Enhancement of metal-semiconductor barrier height with superthin silicon dioxide films deposited on gallium arsenide by liquid phase deposition

Journal of Applied Physics

Volumn 89, Issue 11 I, 2001, Pages 6501-6505

  Huang, C J ^a  

^a SOUTHERN TAIWAN UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY   (Taiwan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0035356645     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1365057     Document Type: Article

References (31)

1. W. Schottky, Halbleitertheorie Sperrschicht 26, 843 (1938).
2. S. M. Sze, Physics of Semiconductor Devices (Wiley, New York, 1981), p. 294.
3. J. M. Shannon, Appl. Phys. Lett. 24, 369 (1974).
4. J. M. Shannon, Appl. Phys. Lett. 25, 75 (1974).
5. J. M. Andrews, R. M. Ryder, and S. M. Sze, US Patent No. 3964084 (1976).
6. C. J. Huang, J. R. Chen, and S. P. Huang, Mater. Chem. Phys. 70, 78 (2001).
7. P. C. Chen, K. Y. J. Hsu, H. L. Hwang, and J. Y. Lin, J. Appl. Phys. 76, 5508 (1994).
8. C. J. Huang, M. P. Houng, Y. H. Wang, and H. H. Wang, J. Appl. Phys. 86, 7151 (1999).
9. C. J. Huang, M. P. Houng, Y. H. Wang, N. F. Wang, and J. R. Chen, J. Vac. Sci. Technol., A 16, 2646 (1998).
10. M. P. Houng, C. J. Huang, Y. H. Wang, N. F. Wang, and W. J. Chang, J. Appl. Phys. 82, 5788 (1997).
11. M. J. Jeng, H. T. Wang, L. B. Chang, Y. C. Cheng, and S. T. Chou, J. Appl. Phys. 86, 6261 (1999).
12. C. J. Sandroff, R. N. Nottenburg, J. C. Bischoff, and R. Bhat, Appl. Phys. Lett. 51, 33 (1987).
13. J. F. Fan, H. Oigawa, and Y. Nannichi, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 27, L2125 (1988).
14. H. Sugahara, M. Oshima, H. Oigawa, H. Shigekawa, and Y. Nannichi, J. Appl. Phys. 69, 4349 (1949).
15. M. Sakata and H. Ikoma, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 33, 3813 (1994).
16. A. Kalnitsky, S. P. Tay, J. P. Ellul, S. Chongsawangvirod, J. W. Andrews, and E. A. Irene, J. Electrochem. Soc. 137, 234 (1990).
17. A. Lahav, M. Eizenberg, and Y. Komem, J. Appl. Phys. 60, 991 (1986).
18. D. L. Pulfrey, IEEE Trans. Electron Devices 23, 587 (1976).
19. H. Sakaki, Y. Sekiguchi, D. C. Sun, M. Taniguchi, H. Ohno, and A. Tanaka, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 20, L107 (1981).
20. J. C. Costa, F. Williamson, T. J. Miller, K. Beyzavi, and M. I. Nathan, Appl. Phys. Lett. 58, 382 (1991).
21. V. Kumar and W. E. Dahlke, Solid-State Electron. 20, 143 (1977).
22. J. M. Shannon, Appl. Phys. Lett. 24, 369 (1974).
23. S. M. Sze, Physics of Semiconductor Devices (Wiley, New York, 1981), p. 250.
24. R. A. Nyquist and R. O. Kagel, Infrared Spectra of Inorganic Compounds (Academic, San Diego, 1971), p. 13.
25. A. C. Adams, Solid State Technol. 135, 26 (1983).
26. R. Van de Walle, R. L. Van Meirhaeghe, W. H. Lauere, and F. Cardon, J. Appl. Phys. 74, 1885 (1993).
27. J. Gyulai, J. W. Mayer, I. V. Mitchell, and V. Rodriguez, Appl. Phys. Lett. 17, 332 (1970).
28. U. Konig and E. Sasse, J. Electrochem. Soc. 130, 950 (1983).
29. T. Hashizume, H. Hasegawa, G. Tochitani, and M. Shimozuma, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 31, 3794 (1992).
30. K. V. Vaidyanathan, M. J. Helix, D. J. Wolford, B. G. Streetman, R. J. Blattner, and C. A. Evans, J. Electrochem. Soc. 124. 1781 (1977).
31. S. P. Svensson, G. Landgren, and T. G. Andersson, J. Appl. Phys. 54, 4474 (1983).