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Volumn 16, Issue 2, 1998, Pages 540-543

Maskless sub-μm patterning of silicon carbide using a focused ion beam in combination with wet chemical etching

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EID: 0042340129     PISSN: 10711023     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1116/1.589859     Document Type: Article
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References (15)


* 이 정보는 Elsevier사의 SCOPUS DB에서 KISTI가 분석하여 추출한 것입니다.