Self-organized growth and optical emission of silicon-based nanoscale β-SiC quantum dots

Journal of Applied Physics

Volumn 94, Issue 8, 2003, Pages 5247-5251

  Wu, X L ^a   Gu, Y ^a   Xiong, S J ^a   Zhu, J M ^a   Huang, G S ^a   Bao, X M ^a   Siu, G G ^b  

^a NANJING UNIVERSITY   (China)

^b CITY UNIVERSITY OF HONG KONG   (Hong Kong)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ENERGY GAP; NANOSTRUCTURED MATERIALS; PARAMAGNETIC RESONANCE; PHOTOLUMINESCENCE; SEMICONDUCTOR GROWTH; SILICA; SILICON CARBIDE; SURFACE STRUCTURE;

OPTICAL EMISSION;

SEMICONDUCTOR QUANTUM DOTS;

EID: 0242335615     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1609642     Document Type: Article

References (26)

1. See, for example, a review report, A. G. Cullis, L. T. Canham, and P. D. J. Calcott, J. Appl. Phys. 82, 909 (1997).
2. L. S. Liao, X. M. Bao, Z. F. Yang, and N. B. Min, Appl. Phys. Lett. 66, 2382 (1995).
3. X. L. Wu, G. G. Siu, M. J. Storkes, D. L. Fan, Y. Gu, and X. M. Bao, Appl. Phys. Lett. 77, 1292 (2000).
4. J. S. Shor, L. Bemis, A. D. Kurtz, I. Grimberg, B. Z. Weiss, M. F. Mac-Millian, and W. J. Choyke, J. Appl. Phys. 76, 4045 (1994).
5. T. Matsumoto, J. Takahashi, T. Tamaki, T. Futagi, and Y. Kenemitsu, Appl. Phys. Lett. 64, 226 (1994).
6. V. Petrova-Koch, O. Sreseli, G. Polisski, D. Kovalev, T. Muschik, and F. Koch, Thin Solid Films 255, 107 (1995).
7. A. O. Konstantinov, A. Henry, C. I. Harris, and E. Janzen, Appl. Phys. Lett. 66, 2250 (1995).
8. X. L. Wu, S. J. Xiong, D. L. Fan, Y. Gu, X. M. Bao, G. G. Siu, and M. J. Storkes, Phys. Rev. B 62, R7759 (2000).
9. F. J. Grunthaner, P. J. Grunthaner, R. P. Vasquez, B. F. Lewis, and J. Maserjian, Phys. Rev. Lett. 43, 1683 (1979).
10. D. N. Belton, S. J. Harris, S. J. Schmieg, A. M. Weier, and T. A. Perry, Appl. Phys. Lett. 54, 416 (1989).
11. B. R. Stoner, G. H. M. Ma, S. D. Wolter, and J. T. Glass, Phys. Rev. B 45, 11067 (1992).
12. S. Akhter, K. Allan, D. Buchanan, T. A. Cook, A. Campion, and J. M. White, Appl. Surf. Sci. 35, 241 (1988).
13. M. V. Wolkin, J. Jorne, P. M. Fauchet, G. Allan, and C. Delerue, Phys. Rev. Lett. 82, 197 (1999).
14. W. A. Nevin, H. Yamagishi, M. Yamaguchi, and Y. Tawada, Nature (London) 368, 529 (1994).
15. Y. Kanemitsu, H. Uto, and Y. Masumoto, Phys. Rev. B 48, 2238 (1994).
16. Y. H. Xie, W. L. Wilson, F. M. Ross, J. A. Mucha, E. A. Fitzgerald, J. M. Macaulay, and T. D. Harris, J. Appl. Phys. 71, 2403 (1992).
17. F. Koch and V. Petrova-Koch, in Porous Silicon, edited by Z. C. Feng and R. Tsu (World Scientific, Singapore, 1994), p. 133.
18. X. L. Wu, G. G. Siu, S. Tong, Y. Gu, X. N. Liu, X. M. Bao, S. S. Jiang, and D. Feng, Phys. Rev. B 57, 9945 (1998).
19. S. M. Prokes, W. E. Carlos, S. Veprek, and C. Ossadnik, Phys. Rev. B 58, 15632 (1998); W. E. Carlos and S. M. Prokes, J. Vac. Sci. Technol. B 13, 1653 (1995).
20. S. M. Prokes, W. E. Carlos, S. Veprek, and C. Ossadnik, Phys. Rev. B 58, 15632 (1998); W. E. Carlos and S. M. Prokes, J. Vac. Sci. Technol. B 13, 1653 (1995).
21. H. Z. Song and X. M. Bao, Phys. Rev. B 55, 6988 (1998).
22. M. Fujii, M. Yoshida, Y. Kanzawa, S. Hayashi, and K. Yamamoto, Appl. Phys. Lett. 71, 1198 (1997).
23. J. Lin, A. Tsukune, M. Yamada, G. Q. Yao, and G. G. Qin, Phys. Rev. B 57, R2045 (1998).
24. L. Pavesi, L. Dalnegro, C. Mazzoleni, G. Franzo, and F. Priolo, Nature (London) 408, 440 (2000).
25. L. Heikla, T. Kusela, and H. T. Hedman, J. Appl. Phys. 89, 2179 (2001).
26. P. Vogl, H. P. Hjalmarson, and D. J. Dow, J. Phys. Chem. Solids 44, 365 (1983).