Band gap and heterojunction discontinuities of pseudomorphic Si1-x-yGexCy alloy layers on Si(001)

Journal of Applied Physics

Volumn 84, Issue 4, 1998, Pages 2165-2169

  Wu, Liqing ^a   Huang, Meichun ^a,b   Zhu, Zizhong ^a   Li, Kaihang ^a  

^a XIAMEN UNIVERSITY   (China)

^b CCAST WORLD LABORATORY   (China)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0041075015     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.368278     Document Type: Article

References (21)

1. P. Boucaud, C. Guedj, D. Bouchier, F. H. Julien, J. M. Louritioz, S. Bodnar, J. L. Regolini, and E. Finkman, J. Cryst. Growth 157, 410 (1995).
2. H. J. Osten, E. Bugiel, and P. Zaumseil, Appl. Phys. Lett. 64, 3440 (1994).
3. W. Kissinger, H. J. Osten, M. Weidner, and M. Eichler, J. Appl. Phys. 79, 3016 (1996).
4. B. Dietrich, H. J. Osten, H. Rucker, M. Methfessel, and P. Zaumseil, Phys. Rev. B 49, 17 185 (1994).
5. J. J. Xie, K. M. Zhang, and X. D. Xie, J. Appl. Phys. 77, 3868 (1995).
6. R. A. Soref, J. Appl. Phys. 70, 2470 (1991).
7. J. Kolodzey, P. R. Berger, B. A. Orner, D. Hits, F. Chen, A. Khan, X. Shao, M. M. Wait, S. Ismat Shah, C. P. Swann, and K. M. Unruh, J. Cryst. Growth 157, 386 (1995).
8. P. Boucaud, C. Francis, F. H. Julien, J. M. Lourtioz, D. Bouchier, S. Bodnar, B. Lambert, and J. L. Regolini, Appl. Phys. Lett. 64, 875 (1994).
9. B. A. Orner, J. Olowolafe, K. Roe, J. Kolodzey, T. Laursen, J. W. Mayer, and J. Spear, Appl. Phys. Lett. 69, 2557 (1996).
10. A. S. Amour, C. W. Liu, J. C. Sturm, Y. Lacroix, and M. L. W. Thewalt, Appl. Phys. Lett. 67, 3915 (1995).
11. B. A. Orner, D. Hits, J. Kolodzey, F. J. Guarin, A. R. Powell, and S. S. Lyer, J. Appl. Phys. 79, 8656 (1996).
12. J. Menendez, P. Gopalan, G. S. Spencer, N. Cave, and J. W. Strane, Appl. Phys. Lett. 66, 1160 1995).
13. A. A. Demkov and O. F. Sankey, Phys. Rev. B 48, 2207 (1993).
14. J. Kolodzey, P. A. O. Neil, S. Zhang, B. A. Orner, K. Roe, K. M. Unruh, C. P. Swann, M. M. Waite, and S. Lsmat Shah, Appl. Phys. Lett. 67, 1865 (1995).
15. W. Kissinger, M. Weidner, H. J. Osten, and M. Eichler, Appl. Phys. Lett. 65, 3356 (1994).
16. G. D. Shen, B. W. Rang, and J. X. Chen, in Strained SiGe/Si Heterostrutcture High Speed Electron Devices and Integrated Circuit (Informational Field Office of Chinese Scientific Committee and 863 photoelectric subject specialists, 1992), p. 52.
17. S. H. Ke, R. Z. Wang, and M. C. Huang, Physica B 215, 389 (1995).
18. S. S. Iyer, G. L. Patton, J. M. C. Stork, B. S. Meyerson, and D. L. Harame, IEEE Trans. Electron Devices ED-36, 2043 (1989).
19. F. H. Pollak and M. Cardona, Phys. Rev. 172, 816 (1968).
20. C. G. Van de Walle and R. M. Martin, Phys. Rev. B 34, 5621 (1986).
21. G. P. Schwartz, M. S. Hybertsen, J. Berk, R. G. Nuzzo, J. P. Mannaerts, and G. J. Gualtieri, Phys. Rev. B 39, 1235 (1989).