X-ray diffraction analysis of a selectively grown InGaAsP epitaxial layer

Journal of Applied Physics

Volumn 90, Issue 7, 2001, Pages 3255-3262

  Nakashima, Kiichi ^a   Kawaguchi, Yoshihiro ^a  

^a NTT CORPORATION   (Japan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0035476365     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1396830     Document Type: Article

References (29)

1. T. Sasaki, Y. Sakata, N. Kida, M. Kitamura, and I. Mito, in Proceedings of the Optical Fiber Communication Conference '92, San Jose, CA (1992), p. 281.
2. M. Aoki, M. Suzuki, H. Sano, T. Kawano, T. Ido, T. Taniwatari, R. Uomi, and A. Takai, IEEE J. Quantum Electron. QE-29, 2088 (1993).
3. M. Aoki, M. Suzuki, T. Taniwatari, H. Sano, and T. Kawano, Microwave Opt. Technol. Lett. 7, 132 (1993).
4. O. Kayser, J. Cryst. Growth 107, 989 (1991).
5. E. J. Thrush, M. A. Gibbon, J. P. Stagg, C. G. Cureton, C. J. Jones, R. E. Mallard, A. G. Norman, and G. R. Booker, J. Cryst. Growth 124, 249 (1992).
6. Y. D. Galeuchet and P. Roentgen, J. Cryst. Growth 107, 147 (1991).
7. T. Sasaki, M. Kitamura, and I. Mito, J. Cryst. Growth 132, 435 (1993).
8. M. Suzuki, M. Aoki, T. Tsuchiya, and T. Taniwatari, J. Cryst. Growth 145, 249 (1994).
9. T. Fujii, M. Egawa, and S. Yamazaki, J. Cryst. Growth 146, 475 (1995): T. Fujii and M. Egawa, J. Appl. Phys. 78, 5373 (1995).
10. T. Fujii, M. Egawa, and S. Yamazaki, J. Cryst. Growth 146, 475 (1995): T. Fujii and M. Egawa, J. Appl. Phys. 78, 5373 (1995).
11. E. A. Fitzgerald, D. G. Ast. P. D. Kirchner, G. D. Pettit, and J. M. Woodall, J. Appl. Phys. 63, 693 (1988).
12. C. Herbeaux, J. Di Persio, and A. Lefebvre, Appl. Phys. Lett. 54, 1004 (1989).
13. K. Rajan and M. Denhoff, J. Appl. Phys. 62, 1710 (1987).
14. P. F. Fewster and N. L. Andrew, J. Appl. Phys. 74, 3121 (1994).
15. L. Tapfer and P. Grambow, Appl. Phys. A: Solids Surf. 50, 3 (1990).
16. P. van der Sluis, M. J. Verheijen, and J. Haisma, Appl. Phys. Lett. 64, 3605 (1994).
17. V. Holy, A. A. Darhuber, G. Bauer, P. D. Wang, Y. P. Song, C. M. Sotomayor Torres, and M. C. Holland, Phys. Rev. B 52, 8348 (1995).
18. T. H. Metzger, K. Haj-Yahya, J. Peisl, M. Wendel, H. Lorenz, J. P. Kotthaus, and G. S. Cargill III, J. Appl. Phys. 81, 1212 (1997).
19. A. Ulyanenkov, T. Baumbach, N. Darowski, U. Pietsch, K. H. Wang, A. Forchel, and T. Wiebach, J. Appl. Phys. 85, 1524 (1999).
20. M. Rauscher, R. Paniago, H. Metzger, Z. Kovats, J. Domke, J. Peisl, H.-D. Pfannes, J. Schulze, and I. Eisele, J. Appl. Phys. 86, 6763 (1999).
21. E. A. Fitzgerald, G. P. Watson, R. E. Porano, D. G. Ast, P. D. Kirchner, G. D. Pettit, and J. M. Woodall, J. Appl. Phys. 65, 2220 (1989).
22. S. Guha, A. Madhukar, K. Kaviani, and R. Kapre, J. Vac. Sci. Technol. B 8, 149 (1990).
23. B. Dietrich, E. Bugiel, H. J. Osten, and P. Zaumseil, J. Appl. Phys. 74, 7223 (1993).
24. T. Rupp, F. Kaesen, W. Hansch, E. Hammerl, D. J. Gravesteijn, R. Schorer. E. Silveira, G. Abstreiter, and I. Eisele, Thin Solid Films 294, 37 (1997).
25. A. G. Cullis, D. J. Robbins, S. J. Barnett, and A. J. Pidduck, J. Vac. Sci. Technol. A 12, 1924 (1994).
26. K. Nakashima and H. Sugiura, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 36, 5351 (1997), and references therein.
27. M. Nakao, H. Oohashi, T. Hirono, H. Kamada, and H. Sugiura, J. Appl. Phys. 78, 3462 (1995).
28. M. Ogasawara, H. Sugiura, M. Mitsuhara, M. Yamamoto, and M. Nakao, J. Appl. Phys. 84, 4775 (1998).
29. K. Nakashima and Y. Kawaguchi, J. Appl. Crystallogr. (in press).