Control of double diffusion front unintentionally penetrated from a Zn doped InP layer during metalorganic vapor phase epitaxy

Journal of Applied Physics

Volumn 84, Issue 8, 1998, Pages 4239-4247

  Otsuka, N ^a,c   Kito, M ^a,b   Ishino, M ^a,b   Matsui, Y ^a,b   Toujou, F ^b  

^a PANASONIC CORPORATION   (Japan)

^b Matsushita Technoresearch Inc   (Japan)

^c Telecommunications Advancement Organization of Japan   (Japan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0342495479     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.368696     Document Type: Article

References (49)

1. A. W. Nelson and L. D. Westbrook, J. Cryst. Growth 68, 102 (1984).
2. M. Glade, J. Hergeth, D. Grützmacher, K. Masseli, and P. Balk, J. Cryst. Growth 108, 449 (1991).
3. C. L. Reynolds, JR., V. Swaminathan, M. Geva, L. E. Smith, and L. C. Luther, J. Electron. Mater. 24, 747 (1995).
4. N. Otsuka, M. Ishino, and Y. Matsui, J. Appl. Phys. 80, 1405 (1996).
5. L. L. Chang and H. C. Casey, Jr., Solid-State Electron. 7, 481 (1964).
6. M. Wada, M. Seko, K. Sakakibara, and Y. Sekiguchi, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 28, L1700 (1989).
7. C. Kazmierski, D. Robein, and Y. Gao, J. Cryst. Growth 116, 75 (1992).
8. K. Kurishima, T. Kobayashi, and U. Gösele, Appl. Phys. Lett. 60, 2496 (1992).
9. D. Wittorf, A. Rucki, W. Jäger, R. H. Dixon, K. Urban, H.-G. Hettwer, N. A. Stolwijk, and H. Mehrer, J. Appl. Phys. 77, 2843 (1995).
10. M. Glade, J. Hergeth, M. Stollenwerk, D. Grützmacher, and P. Balk, Inst. Phys. Conf. Ser. 112, 579 (1990).
11. U. Bangert, A. J. Harvey, A. R. Goodwin, and A. T. R. Briggs, Phys. Status Solidi A 137, 351 (1993).
12. N. Otsuka, M. Kito, Y. Mori, M. Ishino, and Y. Matsui, J. Cryst. Growth 145, 866 (1994).
13. S. N. G. Chu, R. A. Logan, D. L. Coblentz, and A. M. Sergant, Appl. Phys. Lett. 65, 2377 (1994).
14. B. C. de Cooman, C. W. T. Bulle-Lieuwma, J. A. de Poorter, and W. Nijman, J. Appl. Phys. 67, 3919 (1990).
15. R. L. Longini, Solid-State Electron. 5, 127 (1962).
16. L. R. Weisberg and J. Blanc, Phys. Rev. 131, 1548 (1963).
17. B. Tuck and A. Hooper, J. Phys. D 8, 1806 (1975).
18. G. Dlubek, O. Brümmer, F. Plazaola, P. Hautojärivi, and K. Naukkarinen, Appl. Phys. Lett. 46, 1136 (1985).
19. U. Gösele and F. Morehead, J. Appl. Phys. 52, 4617 (1981).
20. K. Nakashima, Y. Kawaguchi, Y. Kawamura, Y. Imamura, and H. Asahi, Appl. Phys. Lett. 52, 1383 (1988).
21. H.-H. Park, B. K. Kang, E. S. Nam, Y. T. Lee, J. H. Kim, and O'D. Kwon, Appl. Phys. Lett. 55, 1768 (1989).
22. K. H. Lee, H.-H. Park, and D. A. Stevenson, J. Appl. Phys. 65, 1048 (1989).
23. G. J. van Gurp, W. M. van de Wijgert, G. M. Fontijin, and P. J. A. Thijs, J. Appl. Phys. 67, 2919 (1990).
