Field emission from phosphorus-doped polycrystalline diamond films

Journal of Applied Physics

Volumn 86, Issue 8, 1999, Pages 4635-4642

  Sugino, Takashi ^a   Kuriyama, Kenji ^a   Kimura, Chiharu ^a   Yokota, Yuuko ^a   Kawasaki, Seiji ^a   Shirafuji, Junji ^a  

^a OSAKA UNIVERSITY   (Japan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0038443835     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.371414     Document Type: Article

References (30)

1. F. J. Himpsel, J. A. Knapp, J. A. van Vechten, and D. E. Eastman, Phys. Rev. B 20, 624 (1979).
2. B. B. Pate, Surf. Sci. 165, 83 (1986).
3. J. van der Weide, Z. Zhang, P. K. Baumann, M. G. Wensell, J. Bernholc, and R. J. Nemanich, Phys. Rev. B 50, 5803 (1994).
4. C. Wang, A. Garcia, D. C. Ingram, M. Lake, and M. E. Kordesch, Electron. Lett. 27, 1459 (1991).
5. N. S. Xu, R. V. Latham, and Y. Tzeng, Electron. Lett. 29, 1596 (1993).
6. K. Okano and K. K. Gleason, Electron. Lett. 31, 74 (1995).
7. K. Okano, T. Yamada, H. Ishihara, S. Koizumi, and J. Itoh, Appl. Phys. Lett. 70, 2201 (1997).
8. N. S. Xu, Y. Tzeng, and R. V. Latham, J. Phys. D 26, 1776 (1993).
9. Z. H. Huang, P. H. Cutler, N. M. Miskovsky, and T. E. Sullivan, Appl. Phys. Lett. 65, 2562 (1994).
10. M. W. Geis, J. C. Twichell, N. N. Efremow, K. Krohn, and T. M. Lyszczarz, Appl. Phys. Lett. 68, 2294 (1996).
11. M. W. Geis, J. C. Twichell, and T. M. Lyszczarz, J. Vac. Sci. Technol. B 14, 2060 (1996).
12. T. Sugino, Y. Iwasaki, S. Kawasaki, R. Hattori, and J. Shirafuji, Diamond Relat. Mater. 6, 889 (1997).
13. W. B. Choi, J. Liu, M. T. McClure, A. F. Myers, V. V. Zhimov, J. J. Cuomo, and J. J. Hren, J. Vac. Sci. Technol. B 14, 2050 (1996).
14. R. Schlesser, M. T. McClure, W. B. Choi, J. J. Hren, and Z. Sitar, Appl. Phys. Lett. 70, 1596 (1997).
15. C. Bandis and B. B. Pate, Appl. Phys. Lett. 69, 366 (1996).
16. W. Zhu, G. P. Kochanski, S. Jin, L. Seibles, D. C. Jacobson, M. McCormack, and A. E. White, Appl. Phys. Lett. 67, 1157 (1995).
17. W. Zhu, G. P. Kochanski, S. Jin, and L. Seibles, J. Appl. Phys. 78, 2707 (1995).
18. A. Wisitsora-at, W. P. Kang, J. L. Davidson, and D. V. Kerns, Appl. Phys. Lett. 71, 3394 (1997).
19. T. Sugino, S. Kawasaki, Y. Yokota, Y. Iwasaki, and J. Shirafuji, J. Vac. Sci. Technol. B 16, 720 (1998).
20. S. A. Kajihara, A. Antonelli, J. Bernholc, and R. Car, Phys. Rev. Lett. 66, 2010 (1991).
21. S. Koizumi, M. Kamo, Y. Sato, H. Ozaki, and T. Inuzuka, Appl. Phys. Lett. 71, 1065 (1997).
22. K. Karasutani, Y. Muto, T. Sugino, K. Kobashi, and J. Shirafuji, Technol. Rep. Osaka Univ. 43, 69 (1993).
23. K. Okano, H. Kiyota, T. Iwasaki, Y. Nakamura, Y. Akiba, T. Kurosu, M. Iida, and T. Nakamura, Appl. Phys. A: Mater. Sci. Process. 51, 344 (1990).
24. J. Shirafuji, Y. Sakamoto, A. Furukawa, H. Shigeta, and T. Sugino, Diamond Relat. Mater. 4, 984 (1995).
25. F. A. Padovani and R. Stratton, Solid-State Electron. 9, 695 (1966).
26. E. H. Rhoderick and R. H. Williams, Metal-Semiconductor Contacts, 2nd ed. (Clarendon Press, Oxford, 1988).
27. G. L. Pearson and J. Bardeen, Phys. Rev. 75, 865 (1949).
28. T. H. Borst and O. Weis, Diamond Relat. Mater. 4, 948 (1995).
29. R. Hattori, T. Sugino, and J. Shirafuji, Diamond Relat. Mater. 6, 884 (1997).
30. J. W. Glesener and A. A. Morrish, Appl. Phys. Lett. 69, 785 (1996).