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Volumn 14, Issue 3, 2000, Pages 259-265

Electroluminescence studies of Er and SiO co-doped Si layers prepared by molecular beam epitaxy

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Auger effect; Electroluminescence; Er; Hot electron; Light emitting diode; Si

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EID: 0347947969     PISSN: 09253467     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1016/S0925-3467(99)00149-4     Document Type: Article
Times cited : (13)

References (9)


* 이 정보는 Elsevier사의 SCOPUS DB에서 KISTI가 분석하여 추출한 것입니다.