Mobility spectrum approach in the analysis of the electrical conduction of a GaAs layer grown by molecular beam epitaxy

Journal of Applied Physics

Volumn 82, Issue 12, 1997, Pages 6102-6106

  Reginski K ^a,b   Marczewski, J ^b   Dziuba, Z ^a   Grodzicka, E ^a  

^a INSTITUTE OF PHYSICS   (Poland)

^b Department of Micro and Nanotechnology of Wide Bandgap Semiconductors   (Poland)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ALGORITHMS; ELECTRIC CONDUCTIVITY MEASUREMENT; MAGNETIC FIELD EFFECTS; MOLECULAR BEAM EPITAXY; NUMERICAL ANALYSIS; SEMICONDUCTING GALLIUM ARSENIDE; SEMICONDUCTOR GROWTH; SPECTRUM ANALYSIS;

ELECTRICAL CONDUCTION DENSITY; MOBILITY SPECTRUM; SHEET CONDUCTIVITY TENSOR;

ELECTRIC CONDUCTIVITY OF SOLIDS;

EID: 0142015701     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.366481     Document Type: Article

References (25)

1. J. R. Meyer, C. A. Hoffman, F. J. Bartoli, D. A. Arnold, S. Sivananthan, and J. P. Faurie, Semicond. Sci. Technol. 8, 805 (1993); J. S. Kim, D. G. Seiler, and W. F. Tseng, J. Appl. Phys. 73, 8324 (1993).
2. J. R. Meyer, C. A. Hoffman, F. J. Bartoli, D. A. Arnold, S. Sivananthan, and J. P. Faurie, Semicond. Sci. Technol. 8, 805 (1993); J. S. Kim, D. G. Seiler, and W. F. Tseng, J. Appl. Phys. 73, 8324 (1993).
3. W. A. Beck and J. R. Anderson, J. Appl. Phys. 62, 541 (1987).
4. J. Antoszewski, D. J. Seymour, L. Farone, J. R. Mayer, and C. A. Hoffman, J. Electron. Mater. 24, 1255 (1995); W. A. Back, F. Crowne, J. R. Anderson, M. Górska, and Z. Dziuba, J. Vac. Sci. Technol. A 6, 2772 (1988); J. R. Meyer, C. A. Hoffman, F. J. Bartoli, F. J. Perez, J. M. Furneaux, J. E. Wagner, R. J. Kostner, and M. W. Goodwin, ibid. 6, 2775 (1988); C. A. Hoffman, J. R. Meyer, F. J. Bartoli, Y. Lansari, J. W. Cook, Jr., and J. F. Schetzina, Phys. Rev. B 40, 3867 (1989); J. R. Meyer, C. A. Hoffman, F. J. Bartoli, J. Antoszewski, L. Faraone, S. P. Tobin, P. W. Norton, C. K. Ard, D. J. Reese, L. Colombo, and P. K. Liao, J. Electron. Mater. 25, 1157 (1996); J. Antoszewski and L. Faraone, Proc. SPIE Proceedings of Infrared Technology XXI, 1995 146-157; J. Antoszewski, J. M. Dell, L. Faraone, L. S. Tan, A. Raman, S. J. Chua, D. S. Holmes, J. R. Lindemuth, and J. R. Meyer, J. Mater. Sci. 44, 65 (1997); F. Mahoukou, O. Dos Santos, C. Fau, S. Charar, M. Averous, and Z. Gołacki, Phys. Status Solidi B 195, 511 (1996); Z. Dziuba, J. Antoszweksi, J. M. Dell, L. Faraone, P. Kozodoy, S. Keller, B. Keller, S. P. DenBaars, and U. K. Mishra, J. Appl. Phys. 82, 2996 (1997).
