Interface-controlled Au/GaAs Schottky contact with surface sulfidation and interfacial hydrogenation

Journal of Applied Physics

Volumn 89, Issue 9, 2001, Pages 5204-5208

  Kang, Min Gu ^a   Park, Hyung Ho ^a  

^a Yonsei University   (South Korea)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0035341054     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1360220     Document Type: Article

References (23)

1. C. J. Sandroff, R. N. Nottenburg, J. C. Bischoff, and R. Bhat, Appl. Phys. Lett. 51, 33 (1987).
2. B. J. Skromme, C. J. Sandroff, E. Yablonovitch, and T. Gmitter, Appl. Phys. Lett. 51, 2022 (1987).
3. Y. Wang, Y. Darici, and P. H. Holloway, J. Appl. Phys. 71, 2746 (1992).
4. A. Paccagnella, A. Callegari, E. Latta, and M. Gasser, Appl. Phys. Lett. 55, 259 (1989).
5. S. V. Hattangady, R. A. Rudder, M. J. Mantini, G. G. Fountain, J. B. Posthill, and R. J. Markunas, J. Appl. Phys. 68, 1233 (1990).
6. J. C. Fan, J. C. Wang, and Y. F. Chen, Appl. Phys. Lett. 74, 1463 (1999).
7. R. L. Van Meirhaeghe, W. H. Laflere, and F. Cardon, J. Appl. Phys. 76, 403 (1994).
8. M. D. McCluskey and N. M. Johnson, J. Vac. Sci. Technol. A 17, 2188 (1999).
9. W. E. Spicer et al., J. Vac. Sci. Technol. B 6, 1245 (1988).
10. J. L. Freeouf and J. M. Woodall, Appl. Phys. Lett. 39, 727 (1981).
11. J. S. Kwak, J. L. Lee, and H. K. Baik, IEEE Electron Device Lett. 19, 481 (1998).
12. M. G. Kang and H. H. Park, J. Vac. Sci. Technol. A 17, 88 (1999).
13. F. Ren, S. J. Pearton, W. S. Hobson, T. Fullowan, J. Lothian, and A. W. Yanof, Appl. Phys. Lett. 56, 860 (1990).
14. P. G. Neudeck, M. S. Carpenter, M. R. Melloch, and J. A. Cooper, IEEE Electron Device Lett. 12, 553 (1991).
15. F. Ren, J. W. Lee, C. R. Abernathy, S. J. Pearton, C. R. J. Shul, Constantine, and C. Barratt, Semicond. Sci. Technol. 12, 1154 (1997).
16. S. D. Offsey, J. M. Woodall, A. C. Warren, P. D. Kirchner, T. I. Chappell, and G. D. Pettit, Appl. Phys. Lett. 48, 415 (1986).
17. N. A. Ives, G. W. Stupian, and M. S. Leung, Appl. Phys. Lett. 50, 256 (1987).
18. M. G. Kang and H. H. Park, Thin Solid Films 332, 437 (1998).
19. T. Ohno and K. Shiraishi, Phys. Rev. B 42, 11194 (1990).
20. T. Scimeca, Y. Muramatsu, M. Oshima, H. Oigawa, and Y. Nannichi, Phys. Rev. B 44, 12927 (1991).
21. L. M. Lechuga, A. Calle, D. Golmayo, and F. Briones, J. Appl. Phys. 70, 3348 (1991).
22. J. Maso, N. Barniol, F. Perez-Murano, and X. Aymerich, Thin Solid Films 261, 299 (1995).
23. S. Sugata, A. Takamori, N. Takado, K. Asakawa, E. Miyauchi, and H. Hashimoto, J. Vac. Sci. Technol. B 6, 1087 (1988).