Homoepitaxial SiC growth by molecular beam epitaxy

Physica Status Solidi (B) Basic Research

Volumn 202, Issue 1, 1997, Pages 379-404

  Kern, R S ^a   Jarrendahl K ^c   Tanaka, S ^b   Davis, R F ^c  

^a Hewlett Packard Optoelectronics Div   (United States)

^b INST OF PHYS AND CHEMICAL RESEARCH   (Japan)

^c NONE

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0039918341     PISSN: 03701972     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1002/1521-3951(199707)202:1<379::AID-PSSB379>3.0.CO;2-2     Document Type: Article

References (76)

1. S. KANEDA, Y. SAKAMOTO, T. MIHARA, and T. TANAKA, J. crystal Growth 81, 536 (1987).
2. A. FISSEL, D. SCHRÖTER, and W. RICHTER, Appl. Phys. Lett. 66, 3182 (1995).
3. A. FISSEL, U. KAISER, E. DUCKE, B. SCHRÖTER, and W. RICHTER, J. Crystal Growth 154, 72 (1995).
4. A. FISSEL, U. KAISER, K. PFENNIGHAUS, E. DUCKE, B. SCHRÖTER, and W. RCIHTER, in: Silicon Carbide and Related Materials 1995, Proc. of the sixth International Conf. Kyoto. Japan, Sept. 18-21, 1995. Eds. S. NAKASHIMA, H. MATSUNAMI, S. YOSHIDA, and H. MARIMA (p. 21).
5. A. FISSEL, U. KAISER, K. PFENNIGHAUS, B. SCHRÖTER, and W. RICHTER, Appl. Phys. Lett. 68, 1204 (1996).
6. A. FISSEL, U. KAISER, K. PFENNIGHAUS, E. DUCKE, B. SCHRÖTER, and W. RICHTER, Inst. Phys. Conf. Ser. No. 142, 121 (1996).
7. T. FUYUKI, M. NAKAYAMA, T. YOSHINOBU, H. SHIOMI, and H. MATSUNAMI, J. Crystal Growth 95, 461 (1989).
8. T. FUYUKI, T. YOSHINOBU, and H. MATSUNAMI, Thin Solid Films 225, 225 (1993).
9. T. YOSHINOBU, M. NAKAYAMA, H. SHIOMI, T. FUYUKI, and H. MATSUNAMI, J. Crystal Growth 99, 520 (1990).
10. T. YOSHINOBU, H. MITSUI, I. IZUMIKAWA, T. FUYUKI, and H. MATSUNAMI, Appl. Phys. Lett. 60, 824 (1992).
11. L. B. ROWLAND, PhD Thesis, North Carolina State University, Raleigh (NC), 1992.
12. L. B. ROWLAND, R. S. KERN, S. TANAKA, and R. F. DAVIS, J. Mater. Res. 8, 2753 (1993).
13. S. TANAKA, PhD Thesis, North Carolina State University, Raleigh (NC), 1995.
14. S. TANAKA, R. S. KERN, and R. F. DAVIS, Appl. Phys. Lett. 65, 2851 (1994).
15. R. S. KERN, PhD Thesis, North Carolina State University, Raleigh (NC), 1996.
16. R. S. KERN, S. TANAKA, L. B. ROWLAND, and R. F. DAVIS, submitted to J. Crystal Growth.
17. R. S. KERN and R. F. DAVIS, to appear in Appl. Phys. Lett.
18. N. KURODA, K. SHIBAHARA, W. YOO, S. NISHINO, and H. MATSUNAMI, in: Extended Abstracts 19th Conf. Solid State Devices and Materials, 1987 (p. 227).
19. H. S. KONG, J. T. GLASS, and R. F. DAVIS, J. Appl. Phys. 64, 2672 (1988).
20. Y. C. WANG and R. F. DAVIS, J. Electronic Mater. 20, 869 (1991).