24. D. G. Deppe, Appl. Phys. Lett. 56, 370 (1990).
25. R. M. Cohen, Mater. Sci. Eng., R. 20, 167 (1997); W. M. Li, R. M. Cohen, D. S. Simons, and P. H. Chi, Appl. Phys. Lett. 70, 3392 (1997).
26. R. M. Cohen, Mater. Sci. Eng., R. 20, 167 (1997); W. M. Li, R. M. Cohen, D. S. Simons, and P. H. Chi, Appl. Phys. Lett. 70, 3392 (1997).
27. T. Kobayashi, K. Kurishima, and U. Gösele, J. Cryst. Growth 146, 533 (1995).
28. N. Cao, B. B. Elenkrig, J. G. Simmons, D. A. Thompson, and N. Puetz, Appl. Phys. Lett. 70, 3419 (1997).
29. S. Yuan, Y. Kim, H. H. Tan, C. Jagadish, P. T. Burke, L. V. Dao, M. Gel, M. C. Y. Chan, E. H. Li, J. Zou, D. Q. Cai, D. J. H. Cockayne, and R. M. Cohen, J. Appl. Phys. 83, 1305 (1998).
30. A. W. Nelson and L. D. Westbrook, J. Appl. Phys. 55, 3103 (1984).
31. C. Kazmierski, J. Appl. Phys. 64, 6573 (1988).
32. A. Molassioti, F. Scholz, and Y. Gao, J. Cryst. Growth 102, 974 (1990).
33. S. Chichibu, M. Kushibe, K. Eguchi, M. Funemizu, and Y. Ohba, J. Appl. Phys. 68, 859 (1990).
34. E. D. Towe and T. J. Zamerowski, J. Electron. Mater. 11, 957 (1982).
35. G. J. van Gurp, D. L. A. Tjaden, G. M. Fontijn, and P. R. Boudewijn, J. Appl. Phys. 64, 3468 (1988).
36. M. Wada, K. Izumi, and K. Sakakibara, Appl. Phys. Lett. 71, 900 (1997).
37. H. B. Serreze and H. S. Marek, Appl. Phys. Lett. 49, 210 (1986).
38. G. J. van Gurp, T. van Dongen, G. M. Fontijn, J. M. Jacobs, and D. L. A. Tjaden, J. Appl. Phys. 65, 553 (1989).
39. D. Bimberg, A. Dadgar, R. Heitz, A. Knecht, A. Krost, M. Kuttler, H. Scheffler, A. Näser, B. Srocka, T. Wolf, T. Zinke, J. Y. Hyeon, S. Wernik, and H. Schumann, J. Cryst. Growth 145, 455 (1994).
40. U. König, H. Haspeklo, P. Marschall, and M. Kuisl, J. Appl. Phys. 65, 548 (1989).
41. M. Yamada, P. K. Tien, R. J. Martin, R. E. Nahory, and A. A. Ballman, Appl. Phys. Lett. 43, 594 (1983).
42. K. Kazmierski and B. de Cremoux, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 24, 239 (1985).
43. K. B. Kahen, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 163, 681 (1990).
44. C-C.D. Wong and R. H. Bube, J. Appl. Phys. 55, 3804 (1984).
45. J. Wisser, M. Glade, H. J. Schmidt, and K. Heime, J. Appl. Phys. 71, 3234 (1992).
46. A. Borghesi, G. Guizzetti, M. Patrini, A. Caligiore, R. C. Chen, and S. Pellegrino, J. Appl. Phys. 74, 2445 (1993).
47. L. Y. Chan, K. M. Yu, M. Ben-Tzur, E. E. Haller, J. M. Jaklevic, W. Walukiewicz, and C. M. Hanson, J. Appl. Phys. 69, 2998 (1991).
48. S. Mahajan, W. A. Bonner, A. K. Chin, and D. C. Miller, Appl. Phys. Lett. 35, 165 (1979).
49. R. S. Williams, P. A. Barnes, and L. C. Feldman, Appl. Phys. Lett. 36, 760 (1980).