Backward switching phenomenon from field forced ferroelectric to antiferroelectric phases in antiferroelectric PbZrO3 thin films

Journal of Applied Physics

Volumn 89, Issue 8, 2001, Pages 4541-4547

  Bharadwaja, S S N ^a   Krupanidhi, S B ^a  

^a INDIAN INSTITUTE OF SCIENCE   (India)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0035871143     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1331659     Document Type: Article

References (27)

1. B. Jaffe, Proc. IRE 49, 1264 (1961).
2. D. Berlincourt, H. Jaffe, H. H. A. Krueger, and B. Jaffe, Appl. Phys. Lett. 3, 90 (1963).
3. K. Uchino and S. Nomura, Ferroelectrics 50, 191 (1983).
4. D. Berlincourt, H. H. A. Krueger, and B. Jaffe, J. Phys. Chem. Solids 25, 659 (1964).
5. C. J. Gaskey, K. R. Udayakumar, H. D. Chen, and L. E. Cross, J. Mater. Res. 10, 2764 (1995).
6. W. Y. Pan, C. Q. Dam, Q. M. Zhang, and L. E. Cross, J. Appl. Phys. 66, 6014 (1989).
7. B. Xu, N. G. Pai, Q.-M. Wang, and L. E. Cross, Integr. Ferroelectr. 22, 545 (1998).
8. J.-Fang Li, D. D. Viehlandf, T. Tani, C. D. E. Lakeman, and D. A. Payne, J. Appl. Phys. 75, 442 (1994).
9. R. C. Fyre, K. L. Tai, M. Y. Lau, and A. W. C. Lin, 1992 Proceedings of the IEEE Multi-Chip Module Conference, Santa Cruz, CA, 1992 p. 155.
10. B. K. Gilbert and W. L. Walters, Int. J. Microcircuits Electron. Packag. 15, 171 (1992).
11. M. T. Lanagan, J. H. Kim, Sei-Joo Jang, and R. E. Newnham, J. Am. Ceram. Soc. 71, 311 (1988).
12. K. Yamakawa, S. T. McKinstry, J. P. Dougherty, and S. B. Krupanidhi, Appl. Phys. Lett. 67, 2014 (1995).
13. K. K. Li, F. Wang, and G. H. Haertling, J. Mater. Sci. 30, 1386 (1995).
14. W. Y. Pan, W. Y. Gu, and L. E. Cross, Ferroelectrics 99, 185 (1989).
15. B. Xu, P. Moses, N. G. Pai, and L. E. Cross, Appl. Phys. Lett. 72, 593 (1998).
16. P. K. Larsen, G. L. M. Kampschoer, M. J. E. Ulenaers, G. A. C. M. Spierings, and R. Cuppens, Appl. Phys. Lett. 59, 611 (1991).
17. J. F. Scott, L. Kammerdiner, M. Parris, S. Traynor, V. Ottenbacher, A. Shawabkeh, and W. F. Oliver, J. Appl. Phys. 64, 787 (1988).
18. T. K. Song, S. Aggarwal, Y. Gallais, B. Nagaraj, R. Ramesh, and J. T. Evans, Jr., Appl. Phys. Lett. 73, 3366 (1998).
19. S. S. N. Bharadwaja and S. B. Krupanidhi, J. Appl. Phys. 86, 5862 (1999).
20. S. S. N. Bharadwaja and S. B. Krupanidhi, J. Appl. Phys. 88, 2072 (2000).
21. R. E. Newnham and S. T. McKinstry, Integr. Ferroelectr. 20, 1 (1998).
22. G. Shirane, E. Sawaguchi, and Y. Takagi, Phys. Rev. 84, 476 (1951).
23. P. K. Larsen, G. J. M. Dormans, D. J. Taylor, and P. J. V. Veldheven, J. Appl. Phys. 76, 2405 (1994).
24. A. K. Tagantsev, M. Landivar, E. Colla, K. G. Brooks, and N. Setter, Science and Technology of Electroceramic Thin Films, edited by O. Auciello and R. Waser (Kluwer Academic, the Netherlands, 1995), pp. 301-314.
25. P. Ayyub, S. Chattopdyay, R. Pinto, and M. S. Multani, Phys. Rev. B 57, R5559 (1998).
26. S. C. Hwang and G. Arlt, J. Appl. Phys. 87, 869 (2000).
27. J. F. M. Cillessen, M. W. J. Prins, and R. M. Wolf, Appl. Phys. Lett. 81, 2777 (1997).