Microstructure and dielectric parameters of epitaxial SrRuO3/BaTiO3/SrRuO3 heterostructures

Journal of Applied Physics

Volumn 89, Issue 9, 2001, Pages 5053-5059

  Boikov, Yu A ^a,b   Claeson, T ^a  

^a CHALMERS UNIVERSITY OF TECHNOLOGY   (Sweden)

^b IOFFE INSTITUTE   (Russian Federation)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0035339566     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1362409     Document Type: Article

References (34)

1. P. W. Forsbergh, Jr., Phys. Rev. 93, 686 (1954).
2. W. J. Merz, Phys. Rev. 91, 513 (1953).
3. G. A. Samara, Phys. Rev. 151, 378 (1966).
4. N. A. Pertsev, A. G. Zembilgotov, and A. K. Tagantsev, Phys. Rev. Lett. 80, 1988 (1998).
5. B. W. Lee and K. H. Auh, J. Mater. Res. 10, 1418 (1995).
6. C. S. Hwang, Mater. Sci. Eng., B 56, 178 (1998).
7. J.-G. Cheng, X.-J. Meng, J. Tang, S.-L. Guo, and J.-H. Chu, Appl. Phys. Lett. 75, 3402 (1999).
8. C. Buchal, L. Beckers, A. Eckau, J. Schubert, and W. Zander, Mater. Sci. Eng., B 56, 234 (1998).
9. M. H. Frey and D. A. Payne, Appl. Phys. Lett. 63, 2753 (1993).
10. I. Lubomirsky, D. T. Chang, and O. M. Stafsudd, J. Appl. Phys. 85, 6690 (1999).
11. H. B. Sharma, H. N. K. Sarma, and A. Mansingh, J. Appl. Phys. 85, 341 (1999).
12. B. H. Hoeman, G. M. Ford, L. D. Kaufmann, and B. W. Wessels, Appl. Phys. Lett. 73, 2248 (1998).
13. V. Srikant, E. J. Tarsa, D. R. Clarke, and J. S. Speck, J. Appl. Phys. 77, 1517 (1995).
14. Y. Yano, K. Iijima, Y. Daitoh, T. Terashima, Y. Bando, Y. Watanabe, H. Kasatani, and H. Terauchi, J. Appl. Phys. 76, 7833 (1994).
15. I. P. Batra, P. Wurfel, and B. D. Silverman, Phys. Rev. B 8, 3257 (1973).
16. H.-C. Li, W. Si, A. D. West, and X. X. Xi, Appl. Phys. Lett. 73, 190 (1998).
17. Y. A. Boikov and T. Claeson, Supercond. Sci. Technol. 12, 654 (1999).
18. T. I. Kamins, J. Appl. Phys. 42, 4357 (1971).
19. R. W. G. Wyckoff, Crystal Structure, 2nd ed. (Interscience, New York, 1964), Vol. 1, pp. 391 and 398.
20. W. J. Merz, Phys. Rev. 76, 1221 (1949).
21. C. Zuccaro, M. Winter, N. Klein, and K. Urban, J. Appl. Phys. 82, 5695 (1997).
22. J.-P. Maria, H. L. McKinstry, and S. Trolier-McKinstry, Appl. Phys. Lett. 76, 3382 (2000).
23. W. R. Cook, D. A. Berlincourt, and F. J. Scholz, J. Appl. Phys. 34, 1392 (1963).
24. P. Ayyub, V. R. Palkar, S. Chattopadhyay, and M. Multani, Phys. Rev. B 51, 6135 (1995).
25. A. D. Hilton and B. W. Ricketts, J. Phys. D 29, 1321 (1996).
26. K. Kinoshita and A. Yamaji, J. Appl. Phys. 47, 371 (1976).
27. W. L. Zhong, Y. G. Wang, P. L. Zhang, and B. D. Qu, Phys. Rev. B 50, 698 (1994).
28. S. Li, J. A. Eastman, J. M. Vetrone, C. M. Foster, R. E. Newnham, and L. E. Cross, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 36, 5169 (1997).
29. K. Uchino, E. Sadanago, and T. Hirose, J. Am. Ceram. Soc. 72, 1555 (1989).
30. F. Tsai and J. M. Cowley, Appl. Phys. Lett. 65, 1906 (1994).
31. O. G. Vendik and S. P. Zubko, J. Appl. Phys. 88, 5343 (2000).
32. O. G. Vendik, L. T. Martirosyan, and S. P. Zubko, J. Appl. Phys. 84, 993 (1998).
33. Yu. A. Boikov and T. Claeson, Phys. Solid State 43, 337 (2001).
34. W. L. Warren, G. E. Pike, B. A. Tuttle, and D. Dimos, Appl. Phys. Lett. 70, 2010 (1997).