Focused ion-beam implanted lateral field-effect transistors on bulk silicon

Journal of Applied Physics

Volumn 82, Issue 9, 1997, Pages 4616-4620

  Crell, C ^a   Friedrich, S ^a   Schreiber, H U ^a   Wieck, A D ^a  

^a RUHR UNIVERSITY BOCHUM   (Germany)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0344050411     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.366199     Document Type: Article

References (15)

1. A. D. Wieck and K. Ploog, Appl. Phys. Lett. 56, 928 (1990).
2. A. D. Wieck and K. Ploog, Appl. Phys. Lett. 61, 1048 (1992).
3. Y. Hirayama, Appl. Phys. Lett. 61, 1667 (1992).
4. D. Többen, D. K. de Vries, A. D. Wieck, M. Holzmann, G. Abstreiter, and F. Schäffler, Appl. Phys. Lett. 67, 1579 (1995).
5. C. Crell, K. Wieczorek, H.-U. Schreiber, and A. D. Wieck, Appl. Phys. Lett. 68, 2538 (1996).
6. M. Holzmann, P. Baumgartner, C. Engel, J. F. Nützel, and G. Abstreiter, Appl. Phys. Lett. 68, 3025 (1996).
7. P. Baumgartner, K. Brunner, G. Abstreiter, G. Böhm, G. Tränkle, and G. Weimann, Appl. Phys. Lett. 64, 592 (1994).
8. P. M. Campbell, E. S. Snow, and P. S. McMarr, Appl. Phys. Lett. 66, 1388 (1995).
9. J. Nieder, A. D. Wieck, P. Grambow, H. Lage, D. Heitmann, and K. v. Klitzing, Appl. Phys. Lett. 57, 2695 (1990).
10. J. F. Ziegler and J. P. Biersack, TRIM, version 92.00.
11. S. M. Sze, Physics of Semiconductor Devices, 2nd ed. (Wiley, New York, 1981), p. 78.
12. K. D. Cummings, L. R. Harriott, G. C. Chi, and F. W. Ostermayer, Jr., Proc. SPIE 632, 93 (1986).
13. T. Bever, G. Jäger-Waldau, M. Eckberg, E. T. Heyen, H. Lage, A. D. Wieck, and K. Ploog, J. Appl. Phys. 72, 1858 (1992).
14. D. K. de Vries, P. Stelmaszyk, and A. D. Wieck, J. Appl. Phys. 79, 8087 (1996).
15. D. K. de Vries, Ph.D. thesis, Ruhr-Universität Bochum, 1995.