Fabrication and characteristics of high-speed implant-confined index-guided lateral-current 850-nm vertical cavity surface-emitting lasers

Journal of Lightwave Technology

Volumn 21, Issue 4, 2003, Pages 1020-1031

  Dang, G T ^a   Mehandru, R ^a   Luo, B ^a   Ren, F ^a   Hobson, W S ^b   Lopata, J ^b   Tayahi, M ^c   Chu, S N G ^d   Pearton, S J ^a   Chang, W ^e   Shen, H ^e  

^a University of Florida   (United States)

^b Multiplex Inc   (United States)

^c LUCENT TECHNOLOGIES   (United States)

^d AGERE SYSTEMS   (United States)

^e U S ARMY RESEARCH LABORATORY   (United States)

Author keywords

850 nm vertical cavity surface emitting laser (VCSEL); Lateral current injection; Vertical cavity surface emitting laser (VCSEL) process integration

Indexed keywords

BANDWIDTH; BIT ERROR RATE; LIGHT MODULATION; SEMICONDUCTING GALLIUM ARSENIDE; THERMOANALYSIS;

SURFACE-EMITTING LASERS;

SEMICONDUCTOR QUANTUM WELLS;

EID: 0038155197     PISSN: 07338724     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1109/JLT.2003.810093     Document Type: Article

References (29)

