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Volumn 23, Issue 5-6, 1998, Pages 733-742

Microwave plasma assisted CVD in the Si-C-H-Ar system : Effect of process parameters;Dépôts par plasma CVD micro-onde à partir de mélanges tétraméthylsilane argon: Influence des paramètres expérimentaux

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EID: 0038775826     PISSN: 01519107     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1016/s0151-9107(99)80020-8     Document Type: Article
Times cited : (4)

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* 이 정보는 Elsevier사의 SCOPUS DB에서 KISTI가 분석하여 추출한 것입니다.