Miehe, A. Zerr, E. Kroke, B. T. Poe, H. Fuess, and R. Riedel, Adv. Mater. (Weinheim, Ger.) 12, 883 (2000).
8. W. Y. Ching, L. Ouyang, and J. D. Gale, Phys. Rev. B 61, 8696 (2000).
9. W. Y. Ching, S. D. Mo, L. Ouyang, I. Tanaka, and M. Yoshiya, Phys. Rev. B 61, 10 609 (2000).
10. C. M. Marian, M. Gastreich, and J. D. Gale, Phys. Rev. B 62, 3117 (2000).
11. H. He, T. Sekine, T. Kobayashi, and H. Hirosaki, Phys. Rev. B 62, 11 412 (2000).
12. M. Zhang, H. He, F. F. Xu, T. Sekine, T. Kobayashi, and Y. Bando, J. Appl. Phys. 88, 3070 (2000).
13. J. Z. Jiang, K. Ståhl, R. W. Berg, D. J. Frost, T. J. Zhou, and P. X. Shi, Europhys. Lett. 51, 62 (2000).
14. E. Soignard, M. Somayazulu, J. Dong, O. F. Sankey, and P. F. McMillan, J. Phys.: Condens. Matter 13, 557 (2001).
15. P. Mori-Sánchez, R. Franco, A. Martín Pendás, V. Luaña, and J. M. Recio, Europhys. Lett. 54, 760 (2001).
16. J. Z. Jiang, F. Kragh, D. J. Frost, K. Ståhl, and H. Lindelov, J. Phys.: Condens. Matter 13, L515 (2001).
17. F. Oba, K. Tatsumi, H. Adachi, and I. Tanaka, Appl. Phys. Lett. 78, 1577 (2001).
18. T. Sekine and T. Mitsuhashi, Appl. Phys. Lett. 79, 2719 (2001).
19. H. He, T. Sekine, T. Kobayashi, and K. Kimoto, J. Appl. Phys. 90, 4403 (2001).
20. A. Zerr, Phys. Status Solidi B 227, R4 (2001).
21. I. Tanaka, F. Oba, and W. Y. Ching, Mater. Integr. 14, 21 (2001).
22. W. Y. Ching, S. D. Mo, and L. Ouyang, Phys. Rev. B 63, 245110 (2001).
23. W. Y. Ching, S. D. Mo, L. Ouyang, P. Rulis, I. Tanaka, and M. Yoshiya, J. Am. Ceram. Soc. 85, 75 (2002).
24. A. Zerr, M. Kempf, M. Schwarz, E. Kroke, M. Goken, and R. Riedel, J. Am. Ceram. Soc. 85, 86 (2002).
25. F. Oba, K. Tatsumi, I. Tanaka, and H. Adachi, J. Am. Ceram. Soc. 85, 97 (2002).
26. T. Sekine, J. Am. Ceram. Soc. 85, 113 (2002).
27. J. Z. Jiang, H. Lindelov, L. Gerward, K. Ståhl, J. M. Recio, P. Mori-Sánchez, S. Carlson, M. Mézouar, E. Dooryhee, A. Fitch, and D. J. Frost, Phys. Rev. B 65, 161202 (2002).
28. D. T. Morelli and J. P. Heremans, Appl. Phys. Lett. 81, 5126 (2002).
29. M. P. Shemkunas, G. H. Wolf, K. Leinenweber, and W. T. Petuskey, J. Am. Chem. Soc. 85, 101 (2002).
30. I. Tanaka, F. Oba, T. Sekine, E. Ito, A. Kubo, K. Tatsumi, H. Adachi, and T. Yamamoto, J. Mater. Res. 17, 731 (2002).
31. H. T. Hintzen, M. R. M. M. Hendrix, H. Wondergem, C. M. Fang, T. Sekine, and G. de With, J. Alloys Compd. 351, 40 (2003).
32. C. M. Fang, G. A. de Wijs, H. T. Hintzen, and G. de With, J. Appl. Phys. 93, 5175 (2003).
33. P. Mori-Sánchez, M. Marqués, A. Beltran, J. Z. Jiang, L. Gerward, and J. M. Recio, Phys. Rev. B 68, 064115 (2003).
34. J. Ihringer and A. Koester, J. Appl. Crystallogr. 26, 135 (1993).
35. T. Sato, K. Ohashi, T. Sudoh, K. Haruna, and H. Maeta, Phys. Rev. B 65, 092102 (2002).
36. A. D. Becke, Phys. Rev. A 38, 3098 (1988);
37. J. P. Perdew, in Electronic Structure of Solids, edited by P. Ziesche and H. Schrig (Academic, Berlin, 1991).
38. V. R. Saunders et al., CRYSTAL98 User’s Manual (University of Torino, Torino, 1998).
39. E. Francisco, J. M. Recio, M. A. Blanco, A. Martín Pendás, and A. Costales, J. Phys. Chem. A 102, 1595 (1998).
40. N. W. Grimes and E. A. Al-Ajaj, J. Phys.: Condens. Matter 4, 6375 (1992).
41. S. Krukowski, M. Leszczynski, and S. Porowski, in Properties, Processing and Applications of Gallium Nitride and Related Semiconductors, edited by J. H. Edgar, S. Strite, I. Akasaki, H. Amano, and Ch. Wetzel (INSPEC, Institution of Electrical Engineers, London, UK, 1999), p. 2128.
42. H. Choe, T. Hsieh, and J. Wolfenstine, Mater. Sci. Eng., A 237, 250 (1997)