1. K. L. Lear, A. Mai, K. D. Choquette, S. P. Kilcoyne, R. P. Schneider Jr, and K. M. Geib, Electron, Lett., vol. 32, no. 457, 1996.
2. B. J. Thibeault, K. Bertilsson, E. R. Hegblom, E. Strzelecka, P. D. Floyd, A. Naone, and L. A. Coldren, IEEE Photon. Tech. Lett., vol. 9, no. 11, 1997.
3. D. Weidermann, R. King, C. Fung, R. Jager, R. Michalzik, P. Schnitzer, M. Kicherer, and K. J. Ebeling, IEEE J. Select. Topics Quantum Electron., vol. 5, no. 503, 1999.
4. N. Hatori, A. Mizutani, N. Nishiyama, A. Matsutani, T. Sahaguchi, F. Motomura, F. Koyama, and K. Iga, IEEE Photon. Technol. Lett., vol. 10, no. 194, 1998.
5. B. Weige, M. Grabherr, C. Jung, R. Jager, G. R. Aeiner, R. Michalzek, D. Sowada, and K. J. Ebeling, IEEE J. Select. Topics Quantum Electron., vol. 4, no. 409, 1997.
6. K. D. Choquette, R. P. Schneider, K. L. Lear, and K. M. Geib, Electron. Lett., vol. 30, no. 2043, 1994.
7. L. A. Coldren, H. Temkin, and C. W. Wilmsen, Introduction to VCSEL's in Vertical Cavity Surface Emitting Lasers. Cambridge, U.K.: Cambridge Univ. Press, 1999.
8. K. L. Lear, V. M. Hietala, H. Q. Hou, M. Ochai, U. J. Sanas, B. E. Hammons, J. C. Zolper, and S. P. Kilcoyne, "Advances in VSCELs," Opt. Soc. Amer., vol. 15, no. 69, 1997.
9. D. L. Huffaker, D. G. Deppe, K. Kumar, and T. J. Rogers, Appl. Phys. Lett., vol. 65, no. 97, 1994.
10. D. V. Kulsenkov, H. Temkin, and S. Swirhum, Appl Phys. Lett., vol. 67, no. 2141, 1995.
11. K. D. Choquette, K. M. Geib, B. Roberds, H. Q. Hou, R. E. Twestea, and B. E. Hammons, Electron. Lett., vol. 34, no. 1404, 1998.
12. A. V. Krishnamoorthy, L. M. F. Chirovsky, W. S. Hobson, R. E. Leibenguth, S. P. Hui, G. J. Zydzik, K. W. Goosen, J. D. Wynn, B. T. Tseng, J. Lopata, J. A. Walker, J. E. Cunningham, and L. A. D'Asaro, IEEE Photon. Technol. Lett., vol. 11, no. 128, 1999.
13. L. M. F. Chirovsky, W. S. Hobson, R. E. Leibenguth, S. P. Hui, J. Lopata, G. J. Zydzik, G. Giaretta, K. W. Goossen, J. D. Wynn, A. V. Krishnamoorthy, B. T. Tseng, J. M. Vandenberg, and L. A. D'Asaro, IEEE Photon Technol. Lett., vol. 11, no. 500, 1999.
14. K. L. Lear, A. Mai, K. D. Choquette, S. P. Kilcoyne, R. P. Schneider Jr, and K. M. Geib, Electron. Lett., vol. 32, no. 457, 1996.
15. B. J. Thibeault, K. Bertilsson, E. R. Hegblom, E. Strzelecka, P. D. Floyd, A. Naone, and L. A. Coldren, IEEE Photon. Technol Lett., vol. 9, no. 11, 1997.
16. D. Weidermann, R. King, C. Fung, R. Jager, R. Michalzik, P. Schnitzer, M. Kicherer, and K. J. Ebeling, IEEE J. Select. Topics Quantum Electron., vol. 5, no. 503, 1999.
17. N. Hatori, A. Mizutani, N. Nishiyama, A. Matsutani, T. Sahaguchi, F. Motomura, F. Koyama, and K. Iga, IEEE Photon. Technol. Lett., vol. 10, no. 194, 1998.
18. B. Weige, M. Grabherr, C. Jung, R. Jager, G. R. Aeiner, R. Michalzek, D. Sowada, and K. J. Ebeling, IEEE J. Select. Topics Quantum Electron., vol. 4, no. 409, 1997.
19. L. M. F. Chirovsky, W. S. Hobson, R. E. Leibenguth, S. P. Hui, J. Lopata, G. J. Zydzik, G. Giaretta, K. W. Goossen, J. D. Wynn, A. V. Krishnamoorthy, B. J. Tseng, J. M. Vandenberg, and L. A. D'Asaro, IEEE Photon. Technol. Lett., vol. 11, no. 5, pp. 500-502, 1999.
20. F. Ren, A. B. Emerson, S. J. Pearton, T. R. Fullowan, and J. M. Brown, Appl. Phys. Lett., vol. 58, pp. 1030-1032, 1991.
21. J. W. Lee, S. J. Pearton, C. R. Abernathy, W. S. Hobson, F. Ren, and C. S. Wu, Solid-State Electron., vol. 38, pp. 1871-1874, 1995.
22. I. Ishida, S. Wako, and S. Ushio, Thin Solid Films, vol. 39, no. 227, 1976.
23. G. Stareev, Appl. Phys. Lett., vol. 62, p. 2801, 1993.
24. C. C. Han, X. Z. Wang, S. S. Lau, R. M. Potemski, M. A. Tischler, and T. F. Kuech, Appl. Phys. Lett., vol. 58, no. 1617, 1991.
25. C. C. Han, X. Z. Wang, S. S. Lau, R. M. Potemski, M. A. Tischler, and T. F. Kuech, J. Appl. Phys., vol. 69, no. 3124, 1991.
26. F. Ren, C. R. Abernathy, S. J. Pearton, and J. R. Lothian, J. Vacuum Soc. Technol. B, vol. 13, pp. 293-296, 1995.
27. Proc. Mater. Res. Soc. Symp., vol. 240, 1992.
28. G. Dang, H. Cho, K. P. Ip, S. J. Pearton, S. N. G. Chu, J. Lopata, W. S. Hobson, L. M. F. Chirovsky, and F. Ren, Device Series Resistance Calculations for Vertical-Cavity Surface-Emitting Lasers (VCSEL's), to be published.
29. R. Mehandru, G. Dang, S. Kim, F. Ren, W. S. Hobson, J. Lopata, S. J. Pearton, W. Chang, and H. Shen, Temperature Characteristics of 850 nm, Intra-Cavity Contacted, Shallow Implant-Apertured Vertical-Cavity Surface-Emitting Lasers, to be published.