High permittivity from defective multiwalled carbon nanotubes in the X-band

Advanced Materials

Volumn 15, Issue 7-8, 2003, Pages 600-603

  Watts, Paul C P ^a   Hsu, Wen Kuang ^a   Barnes, Alan ^b   Chambers, Barry ^b  

^a UNIVERSITY OF SUSSEX   (United Kingdom)

^b UNIVERSITY OF SHEFFIELD   (United Kingdom)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ADSORPTION; CRYSTAL LATTICES; ELECTROMAGNETIC SHIELDING; ELECTRON SPIN RESONANCE SPECTROSCOPY; ELECTRON TRANSITIONS; OXIDATION; PERMITTIVITY; SCANNING ELECTRON MICROSCOPY; THERMOGRAVIMETRIC ANALYSIS; TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY;

FREQUENCY PLASMONS; RADAR ABSORBING MATERIALS; X BAND;

CARBON NANOTUBES;

EID: 0037766180     PISSN: 09359648     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1002/adma.200304485     Document Type: Article

References (24)

1. M. F. Lin, D. S. Chuu, K. W. Shung, Phys. Rev. B 1997, 56, 1430.
2. C. A. Grimes, C. Mungle, D. Kouzoudis, S. Fang, P. C. Eklund, Chem. Phys. Lett. 2000, 319, 460.
3. V. V. Belavin, A. V. Okoyrub, L. G. Bulusheva, Phys. Solid State 2002, 44, 663.
4. M. Hughes, G. Z. Chen, M. Shaffer, D. J. Fray, A. H. Windle, Chem. Mater. 2002, 14, 1610.
5. P. M. Ajayan, O. Stephan, C. Colliex, D. Trauth, Science 1994, 265, 1212.
6. L. S. Schadler, S. C. Giannaris, P. M. Ajayan, Appl. Phys. Lett. 1998, 73, 3842.
7. H. G. Dai, E. W. Wong, C. M. Leiber, Science 1996, 272, 523.
8. J. Nygard, D. H. Cobden, P. E. Lindelof, Nature 2000, 408, 342.
9. J. Kong, E. Yenilmez, T. W. Tombler, W. Kim, H. G. Dai, R. B. Laughin, L. Liu, C. S. Jayanthi, S. Y. Wu, Phys. Rev. Lett. 2001, 87, 106 801.
10. M. Terrones, W. K. Hsu, S. Ramos, R. Castillo, H. Terrones, Fullerene Sci. Technol. 1998, 6, 787.
11. W. K. Hsu, S. Y. Chu, E. Munoz-Picone, J. L. Boldu, S. Firth, P. Franchi, B. P. Roberts, A. Schilder, H. Terrones, N. Grobert, Y. Q. Zhu, M. Terrones, M. E. McHenry, H. W. Kroto, D. R. M. Walton, Chem. Phys. Lett. 2000, 323, 572.
12. W. K. Hsu, T. Nakalima, Carbon 2002, 40, 462.
13. N. Grobert, W. K. Hsu, Y. Q. Zhu, J. P. Hare, H. W. Kroto, D. R. M. Walton, M. Terrones, H. Terrones, P. Redlich, M. Rühle, R. Escudero, F. Morales, Appl. Phys. Lett. 1999, 75, 3363.
14. F. Beuneu, C. I. Huillier, J. P. Salvetat, J. M. Bonard, L. Forro, Phys. Rev. B 1999, 59, 5945.
15. A. P. Ramirez, R. C. Haddon, O. Zhou, R. M. Fleming, J. Zhang, S. M. McClure, R. E. Smalley, Science 1994, 265, 84.
16. P. C. P. Watts, W. K. Hsu, unpublished.
17. D. L. Carrool, P. Redlich, X. Blasé, J. C. Charlier, S. Curran, P. M. Ajayan, S. Roth, M. Rühle, Phys. Rev. Lett. 1998, 81, 2332.
18. C. A. Grimes, E. C. Dickey, C. Mungle, K. G. Ong, D. Qian, J. Appl. Phys. 2001, 90, 4134.
19. S. Iijima, Nature 1991, 354, 56.
20. W. K. Hsu, S. Firth, P. Redlich, M. Terrones, H. Terrones, Y. Q. Zhu, R. J. H. Clark, H. W. Kroto, D. R. M. Walton, J. Mater. Chem. 2000, 10, 1425.
21. C. N. R. Rao, R. Sen, B. C. Satishkumar, A. Govindaraj, Chem. Commun. 1998, 1525.
22. P. C. P. Watts, W. K. Hsu, G. Z. Chen, D. J. Fray, H. W. Kroto, D. R. M. Walton, J. Mater. Chem. 2001, 11, 2482.
23. C. H. Poa, S. R. P. Silva, P. C. P. Watts, W. K. Hsu, H. W. Kroto, D. R. M. Walton, Appl. Phys. Lett. 2002, 80, 3189.
24. Hewlett Packard, Product Note 8510-3, August 1985.