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Journal of Applied Physics

Volumn 91, Issue 8, 2002, Pages 5158-5162

Deep levels in strongly Si-compensated GaAs and AlGaAs

(2) Sato, Tadashige a Ishiwatari, Toshio a

a MITSUBISHI CHEMICAL CORPORATION (Japan)

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ALUMINUM GALLIUM ARSENIDE; COLOR CENTERS; DEEP LEVEL TRANSIENT SPECTROSCOPY; GALLIUM ARSENIDE; III-V SEMICONDUCTORS; SEMICONDUCTING GALLIUM; SEMICONDUCTOR ALLOYS;

AL CONTENT; DEEP-LEVELS; DX CENTERS; MOLE FRACTION; SI CONCENTRATION;

SILICON;

EID: 0037091506 PISSN: 00218979 EISSN: None Source Type: Journal
DOI: 10.1063/1.1462847 Document Type: Article

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* 이 정보는 Elsevier사의 SCOPUS DB에서 KISTI가 분석하여 추출한 것입니다.