5. J. Antoszewski, D. J. Seymour, L. Farone, J. R. Mayer, and C. A. Hoffman, J. Electron. Mater. 24, 1255 (1995); W. A. Back, F. Crowne, J. R. Anderson, M. Górska, and Z. Dziuba, J. Vac. Sci. Technol. A 6, 2772 (1988); J. R. Meyer, C. A. Hoffman, F. J. Bartoli, F. J. Perez, J. M. Furneaux, J. E. Wagner, R. J. Kostner, and M. W. Goodwin, ibid. 6, 2775 (1988); C. A. Hoffman, J. R. Meyer, F. J. Bartoli, Y. Lansari, J. W. Cook, Jr., and J. F. Schetzina, Phys. Rev. B 40, 3867 (1989); J. R. Meyer, C. A. Hoffman, F. J. Bartoli, J. Antoszewski, L. Faraone, S. P. Tobin, P. W. Norton, C. K. Ard, D. J. Reese, L. Colombo, and P. K. Liao, J. Electron. Mater. 25, 1157 (1996); J. Antoszewski and L. Faraone, Proc. SPIE Proceedings of Infrared Technology XXI, 1995 146-157; J. Antoszewski, J. M. Dell, L. Faraone, L. S. Tan, A. Raman, S. J. Chua, D. S. Holmes, J. R. Lindemuth, and J. R. Meyer, J. Mater. Sci. 44, 65 (1997); F. Mahoukou, O. Dos Santos, C. Fau, S. Charar, M. Averous, and Z. Gołacki, Phys. Status Solidi B 195, 511 (1996); Z. Dziuba, J. Antoszweksi, J. M. Dell, L. Faraone, P. Kozodoy, S. Keller, B. Keller, S. P. DenBaars, and U. K. Mishra, J. Appl. Phys. 82, 2996 (1997).
6. J. Antoszewski, D. J. Seymour, L. Farone, J. R. Mayer, and C. A. Hoffman, J. Electron. Mater. 24, 1255 (1995); W. A. Back, F. Crowne, J. R. Anderson, M. Górska, and Z. Dziuba, J. Vac. Sci. Technol. A 6, 2772 (1988); J. R. Meyer, C. A. Hoffman, F. J. Bartoli, F. J. Perez, J. M. Furneaux, J. E. Wagner, R. J. Kostner, and M. W. Goodwin, ibid. 6, 2775 (1988); C. A. Hoffman, J. R. Meyer, F. J. Bartoli, Y. Lansari, J. W. Cook, Jr., and J. F. Schetzina, Phys. Rev. B 40, 3867 (1989); J. R. Meyer, C. A. Hoffman, F. J. Bartoli, J. Antoszewski, L. Faraone, S. P. Tobin, P. W. Norton, C. K. Ard, D. J. Reese, L. Colombo, and P. K. Liao, J. Electron. Mater. 25, 1157 (1996); J. Antoszewski and L. Faraone, Proc. SPIE Proceedings of Infrared Technology XXI, 1995 146-157; J. Antoszewski, J. M. Dell, L. Faraone, L. S. Tan, A. Raman, S. J. Chua, D. S. Holmes, J. R. Lindemuth, and J. R. Meyer, J. Mater. Sci. 44, 65 (1997); F. Mahoukou, O. Dos Santos, C. Fau, S. Charar, M. Averous, and Z. Gołacki, Phys. Status Solidi B 195, 511 (1996); Z. Dziuba, J. Antoszweksi, J. M. Dell, L. Faraone, P. Kozodoy, S. Keller, B. Keller, S. P. DenBaars, and U. K. Mishra, J. Appl. Phys. 82, 2996 (1997).
7. J. Antoszewski, D. J. Seymour, L. Farone, J. R. Mayer, and C. A. Hoffman, J. Electron. Mater. 24, 1255 (1995); W. A. Back, F. Crowne, J. R. Anderson, M. Górska, and Z. Dziuba, J. Vac. Sci. Technol. A 6, 2772 (1988); J. R. Meyer, C. A. Hoffman, F. J. Bartoli, F. J. Perez, J. M. Furneaux, J. E. Wagner, R. J. Kostner, and M. W. Goodwin, ibid. 6, 2775 (1988); C. A. Hoffman, J. R. Meyer, F. J. Bartoli, Y. Lansari, J. W. Cook, Jr., and J. F. Schetzina, Phys. Rev. B 40, 3867 (1989); J. R. Meyer, C. A. Hoffman, F. J. Bartoli, J. Antoszewski, L. Faraone, S. P. Tobin, P. W. Norton, C. K. Ard, D. J. Reese, L. Colombo, and P. K. Liao, J. Electron. Mater. 