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Volumn 36, Issue 3 SUPPL. B, 1997, Pages 1896-1899

GaInAs/AlGaInAs semiconductor lasers with AlAs oxide current confinement structure

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AlAs oxide current confinement; AlGaInAs; MOCVD; MQW; VCSEL

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EID: 0041381963 PISSN: 00214922 EISSN: None Source Type: Journal
DOI: 10.1143/jjap.36.1896 Document Type: Article

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* 이 정보는 Elsevier사의 SCOPUS DB에서 KISTI가 분석하여 추출한 것입니다.