Growth of HgCdTe and CdTe(331)B on germanium substrate by molecular beam epitaxy

Applied Physics Letters

Volumn 71, Issue 20, 1997, Pages 2984-2986

  Zanatta, J P ^a   Duvaut, P ^a   Ferret, P ^a   Million, A ^a   Destefanis, G ^a   Rambaud, P ^a   Vannuffel, C ^a  

^a CEA LETI   (France)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0038619642     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.120237     Document Type: Article

References (20)

1. J. Bajaj, J. M. Arias. M. Zandian, J. G. Pasko, L. J. Kolosky, R. E. DeWames, and W. E. Tennant, J. Electron. Mater. 24, 1067 (1995).
2. O. K. Wu, D. Rajavel, T. J. De Lyon, J. E. Jensen, S. M. Johnson, C. A. Cockrum, and G. M. Vensor, Proc. SPIE 2685, 16 (1996).
3. G. Destefanis and J. P. Chamonal, J. Electron. Mater. 22, 1017 (1993).
4. N. K. Dhar, M. Zandian, J. G. Pasko, J. M. Arias, and J. H. Dinan, Appl. Phys. Lett. 70, 1730 (1997).
5. J. P. Tower, S. P. Tobin, M. Kestigian, and P. W. Norton, A. B. Bollong, H. F. Schaake, and C. K. Ard, J. Electron. Mater. 24, 497 (1995).
6. R. Triboulet, A. Aoudia, and A. Lusson, J. Electron. Mater. 24, 1061 (1995).
7. S. Sen and J. E. Stannard, Prog. Cryst. Growth Charact. Mater. 29, 253 (1994).
8. G. T. Neugebauer, R. Shetty, C. K. Ard, R. A. Lancaster, and P. Norton, Proc. SPIE 2228, 2 (1994).
9. J. P. Faurie, L. A. Almmeida, Y. P. Chen, R. Sporken and S. Sivanathan, Proc. SPIE 2685, 28 (1996).
10. N. K. Dhar, P. R. Boyd. P. M. Amirtharaj, J. H. Dinan, and J. D. Benson, Proc. SPIE 2228, 44 (1994).
11. T. H. Myers, Y. Lo, R. N. Bicknell, and J. F. Schetzina, Appl. Phys. Lett. 42, 247 (1983).
12. R. F. C. Farrow, G. R. Jones, G. M. Willimas, and I. M. Young, Appl. Phys. Lett. 39, 954 (1981).
13. S. M. Johnson, T. J. De Lyon, C. A. Cockrum, W. J. Hamilton, T. Tung, F. I. Guesswein, B. A. Baumgratz, L. M. Ruzicka, O. K. Wu, and J. A. Roth, J. Electron. Mater. 24, 467 (1995).
14. N. Matsumura, T. Ohshima, J. Saraie, and Y. Yodogawa, J. Cryst. Growth 71, 361 (1985).
15. I. B. Bhat and Wen-Sheng Wang, Appl. Phys. Lett. 64, 566 (1994).
16. W. J. Everson, C. K. Ard, J. L. Sepich, B. E. Dean, G. T. Neugebauer, and H. F. Schaake, J. Electron. Mater. 24, 505 (1995).
17. A. Million, P. Ferret, J. P. Chamonal, G. L. Destefanis, P. Nicolas, and P. Bouchut, Proc. SPIE 2225, 237 (1994).
18. A. C. Chami, E. Ligeon, R. Danielou, and J. Fontenille, Appl. Phys. Lett. 52, 1502 (1988).
19. G. L. Destefanis, J. Cryst. Growth 86, 700 (1988).
20. G. L. Destefanis, Semicond. Sci. Technol. 6, C88 (1991).