25, 1157 (1996); J. Antoszewski and L. Faraone, Proc. SPIE Proceedings of Infrared Technology XXI, 1995 146-157; J. Antoszewski, J. M. Dell, L. Faraone, L. S. Tan, A. Raman, S. J. Chua, D. S. Holmes, J. R. Lindemuth, and J. R. Meyer, J. Mater. Sci. 44, 65 (1997); F. Mahoukou, O. Dos Santos, C. Fau, S. Charar, M. Averous, and Z. Gołacki, Phys. Status Solidi B 195, 511 (1996); Z. Dziuba, J. Antoszweksi, J. M. Dell, L. Faraone, P. Kozodoy, S. Keller, B. Keller, S. P. DenBaars, and U. K. Mishra, J. Appl. Phys. 82, 2996 (1997).
8. J. Antoszewski, D. J. Seymour, L. Farone, J. R. Mayer, and C. A. Hoffman, J. Electron. Mater. 24, 1255 (1995); W. A. Back, F. Crowne, J. R. Anderson, M. Górska, and Z. Dziuba, J. Vac. Sci. Technol. A 6, 2772 (1988); J. R. Meyer, C. A. Hoffman, F. J. Bartoli, F. J. Perez, J. M. Furneaux, J. E. Wagner, R. J. Kostner, and M. W. Goodwin, ibid. 6, 2775 (1988); C. A. Hoffman, J. R. Meyer, F. J. Bartoli, Y. Lansari, J. W. Cook, Jr., and J. F. Schetzina, Phys. Rev. B 40, 3867 (1989); J. R. Meyer, C. A. Hoffman, F. J. Bartoli, J. Antoszewski, L. Faraone, S. P. Tobin, P. W. Norton, C. K. Ard, D. J. Reese, L. Colombo, and P. K. Liao, J. Electron. Mater. 25, 1157 (1996); J. Antoszewski and L. Faraone, Proc. SPIE Proceedings of Infrared Technology XXI, 1995 146-157; J. Antoszewski, J. M. Dell, L. Faraone, L. S. Tan, A. Raman, S. J. Chua, D. S. Holmes, J. R. Lindemuth, and J. R. Meyer, J. Mater. Sci. 44, 65 (1997); F. Mahoukou, O. Dos Santos, C. Fau, S. Charar, M. Averous, and Z. Gołacki, Phys. Status Solidi B 195, 511 (1996); Z. Dziuba, J. Antoszweksi, J. M. Dell, L. Faraone, P. Kozodoy, S. Keller, B. Keller, S. P. DenBaars, and U. K. Mishra, J. Appl. Phys. 82, 2996 (1997).
9. J. Antoszewski, D. J. Seymour, L. Farone, J. R. Mayer, and C. A. Hoffman, J. Electron. Mater. 24, 1255 (1995); W. A. Back, F. Crowne, J. R. Anderson, M. Górska, and Z. Dziuba, J. Vac. Sci. Technol. A 6, 2772 (1988); J. R. Meyer, C. A. Hoffman, F. J. Bartoli, F. J. Perez, J. M. Furneaux, J. E. Wagner, R. J. Kostner, and M. W. Goodwin, ibid. 6, 2775 (1988); C. A. Hoffman, J. R. Meyer, F. J. Bartoli, Y. Lansari, J. W. Cook, Jr., and J. F. Schetzina, Phys. Rev. B 40, 3867 (1989); J. R. Meyer, C. A. Hoffman, F. J. Bartoli, J. Antoszewski, L. Faraone, S. P. Tobin, P. W. Norton, C. K. Ard, D. J. Reese, L. Colombo, and P. K. Liao, J. Electron. Mater. 25, 1157 (1996); J. Antoszewski and L. Faraone, Proc. SPIE Proceedings of Infrared Technology XXI, 1995 146-157; J. Antoszewski, J. M. Dell, L. Faraone, L. S. Tan, A. Raman, S. J. Chua, D. S. Holmes, J. R. Lindemuth, and J. R. Meyer, J. Mater. Sci. 44, 65 (1997); F. Mahoukou, O. Dos Santos, C. Fau, S. Charar, M. Averous, and Z. Gołacki, Phys. Status Solidi B 195, 511 (1996); Z. Dziuba, J. Antoszweksi, J. M. Dell, L. Faraone, P. Kozodoy, S. Keller, B. Keller, S. P. DenBaars, and U. K. Mishra, J. Appl. Phys. 82, 2996 (1997).
