Band bending and field penetration on surfaces of ultrawide band gap semiconductors: Diamond and aluminum nitride

Journal of Applied Physics

Volumn 83, Issue 8, 1998, Pages 4303-4308

  Lin, L T Steven ^a   Liou, Yung ^a  

^a INSTITUTE OF PHYSICS   (Taiwan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0343616533     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.367190     Document Type: Article

References (37)

1. R. L. Bell, Negative Electron Affinity Devices (Clarendon, Oxford, 1973).
2. R. U. Martinelli and D. G. Fisher, Proc. IEEE 62, 1339 (1974).
3. F. J. Himpsel, J. A. Knapp, J. A. VanVechten, and D. E. Eastman, Phys. Rev. B 20, 624 (1979).
4. J. van der Weide, Z. Zhang, P. K. Baumann, M. G. Wensell, J. Bernholc, and R. J. Nemanich, Phys. Rev. B 50, 5803 (1994).
5. C. Bandis and B. B. Pate, Phys. Rev. B 52, 12 056 (1995).
6. M. C. Benjamin, C. Wang, R. F. Davis, and R. J. Nemanich, Appl. Phys. Lett. 64, 3288 (1994).
7. M. J. Powers, M. C. Benjamin, L. M. Porter, R. J. Nemanich, R. F. Davis, J. J. Cuomo, G. L. Doll, and S. J. Harris, Appl. Phys. Lett. 67, 3912 (1995).
8. M. W. Geis, J. C. Twichell, J. Macaulay, and K. Okano, Appl. Phys. Lett. 67, 1328 (1995).
9. M. W. Geis, J. C. Twinchell, N. N. Efremow, K. Krohn, and T. M. Lyszczarz, Appl. Phys. Lett. 68, 2294 (1996).
10. J. W. Glsener and A. A. Morrish, Appl. Phys. Lett. 69, 785 (1996).
11. R. W. Pryor, Appl. Phys. Lett. 68, 1802 (1996).
12. W. Zhu, G. P. Kochanski, S. Jin, and L. Seibles, J. Vac. Sci. Technol. B 14, 2011 (1996).
13. C. Wang, A. Garcia, D. C. Ingram, M. Lake, and M. E. Kordesch, Electron. Lett. 27, 1459 (1991).
14. N. S. Xu, Y. Tzeng, and R. V. Latham, J. Phys. D: Appl. Phys. 26, 1776 (1993).
15. O. Groning, O. M. Kuttel, E. Schaller, P. Groning, and L. Schlapbach, Appl. Phys. Lett. 69, 476 (1996).
16. F. Y. Chuang, C. Y. Sun, T. T. Chen, and I. N. Lin, Appl. Phys. Lett. 69, 3504 (1996).
17. J. R. Arthur, Jr., J. Appl. Phys. 36, 3221 (1965).
18. G. N. Fursey and N. V. Egorov, Phys. Status Solidi 32, 23 (1969).
19. L. M. Baskin, O. I. Lvov, and G. N. Fursey, Phys. Status Solidi B 47, 49 (1971).
20. L.-T. S. Lin, Y. Liou, Y. M, Poon, T. Sung, F. R. Chen, and L. C. Chen, presented in Diamond 97, Edinburgh, Scotland, UK, 3-8 August, 1997 (unpublished).
21. R. Seiwatz and M. Green, J. Appl. Phys. 29, 1034 (1958).
22. T. T. Tsong, Surf. Sci. 81, 28 (1979).
23. G. C. Dousmanis and R. C. Duncan, Jr., J. Appl. Phys. 29, 1627 (1958).
24. D. R. Lide, Handbook of Chemistry and Physics, 73rd ed. (Chemical Rubber, Boca Raton, 1992).
25. S. M. Sze, Semiconductor Devices, Physics and Technology (Wiley, New York, 1985).
26. J. E. Field, The Properties of Natural and Synthetic Diamond (Academic, New York, 1992).
27. W. A. Mackie, J. E. Plumlee, and A. E. Bell, J. Vac. Sci. Technol. B 14, 2041 (1996).
28. R. G. Farrer, Solid State Commun. 7, 685 (1969).
29. B. V. Spitsyn, L. L. Bouilov, and B. V. Derjaguin, J. Cryst. Growth 52, 219 (1981).
30. F. Nava, C. Canali, C. Jocoboni, L. Reggiani, and S. F. Kozlov, Solid State Commun. 33, 475 (1980).
31. Y.-N. Xu and W. Y. Ching, Phys. Rev. B 48, 4335 (1993).
32. J. Pelletier, D. Gervais, and C. Pomot, J. Appl. Phys. 55, 994 (1984).
33. F. Malengreau, M. Vermeersch, S. Hagege, R. Sporken, M. D. Lange, and R. Caudano, J. Mater. Res. 12, 175 (1997).
34. L.-T. S. Lin and Y. Liou (unpublished).
35. V. M. Bermudez, T. M. Jung, K. Doverspike, and A. E. Wickenden, J. Appl. Phys. 79, 110 (1996).
36. C. Bandis and B. B. Pate, Appl. Phys. Lett. 69, 366 (1996).
37. H. Kawarada, H. Sasaki, and A. Sato, Phys. Rev. B 52, 11 351 (1995).