Electronic transport in a type-II GalnAsSb/p-InAs heterojunction with different doping levels of the solid solution

Semiconductors

Volumn 31, Issue 8, 1997, Pages 763-767

  Voronina, T I ^a   Lagunova, T S ^a   Mikhailova M P ^a   Moiseev, K D ^a   Sipovskaya, M A ^a   Yakovlev, Yu P ^a  

^a IOFFE INSTITUTE   (Russian Federation)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0040574235     PISSN: 10637826     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1134/1.1187244     Document Type: Article

References (22)

1. A. N. Baranov, B. E. Dzhurtanov, A. N. Imenkov, A. A. Rogachev, Yu. M. Shernyakov, and Yu. P. Yakovlev, Fiz. Tekh. Poluprovodn. 20, 2217 (1986) [Sov. Phys. Semicond. 20, 1385 (1986)].
2. A. N. Baranov, B. E. Dzhurtanov, A. N. Imenkov, A. A. Rogachev, Yu. M. Shernyakov, and Yu. P. Yakovlev, Fiz. Tekh. Poluprovodn. 20, 2217 (1986) [Sov. Phys. Semicond. 20, 1385 (1986)].
3. H. K. Choi, S. L. Eglash, and G. W. Turner, Appl. Phys. Lett. 64, 2474 (1994).
4. M. P. Mikhaǐlova, G. G. Zegrya, K. D. Moiseev, O. G. Ergakov, and Yu. P. Yakovlev, Pis'ma Zh. Tekh. Fiz. 21, 83 (1995) [Tech. Phys. Lett. 21, 482 (1995)].
5. M. P. Mikhaǐlova, G. G. Zegrya, K. D. Moiseev, O. G. Ergakov, and Yu. P. Yakovlev, Pis'ma Zh. Tekh. Fiz. 21, 83 (1995) [Tech. Phys. Lett. 21, 482 (1995)].
6. Yu. P. Yakovlev, A. N. Baranov, A. N. Imenkov, and M. P. Mikhailova, SPIE 1510, 120 (1991).
7. I. A. Andreev, A. N. Baranov, M. P. Mikhaǐlova, K. D. Moiseev, A. V. Pentrsov, Yu. P. Smorchkova, V. V. Sherstnev, and Yu. P. Yakovlev, Pis'ma Zh. Tekh. Fiz. 18, 50 (1992) [Sov. Tech. Phys. Lett. 18, 630 (1992)].
8. I. A. Andreev, A. N. Baranov, M. P. Mikhaǐlova, K. D. Moiseev, A. V. Pentrsov, Yu. P. Smorchkova, V. V. Sherstnev, and Yu. P. Yakovlev, Pis'ma Zh. Tekh. Fiz. 18, 50 (1992) [Sov. Tech. Phys. Lett. 18, 630 (1992)].
9. A. M. Prokhorov and A. I. Nadezinskiy, SPIE 1724, 2 (1992).
10. M. P. Mikhailova and A. N. Titkov, Semicond. Sci. Technol. 9, 1279 (1994).
11. T. I. Voronina, T. S. Lagunova, M. P. Mikhaǐlova, M. A. Sipovskaya, V. V. Sherstnev, and Yu. P. Yakovlev, Fiz. Tekh. Poluprovodn. 25, 276 (1991) [Sov. Phys. Semicond. 25, 167 (1991)].
12. T. I. Voronina, T. S. Lagunova, M. P. Mikhaǐlova, M. A. Sipovskaya, V. V. Sherstnev, and Yu. P. Yakovlev, Fiz. Tekh. Poluprovodn. 25, 276 (1991) [Sov. Phys. Semicond. 25, 167 (1991)].
13. T. I. Voronina, T. S. Lagunova, M. P. Mikhaǐlova, K. D. Moiseev, and Yu.P. Yakovlev, Fiz. Tekh. Poluprovodn. 30, 985 (1996) [Semiconductors 30, 523 (1996)].
14. T. I. Voronina, T. S. Lagunova, M. P. Mikhaǐlova, K. D. Moiseev, and Yu.P. Yakovlev, Fiz. Tekh. Poluprovodn. 30, 985 (1996) [Semiconductors 30, 523 (1996)].
15. T. I. Voronina, T. S. Lagunova, M. P. Mikhaǐlova, K. D. Moiseev, S. A. Obukhov, A. V. Anikundinov, A. N. Titkov, and Yu. P. Yakovlev in Abstracts of Reports at the 2nd Russian Conference on Semiconductor Physics [in Russian], St. Peterssburg, 1996, Vol. 2, p. 158.
16. M. P. Mikhaǐlova, I. A. Andreev, T. I. Voronina, T. S. Lagunova, K. D. Moiseev, and Yu. P. Yakovlev, Fiz. Tekh. Poluprovodn. 29, 678 (1995) [Semiconductors 29, 353 (1995)].
17. M. P. Mikhaǐlova, I. A. Andreev, T. I. Voronina, T. S. Lagunova, K. D. Moiseev, and Yu. P. Yakovlev, Fiz. Tekh. Poluprovodn. 29, 678 (1995) [Semiconductors 29, 353 (1995)].
18. A. N. Baranov, A. N. Imenkov, M. P. Mikhailova, A. A. Rogachev, and Yu. P. Yakovlev, Superlat. Microstruct., 8, 375 (1990).
19. T. I. Voronina, B. E. Dzhurtanov, T. S. Lagunova, and Yu. P. Yakovleva, Fiz. Tekh. Poluprovodn. 25, 283 (1991) [Sov. Phys. Semicond. 25, 171 (1991)].
20. T. I. Voronina, B. E. Dzhurtanov, T. S. Lagunova, and Yu. P. Yakovleva, Fiz. Tekh. Poluprovodn. 25, 283 (1991) [Sov. Phys. Semicond. 25, 171 (1991)].
21. C. A. Hoffman, J. R. Meyer, E. R. Youngdall, F. J. Bartoli, R. H. Miles, and L. R. Ram Mohan, Solid-State Electron. 37, 1203 (1994).
22. I. M. Grodnenskiǐ, K. V. Starostin, and D. V. Galchenkov, JETP Lett. 43, 70 (1986).