10. J. Antoszewski, D. J. Seymour, L. Farone, J. R. Mayer, and C. A. Hoffman, J. Electron. Mater. 24, 1255 (1995); W. A. Back, F. Crowne, J. R. Anderson, M. Górska, and Z. Dziuba, J. Vac. Sci. Technol. A 6, 2772 (1988); J. R. Meyer, C. A. Hoffman, F. J. Bartoli, F. J. Perez, J. M. Furneaux, J. E. Wagner, R. J. Kostner, and M. W. Goodwin, ibid. 6, 2775 (1988); C. A. Hoffman, J. R. Meyer, F. J. Bartoli, Y. Lansari, J. W. Cook, Jr., and J. F. Schetzina, Phys. Rev. B 40, 3867 (1989); J. R. Meyer, C. A. Hoffman, F. J. Bartoli, J. Antoszewski, L. Faraone, S. P. Tobin, P. W. Norton, C. K. Ard, D. J. Reese, L. Colombo, and P. K. Liao, J. Electron. Mater. 25, 1157 (1996); J. Antoszewski and L. Faraone, Proc. SPIE Proceedings of Infrared Technology XXI, 1995 146-157; J. Antoszewski, J. M. Dell, L. Faraone, L. S. Tan, A. Raman, S. J. Chua, D. S. Holmes, J. R. Lindemuth, and J. R. Meyer, J. Mater. Sci. 44, 65 (1997); F. Mahoukou, O. Dos Santos, C. Fau, S. Charar, M. Averous, and Z. Gołacki, Phys. Status Solidi B 195, 511 (1996); Z. Dziuba, J. Antoszweksi, J. M. Dell, L. Faraone, P. Kozodoy, S. Keller, B. Keller, S. P. DenBaars, and U. K. Mishra, J. Appl. Phys. 82, 2996 (1997).
11. J. Antoszewski, D. J. Seymour, L. Farone, J. R. Mayer, and C. A. Hoffman, J. Electron. Mater. 24, 1255 (1995); W. A. Back, F. Crowne, J. R. Anderson, M. Górska, and Z. Dziuba, J. Vac. Sci. Technol. A 6, 2772 (1988); J. R. Meyer, C. A. Hoffman, F. J. Bartoli, F. J. Perez, J. M. Furneaux, J. E. Wagner, R. J. Kostner, and M. W. Goodwin, ibid. 6, 2775 (1988); C. A. Hoffman, J. R. Meyer, F. J. Bartoli, Y. Lansari, J. W. Cook, Jr., and J. F. Schetzina, Phys. Rev. B 40, 3867 (1989); J. R. Meyer, C. A. Hoffman, F. J. Bartoli, J. Antoszewski, L. Faraone, S. P. Tobin, P. W. Norton, C. K. Ard, D. J. Reese, L. Colombo, and P. K. Liao, J. Electron. Mater. 25, 1157 (1996); J. Antoszewski and L. Faraone, Proc. SPIE Proceedings of Infrared Technology XXI, 1995 146-157; J. Antoszewski, J. M. Dell, L. Faraone, L. S. Tan, A. Raman, S. J. Chua, D. S. Holmes, J. R. Lindemuth, and J. R. Meyer, J. Mater. Sci. 44, 65 (1997); F. Mahoukou, O. Dos Santos, C. Fau, S. Charar, M. Averous, and Z. Gołacki, Phys. Status Solidi B 195, 511 (1996); Z. Dziuba, J. Antoszweksi, J. M. Dell, L. Faraone, P. Kozodoy, S. Keller, B. Keller, S. P. DenBaars, and U. K. Mishra, J. Appl. Phys. 82, 2996 (1997).
