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Volumn 40, Issue 6, 2002, Pages 637-643

Characteristics of p-type GaN films doped with isoelectronic indium atoms

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EID: 0036941155     PISSN: 05779073     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: None     Document Type: Article
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* 이 정보는 Elsevier사의 SCOPUS DB에서 KISTI가 분석하여 추출한 것입니다.