21. A. I. KINGON, L. J. LUTZ, P. LIAW, and R. F. DAVIS, J. Amer. Ceram. Soc. 66, 558 (1983).
22. M. I. CHAUDHRY and R. L. WRIGHT, J. Mater. Res. 5, 1595 (1990).
23. M. I. CHAUDHRY, R. J. MCCLUSKEY, and R. L. WRIGHT, J. Crystal. Growth 113, 120 (1991).
24. G. B. KRUAVAL and J. D. PARSONS, J. Electrochem. Soc. 141, 765 (1994).
25. J. D. PARSONS and G. B. KRUAVAL, J. Electrochem. Soc. 141, 771 (1994).
26. O. KORDINA, Linköping University, private communication.
27. A. REISMAN and M. BERKENBLIT, J. Electrochem. Soc. 113, 146 (1966).
28. S. KARMANN, C. HABERSTROH, F. ENGELBRECHT, W. SUTTROP, A. SCHÖNER, M. SCHADT, R. HELBIG, G. PENSL, R. A. STEIN, and S. LEIBENZEDER, Physica 185B, 75 (1993).
29. C. H. J. VAN DER BERKEL, Philips Res. Rep. 32, 118 (1977).
30. H. S. KONG, J. T. GLASS, and R. F. DAVIS, J. Mater. Res. 4, 204 (1989).
31. M. E. JONES and D. W. SHAW, in: Treatise on Solid State Chemistry, Ed. N. B. HANNEY, Plenum Press, New York 1975 (p. 283).
32. R. J. BUSS, P. HO, W. G. BREILAND, and M. E. COLTRIN, J. Appl. Phys. 63, 2808 (1987).
33. F. BOZSO, J. T. YATES, JR., W. J. CHOYKE, and L. MUEHLHOFF, J. Appl. Phys. 57, 2771 (1985).
34. V. M. BERMUDEZ and R. KAPLAN, Phys. Rev. B 44, 11149 (1991).
35. H. FROITZHEIM, U. KÖHLER, and H. LAMMERING, J. Phys. C 19, 2767 (1986).
36. T. YOSHINOBU, H. TSUDA, M. ONCHI, and M. NISHIJIMA, Solid State Commun. 60, 801 (1986).
37. T. YOSHINOBU, H. TSUDA, M. ONCHI, and M. NISHIJIMA, J. Chem. Phys. 87, 7332 (1987).
38. C. C. CHENG, R. M. WALLACE, P. A. TAYLOR, W. J. CHOYKE, and J. T. YATES, JR., J. Appl. Phys. 67, 3693 (1990).
39. P. BADZIAG, Phys. Rev. B 44, 11143 (1991).
40. J. M. POWERS, A. WANDER, P. J. ROUS, M. A. VAN HOVE, and G. A SOMORJAI, Phys. Rev. B 44, 11159 (1991).
41. B. I. CRAIG and P. V. SMITH, Surf. Sci. 276, 174 (1992).
42. M. N. PIANCASTELLI, M. K. KELLY, D. G. KILDAY, G. MARGARITONDO, D. J. FRANKEL, and G. J. LAPEYRE, Phys. Rev. B 35, 1461 (1987).
43. C. D. STINESPRING and J. C. WORMHOUDT, J. Appl. Phys. 65, 1377 (1989).
44. S. MOTOYAMA and S. KANEDA, Appl. Phys. Lett. 54, 242 (1989).
45. S. MOTOYAMA, N. MORIKAWA, M. NASU, and S. KANEDA, J. Appl. Phys. 68, 101 (1990).
46. T. HATAYAMA, Y. TARUI, T. FUYUKI, and H. MATSUNAMI, J. Crystal Growth 150, 934 (1995).
47. S. MOTOYAMA, N. MORIKAWA, and S. KANEDA, J. Crystal Growth 100, 615 (1990).
48. T. HATAYAMA, T. FUYUKI, and H. MATSUNAMI, Jpn. J. Appl. Phys. 34, L1117 (1995).
49. YU. M. TAIROV, Mater. Sci. Engng. B 29, 83 (1995).
50. R. F. RUTZ, U.S. Patent 3,577,285, May 4, 1971.
51. T. KIMOTO and H. MATSUNAMI, J. Appl. Phys. 76, 7322 (1994).
