High carrier mobility in p-type GalnAsSb/p-InAs heterostructures

Semiconductors

Volumn 30, Issue 6, 1996, Pages 523-526

  Voronina, T I ^a   Lagunova, T S ^a   Mikhailova M P ^a   Moiseev, K D ^a   Yakovlev, Yu P ^a  

^a IOFFE INSTITUTE   (Russian Federation)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0000243164     PISSN: 10637826     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: None     Document Type: Article

References (17)

1. A. É. Bochkarev, V. N. Gul'gazov, L. M. Dolginov, and A. A. Semin, Izv. Akad. Nauk SSSR, Neorg. Mater. 23, 1610 (1987).
2. R. Sankaran and G. A. Antypas, J. Cryst. Growth 36, 198 (1976).
3. Yu. P. Yakovlev, A. N. Baranov, A. N. Imenkov, and M. P. Mikhailova, SPIE, No. 1510, 120 (1991).
4. Yu. P. Yakovlev, A. N. Baranov, A. N. Imenkov, A. A. Popov, and V. V. Sherstnev, J. de Phys. IV Suppl. C4; J. de Phys. III 4, C4 (1994).
5. Yu. P. Yakovlev, A. N. Baranov, A. N. Imenkov, A. A. Popov, and V. V. Sherstnev, J. de Phys. IV Suppl. C4; J. de Phys. III 4, C4 (1994).
6. I. A. Andreev, M. A. Afrailov, V. G. Danil'chenko, M. A. Mirsagatov, M. P. Mikhaǐlova, and Yu. P. Yakovlev, Pis'ma Zh. Tekh. Phys. 12, 1311 (1986) [Sov. Tech. Phys. Lett. 12, 542 (1986)].
7. I. A. Andreev, M. A. Afrailov, V. G. Danil'chenko, M. A. Mirsagatov, M. P. Mikhaǐlova, and Yu. P. Yakovlev, Pis'ma Zh. Tekh. Phys. 12, 1311 (1986) [Sov. Tech. Phys. Lett. 12, 542 (1986)].
8. A. N. Baranov, A. N. Imenkov, M. P. Mikhailova, A. A. Rogachev, and Yu. P. Yakovlev, Superlat. and Microstruct. 8, 375 (1990).
9. M. P. Mikhaǐlova, I. A. Andreev, T. I. Voronina, T. S. Lagunova, K. D. Moiseev, and Yu. P. Yakovlev, Fiz. Tekh. Poluprovodn. 29, 678 (1995) [Semiconductors 29, 353 (1995)].
10. M. P. Mikhaǐlova, I. A. Andreev, T. I. Voronina, T. S. Lagunova, K. D. Moiseev, and Yu. P. Yakovlev, Fiz. Tekh. Poluprovodn. 29, 678 (1995) [Semiconductors 29, 353 (1995)].
11. M. P. Mikhailova and N. N. Titkov, Semicond. Sci. Tech. 9, 1279 (1994).
12. A. N. Baranov, T. I. Voronina, T. S. Lagunova, I. N. Timchenko, Z. I. Chugueva, V. V. Sherstnev, and Yu. P. Yakovlev, Fiz. Tekh. Poluprovodn. 23, 780 (1989) [Sov. Phys. Semicond. 23, 490 (1989)].
13. A. N. Baranov, T. I. Voronina, T. S. Lagunova, I. N. Timchenko, Z. I. Chugueva, V. V. Sherstnev, and Yu. P. Yakovlev, Fiz. Tekh. Poluprovodn. 23, 780 (1989) [Sov. Phys. Semicond. 23, 490 (1989)].
14. M. P. Mikhaǐlova, G. G. Zegrya, K. D. Moiseev, I. N. Timchenko, and Yu. P. Yakovlev, Fiz. Tekh. Poluprovodn. 29, 687 (1995) [Semiconductors 29, 357 (1995)].
15. M. P. Mikhaǐlova, G. G. Zegrya, K. D. Moiseev, I. N. Timchenko, and Yu. P. Yakovlev, Fiz. Tekh. Poluprovodn. 29, 687 (1995) [Semiconductors 29, 357 (1995)].
16. A. N. Baranov, T. I. Voronina, A. N. Dakhno, B. E. Dzhurtanov, T. S. Lagunova, M. A. Sipovskaya, and Yu. P. Yakovlev, Fiz. Tekh. Poluprovodn. 24, 1072 (1990) [Sov. Phys. Semiconductors 24, 676 (1990)].
17. A. N. Baranov, T. I. Voronina, A. N. Dakhno, B. E. Dzhurtanov, T. S. Lagunova, M. A. Sipovskaya, and Yu. P. Yakovlev, Fiz. Tekh. Poluprovodn. 24, 1072 (1990) [Sov. Phys. Semiconductors 24, 676 (1990)].