Homoepitaxial growth on nominally flat and stepped Cu(1 1 1) surfaces: Island nucleation in fcc sites vs. hcp stacking fault sites

Surface Science

Volumn 529, Issue 1-2, 2003, Pages 135-143

  Giesen, Margret ^a   Ibach, Harald ^a  

^a FORSCHUNGSZENTRUM JÜLICH   (Germany)

Author keywords

Copper; Epitaxy; Growth; Metallic surfaces; Nucleation; Scanning tunneling microscopy; Stepped single crystal surfaces; Surface defects

Indexed keywords

COPPER; CRYSTAL DEFECTS; NUCLEATION; SCANNING TUNNELING MICROSCOPY; SINGLE CRYSTALS;

SURFACE DEFECTS;

EPITAXIAL GROWTH;

EID: 0037376505     PISSN: 00396028     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1016/S0039-6028(03)00077-3     Document Type: Article

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