Electronic structure of self-assembled InP/GaP quantum dots from high-pressure photoluminescence

Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics

Volumn 67, Issue 7, 2003, Pages 753061-753065

  Goni A R ^a   Kristukat, C ^a   Hatami, F ^b   Dressler S ^b   Masselink, W T ^b   Thomsen, C ^a  

^a TECHNISCHE UNIVERSITÄT BERLIN   (Germany)

^b HUMBOLDT UNIVERSITY   (Germany)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

GALLIUM; INDIUM; PHOSPHORUS;

ARTICLE; ELECTRON; ENERGY; HYDROSTATIC PRESSURE; LASER; MEASUREMENT; PHOTOLUMINESCENCE; QUANTUM MECHANICS; TEMPERATURE;

EID: 0037441230     PISSN: 01631829     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: None     Document Type: Article

References (27)

1. Proceedings of the 25th International Conference on the Physics of Semiconductors, Osaka, Japan, 2000, edited by N. Miura and T. Ando (Springer, Berlin, 2001).
2. F. Hatami, W. T. Masselink, and L. Schrottke, Appl. Phys. Lett. 78, 2163 (2001); F. Hatami, W. T. Masselink, L. Schrottke, J. W. Tomm, C. Kristukat, and A. R. Goñi (unpublished).
3. F. Hatami, W. T. Masselink, and L. Schrottke, Appl. Phys. Lett. 78, 2163 (2001); F. Hatami, W. T. Masselink, L. Schrottke, J. W. Tomm, C. Kristukat, and A. R. Goñi (unpublished).
4. B. Junno, T. Junno, M. S. Miller, and L. Samuelson, Appl. Phys. Lett. 72, 954 (1998).
5. J. Ahopelto, A. A. Yamaguchi, K. Nishi, A. Usui, and H. Sakaki, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 32, L32 (1993); A. Kurtenbach, K. Eberl, and T. Shitara, Appl. Phys. Lett. 66, 361 (1995); F. Hatami, U. Müller, H. Kissel, K. Braune, R.-P. Blum, S. Rogaschewski, H. Niehus, H. Kirmse, W. Neumann, M. Schmidbauer, R. Köhler, and W. T. Masselink, J. Cryst. Growth 216, 26 (2000).
6. J. Ahopelto, A. A. Yamaguchi, K. Nishi, A. Usui, and H. Sakaki, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 32, L32 (1993); A. Kurtenbach, K. Eberl, and T. Shitara, Appl. Phys. Lett. 66, 361 (1995); F. Hatami, U. Müller, H. Kissel, K. Braune, R.-P. Blum, S. Rogaschewski, H. Niehus, H. Kirmse, W. Neumann, M. Schmidbauer, R. Köhler, and W. T. Masselink, J. Cryst. Growth 216, 26 (2000).
7. J. Ahopelto, A. A. Yamaguchi, K. Nishi, A. Usui, and H. Sakaki, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 32, L32 (1993); A. Kurtenbach, K. Eberl, and T. Shitara, Appl. Phys. Lett. 66, 361 (1995); F. Hatami, U. Müller, H. Kissel, K. Braune, R.-P. Blum, S. Rogaschewski, H. Niehus, H. Kirmse, W. Neumann, M. Schmidbauer, R. Köhler, and W. T. Masselink, J. Cryst. Growth 216, 26 (2000).
8. F. Hatami, G. Mussler, M. Schmidbauer, W. T. Masselink, L. Schrottke, H.-Y. Hao, and H. T. Grahn, Appl. Phys. Lett. 79, 2886 (2001).
9. C. Ulrich, S. Ves, A. R. Gonĩ, A. Kurtenbach, K. Syassen, and K. Eberl, Phys. Rev. B 52, 12 212 (1995).
10. A. R. Goñi and K. Syassen, Semicond. Semimetals 54, 247 (1998).
11. I. E. Itskevich, M. S. Skolnick, D. J. Mowbray, I. A. Trojan, S. G. Liapin, L. R. Wilson, M. J. Steer, M. Hopkinson, L. Eaves, and P. C. Main, Phys. Rev. B 60, R2185 (1999); Phys. Status Solidi B 211, 73 (1999).
12. I. E. Itskevich, M. S. Skolnick, D. J. Mowbray, I. A. Trojan, S. G. Liapin, L. R. Wilson, M. J. Steer, M. Hopkinson, L. Eaves, and P. C. Main, Phys. Rev. B 60, R2185 (1999); Phys. Status Solidi B 211, 73 (1999).
13. D. J. Wolford, T. E Keuch, J. A. Bradley, M. A. Gell, D. Ninno, and M. Jaros, J. Vac. Sci. Technol. B 4, 1043 (1986).
14. J. Chen, J. R. Sites, I. L. Spain, M. J. Hafich, and G. Y. Robinson, Appl. Phys. Lett. 58, 744 (1991).
15. G. H. Li, A. R. Goñi, C. Abraham, K. Syassen, P. V. Santos, A. Cantarero, O. Brandt, and K. Ploog, Phys. Rev. B 50, 1575 (1994); A. R. Goñi, A. Cantarero, H. Scheel, S. Reich, C. Thomsen, P. V. Santos, F. Heinrichsdorff, and D. Bimberg. Solid State Commun. 116, 121 (2000).
16. G. H. Li, A. R. Goñi, C. Abraham, K. Syassen, P. V. Santos, A. Cantarero, O. Brandt, and K. Ploog, Phys. Rev. B 50, 1575 (1994); A. R. Goñi, A. Cantarero, H. Scheel, S. Reich, C. Thomsen, P. V. Santos, F. Heinrichsdorff, and D. Bimberg. Solid State Commun. 116, 121 (2000).
17. G. H. Li, A. R. Goñi, K. Syassen, H. Q. Hou, W. Feng, and J. M. Zhou, Phys. Rev. B 54, 13 820 (1996).
18. Y Foulon and C. Priester, Phys. Rev. B 45, 6259 (1992).
19. F. J. Manjón, A. R. Goñi, K. Syassen, F. Heinrichsdorff, and C. Thomsen, Phys. Status Solidi B 235, 496 (2003).
20. G. J. Piermarini, S. Block, J. D. Barnett, and R. A. Forman, J. Appl. Phys. 46, 2774 (1975).
21. H. K. Mao, J. Xu, and P. M. Bell, J. Geophys. Res. 91, 4673 (1986).
22. S. Buchsbaum, R. L. Mills, and D. Schiferl, J. Phys. Chem. 88, 2522 (1984).
23. Handbook Series on Semiconductor Parameters, edited by M. Levinstein, S. Rumyantsev, and M. Shur (World Scientific, London, 1999), Vols. 1 and 2.
24. A. R. Goñi, K. Syassen, K. Strössner, and M. Cardona, Phys. Rev. B 39, 3178 (1989).
25. I. Balslev, Phys. Rev. 143, 143 (1966); J. Phys. Soc. Jpn. 21, Suppl. 101 (1966).
26. I. Balslev, Phys. Rev. 143, 143 (1966); J. Phys. Soc. Jpn. 21, Suppl. 101 (1966).
27. G. Armelles, M. C. Muñoz, and M. I. Alonso, Phys. Rev. B 47, 16 299 (1993).