12. J. Antoszewski, D. J. Seymour, L. Farone, J. R. Mayer, and C. A. Hoffman, J. Electron. Mater. 24, 1255 (1995); W. A. Back, F. Crowne, J. R. Anderson, M. Górska, and Z. Dziuba, J. Vac. Sci. Technol. A 6, 2772 (1988); J. R. Meyer, C. A. Hoffman, F. J. Bartoli, F. J. Perez, J. M. Furneaux, J. E. Wagner, R. J. Kostner, and M. W. Goodwin, ibid. 6, 2775 (1988); C. A. Hoffman, J. R. Meyer, F. J. Bartoli, Y. Lansari, J. W. Cook, Jr., and J. F. Schetzina, Phys. Rev. B 40, 3867 (1989); J. R. Meyer, C. A. Hoffman, F. J. Bartoli, J. Antoszewski, L. Faraone, S. P. Tobin, P. W. Norton, C. K. Ard, D. J. Reese, L. Colombo, and P. K. Liao, J. Electron. Mater. 25, 1157 (1996); J. Antoszewski and L. Faraone, Proc. SPIE Proceedings of Infrared Technology XXI, 1995 146-157; J. Antoszewski, J. M. Dell, L. Faraone, L. S. Tan, A. Raman, S. J. Chua, D. S. Holmes, J. R. Lindemuth, and J. R. Meyer, J. Mater. Sci. 44, 65 (1997); F. Mahoukou, O. Dos Santos, C. Fau, S. Charar, M. Averous, and Z. Gołacki, Phys. Status Solidi B 195, 511 (1996); Z. Dziuba, J. Antoszweksi, J. M. Dell, L. Faraone, P. Kozodoy, S. Keller, B. Keller, S. P. DenBaars, and U. K. Mishra, J. Appl. Phys. 82, 2996 (1997).
13. Z. Dziuba, Acta Phys. Pol. 80, 827 (1991); Z. Dziuba and M. Górska, J. Phys. III 2, 99 (1992).
14. Z. Dziuba, Acta Phys. Pol. 80, 827 (1991); Z. Dziuba and M. Górska, J. Phys. III 2, 99 (1992).
15. Z. Dziuba, Phys. Status Solidi A 153, 445 (1996).
16. M. Kaniewska, K. Regiński, J. Kaniewski, J. Muszalski, L. Ornoch, J. Adamczewska, J. Marczewski, M. Bugajski, and E. Mizera. Acta Phys. Pol. 88, 775 (1995).
17. H. Künzel and K. Ploog, Appl. Phys. Lett. 37, 416 (1980); W. Lewandowski (unpublished data).
18. H. Künzel and K. Ploog, Appl. Phys. Lett. 37, 416 (1980); W. Lewandowski (unpublished data).
19. A. Chandra, C. E. C. Wood, and L. F. Eastman, Solid-State Electron. 22, 645 (1979).
20. Z. Dziuba and R. Kowalczyk, Phys. Status Solidi B 119, k11 (1983).
21. W. Walukiewicz, L. Lagowski, L. Jastrzebski, M. Lichtensteiger, and H. C. Gatos, J. Appl. Phys. 50, 899 (1979); 53, 769 (1982); A. Dargys and J. Kundratos, Handbook on Physical Properties of Ge, Si, GaAs, and InP (Science and Encyclopedia Publishers, Vilnius, 1994).
22. W. Walukiewicz, L. Lagowski, L. Jastrzebski, M. Lichtensteiger, and H. C. Gatos, J. Appl. Phys. 50, 899 (1979); 53, 769 (1982); A. Dargys and J. Kundratos, Handbook on Physical Properties of Ge, Si, GaAs, and InP (Science and Encyclopedia Publishers, Vilnius, 1994).
23. W. Walukiewicz, L. Lagowski, L. Jastrzebski, M. Lichtensteiger, and H. C. Gatos, J. Appl. Phys. 50, 899 (1979); 53, 769 (1982); A. Dargys and J. Kundratos, Handbook on Physical Properties of Ge, Si, GaAs, and InP (Science and Encyclopedia Publishers, Vilnius, 1994).
24. D. L. Kendall, in Semiconductors and Semimetals, edited by R. K. Willardson and A. C. Beer (Academic, New York, 1968), Vol. 4, p. 163.
25. Szamota-Sadowska, thesis, Institute of Physics Pol. Acad. Sci., Warsaw, 1994 (unpublished).