Subnanosecond breakage of current in high-power semiconductor switches

Technical Physics Letters

Volumn 26, Issue 9, 2000, Pages 824-826

  Rukin, S N ^a   Tsyranov, S N ^a  

^a INSTITUTE OF ELECTROPHYSICS   (Russian Federation)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0034258213     PISSN: 10637850     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1134/1.1315507     Document Type: Article

References (7)

1. S. N. Rukin, Prib. Tekh. Éksp., No. 4, 5 (1999).
2. S. A. Darznek, G. A. Mesyats, and S. N. Rukin, Zh. Tekh. Fiz. 67 (10), 64 (1997) [Tech. Phys. 42, 1170 (1997)].
3. S. A. Darznek, G. A. Mesyats, and S. N. Rukin, Zh. Tekh. Fiz. 67 (10), 64 (1997) [Tech. Phys. 42, 1170 (1997)].
4. S. A. Darznek, S. N. Rukin, and S. N. Tsiranov, Zh. Tekh. Fiz. 70 (4), 56 (2000) [Tech. Phys. 45, 436 (2000)].
5. S. A. Darznek, S. N. Rukin, and S. N. Tsiranov, Zh. Tekh. Fiz. 70 (4), 56 (2000) [Tech. Phys. 45, 436 (2000)].
6. S. K. Lyubutin, G. A. Mesyats, S. N. Rukin, et al., Dokl. Akad. Nauk 360 (4), 477 (1998) [Dokl. Phys. 43, 349 (1998)].
7. S. K. Lyubutin, G. A. Mesyats, S. N. Rukin, et al., Dokl. Akad. Nauk 360 (4), 477 (1998) [Dokl. Phys. 43, 349 (1998)].