Phenomenological description of surface characteristics measured by the method of atomic force microscopy

Kristallografiya

Volumn 43, Issue 3, 1998, Pages 524-534

  Arutyunov, P A ^a   Tolstikhina, A L ^a  

^a NONE

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0347957105     PISSN: 00234761     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: None     Document Type: Article

References (48)

1. Binning G., Rohrer H., Gerber Ch., Weibel E. // Phys. Rev. Lett. 1982. V. 49. P. 57.
2. Binning G., Quate C.F., Gerber Ch. // Phys. Rev. Lett. 1986. V. 56. P. 930.
3. Scanning Tunneling Microscopy / Ed. Wiesendanger R., Guntherodt H.-J. Berlin-New York: Springer, 1992-1993. V. 1-3.
4. Sugimura H., Nakagiri N. // Japan. J. Appl. Phys. 1995. V. 34. P. 3406.
5. Junno T., Deppert K., Montelius L., Samuelson L. // Appl. Phys. Lett. 1995. V. 66. No 26. P. 3627.
6. Dwir B., Reinhardt F., Kapon E. // J. Appl. Phys. 1995. V. 78. No 8. P. 4939.
7. Griffith J.E., Grigg M.J., Vasile P.E. et al. // J. Vac. Sci. Technol. A. 1992. V. 10. No 4. P. 674.
8. Jorgensen J.F., Carneiro K., Madsen L.L. // Nanotechnology. 1993. V. 4. P. 152.
9. Nagase M., Namatsu H., Kurihara K. et al. // Japan. J. Appl. Phys. 1995. V. 34. P. 3382.
10. Magonov S.N., Whangbo M.-H. Surface Analysis with STM and AFM. Weinheim, 1996. 323 p.
11. Schonenberger C., Alvarado S.F. // J. Appl. Phys. 1989. V. 66. No 9. P. 4258.
12. Hartmann E., Hahn P.O., Behm R.J. // J. Appl. Phys. 1991. V. 69. No 8. P. 4273.
13. Reiss G., Vancea J., Wittmann H. et al. // J. Appl. Phys. 1990. V. 67. No 3. P. 1156.
14. Reiss G., Bruckl H., Vancea J. et al. // J. Appl. Phys. 1991. V. 70. No 1. P. 523.
15. Fatt Y.S. // J. Appl. Phys. 1993. V. 73. No 7. P. 3261.
16. Crowder S.W., Griffin P.B., Plummer J.D. // Appl. Phys. Lett. 1994. V. 65. No 13. P. 1698.
17. Yoshinobu T., Iwasaki H. // Japan. J. Appl. Phys. 1993. V. 32. P. L1562.
18. Iwamoto A., Yoshinobu T., Iwasaki H. // Phys. Rev. Lett. 1994. V. 72. No 25. P. 4025.
19. Yoshinobu T., Iwamoto A., Iwasaki H. // Japan. J. Appl. Phys. 1994. V. 33. P. 383.
20. Ohmi T., Matsumoto K., Nakamura K. et al. // J. Appl. Phys. 1995. V. 77. No 3. P. 1159.
21. Temst K., Van Bael M.J., Wuyts B. et al. // Appl. Phys. Lett. 1995. V. 67. No 23. P. 3429.
22. Hegde R.I., Wayne M., Paulson M., Tobin Ph.J. // J. Vac. Sci. Technol. B. 1995. V. 13. No 4. P. 1434.
23. Teichert C., MacKay J.F., Savage D.E. et al. // Appl. Phys. Lett. 1995. V. 66. No 18. P. 2346.
24. Deki H., Fukuda M., Miyazaki S., Hirose M. // Japan. J. Appl. Phys. 1995. V. 34. P. L1027.
25. Choi K.Y., Lee Ch.W., Lee Ch. // Japan. J. Appl. Phys. 1995. V. 34. P. 1673.
26. Lee N.E., Greene J.E. // Appl. Phys. Lett. 1995. V. 67. No 17. P. 2459.
27. Lopes M.C.V., dos Santos F.S.G., Hasenack C.M., Baranauskas V. // J. Electrochem. Soc. 1996. V. 143. No 3. P. 1021.
28. Yeh W.K., Chen M.Ch., Lin M.Sh. // J. Vac. Sci. Technol. B. 1996. V. 14. No 1. P. 167.
29. Kozhevnikov I.V., Asadchikov V.E., Alaudinov B.M. et al. // SPIE X-Ray Optics and Surface Sci. 1995. V. 2453. P. 141.
30. Sheiko S.S., Moller M., Reuvekamp E.M., Zandbergen H.W. // Ultramicroscopy. 1994. V. 53. P. 371.
31. 34: Bustamante C., Keller D. // Phys. Today. 1995. V. 48. No 12. P. 32.
32. Suzuki M., Homma Y., Kidoh Y., Yabumoto N. // Japan. J. Appl. Phys. 1993. V. 32. P. 1419.
33. Rautanen J., Leskela M., Ninisto L. et al. // Appl. Surface Sci. 1994. V. 82/83. P. 533.
34. Tobet M.F., Feng S.W., Cox A.J., Urban F.K. // J. Phys. D. 1995. V. 28. P. 2365.
35. Abe T., Kato Y. // Japan. J. Appl. Phys. 1993. V. 32. P. 1879.
36. Kruithof G.H., Klapwijk T.M., Bakker S. // Phys. Rev. B. 1991. V. 43. P. 6642.