Fermi level-dependent defect formation at Cu(In,Ga)Se2 interfaces

Applied Surface Science

Volumn 166, Issue 1, 2000, Pages 508-512

  Klein, A ^a   Fritsche, J ^a   Jaegermann, W ^a   Schon J H ^b   Kloc, Ch ^b   Bucher, E ^b  

^a DARMSTADT UNIVERSITY OF TECHNOLOGY   (Germany)

^b UNIVERSITY OF KONSTANZ   (Germany)

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COPPER COMPOUNDS; CRYSTAL DEFECTS; ELECTROCHEMISTRY; ENERGY GAP; FERMI LEVEL; INTERFACES (MATERIALS); REDOX REACTIONS;

CONTACT FORMATION;

SEMICONDUCTING FILMS;

EID: 0034301872     PISSN: 01694332     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1016/S0169-4332(00)00484-0     Document Type: Article

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