52. S. TANAKA and H. KOMIYAMA, J. Amer. Ceram. Soc. 73, 3046 (1990).
53. M. COPEL and R. M. TROMP, Appl. Phys. Lett. 58, 2648 (1991).
54. N. OHTANI, S. M. MOKLER, M. H. XIE, J. ZHANG, and B. A. JOYCE, Surf. Sci. 284, 305 (1993).
55. K. SUMITOMO, T. KOBYAHI, F. SHOJI, K. OURA, and I. KATAYAMA, Phys. Rev. Lett. 66, 1193 (1991).
56. A. SAKAI and T. TATSUMI, Appl. Phys. Lett. 64, 52 (1994).
57. M. D. ALLENDORF and D. A. OUTKA, Surf. Sci. 258, 177 (1991).
58. Y. KIM and D. R. OLANDER, Surf. Sci. 313, 399 (1994).
59. A. A. BURK, JR. and L. B. ROWLAND, J. Crystal Growth, to be published.
60. C. HALLIN, A. S. BAKIN, F. OWMAN, P. MÅRTENSSON, O. KORDINA, and E. JANZÉN, see [4] (p. 613).
61. A. A. BURK, JR., L. B. ROWLAND, A. K. AGARWAL, S. SRIRAM, R. C. GLASS, and C. D. BRANDT, see [4] (p. 201).
62. F. GENDRON, L. M. PORTER, C. PORTE, and E. BRINGUIER, Appl. Phys. Lett. 67, 1253 (1995).
63. B. CLERJAUD, F. GENDRON, C. PORTE, and W. WILKENING, Solid State Commun. 93, 463 (1995).
64. M. J. BOZACK, W. J. CHOYKE, L. MUEHLHOFF, and J. T. YATES, JR., J. Appl. Phys. 60, 3750 (1986).
65. M. J. BOZACK, P. A. TAYLOR, W. J. CHOYKE, and J. T. YATES, JR., Surf. Sci. 179, 132 (1987).
66. J. A. POWELL, D. J. LARKIN, L. G. MATUS, W. J. CHOYKE, J. L. BRADSHAW, L. HENDERSON, M. YOGANATHAN, J. YANG, and P. PIROUZ, Appl. Phys. Lett. 56, 1353 (1990).
67. J. A. POWELL, J. B. PETIT, J. H. EDGAR, I. G. JENKINS, L. G. MATUS, J. W. YANG, P. PIROUZ, W. J. CHOYKE, L. CLEMEN, and M. YOGANATHAN, Appl. Phys. Lett. 59, 333 (1991).
68. J. A. POWELL, D. J. LARKIN, J. B. PETIT, and J. H. EDGAR, in: Amorphous and Crystalline Silicon Carbide IV, Ed. C. Y. YANG, M. M. RAHMAN, and G. L. HARRIS, Springer-Verlag, Berlin 1992 (p. 23).
69. G. F. FROMENT and K. B. BISCHOFF, in: Chemical Reactor Analysis and Design, John Wiley & Sons, New York 1990.
70. T. KIMOTO, PhD Thesis, Kyoto University, Kyoto (Japan), 1995.
71. T. KIMOTO, H. NISHINO, A. YAMASHITA, W. S. YOO, and H. MATSUNAMI, see [68] (p. 31).
72. T. KIMOTO, A. YAMASHITA, A. ITOH, and H. MATSUNAMI, Jpn. J. Appl. Phys. 32, 1045 (1993).
73. D. J. LARKIN, S. G. SRIDHARA, R. P. DEVATY, and W. J. CHOYKE, J. Electronic Mater. 24, 289 (1995).
74. D. J. LARKIN, P. G. NEUDECK, J. A. POWELL, and L. G. MATUS, Appl. Phys. Lett. 65, 1659 (1994).
75. D. J. LARKIN, P. G. NEUDECK, J. A. POWELL, and L. G. MATUS, in: Silicon Carbide and Related Materials. Ed. M. G. SPENCER, R. P. DEVATY, J. A. EDMOND, M. A. KHAN, R. KAPLAN, and M. RAHMAN, Institute of Physics, Bristol 1994 (p. 51).
76. D. J. LARKIN, see [4] (p. 23).