메뉴 건너뛰기




Volumn 220, Issue 1, 2000, Pages 175-179

Electronic states of GaN-based heterostructures in a Thomas-Fermi approximation

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords


EID: 0034215981     PISSN: 03701972     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1002/1521-3951(200007)220:1<175::AID-PSSB175>3.0.CO;2-P     Document Type: Article
Times cited : (11)

References (13)
  • 7
    • 0033241719 scopus 로고    scopus 로고
    • L. M. GAGGERO-SAGER, J. Math. Chem. 25, 317 (1999). L. M. GAGGERO-SAGER and S. J. VLAEV, phys. stat. sol. (b) 215, 1049 (1999).
    • (1999) J. Math. Chem. , vol.25 , pp. 317
    • Gaggero-Sager, L.M.1
  • 10
    • 0033242947 scopus 로고    scopus 로고
    • O. AMBACHER, R. DIMITROV, M. STUTZMANN, B. E. FOUTZ, M. J. MURPHY, J. A. SMART, J. R. SHEALY, N. G. WEIMANN, K. CHU, M. CHUMBES, B. GREEN, A. J. SIERAKOWSKI, W. J. SCHAFF, and L. F. EASTMAN, phys. stat. sol. (b) 216, 381 (1999). B. E. FOUTZ, O. AMBACHER, M. J. MURPHY, V. TILAK, and L. F. EASTMAN, phys. stat. sol. (b) 216, 415 (1999).
    • (1999) Phys. Stat. Sol. (B) , vol.216 , pp. 415
    • Foutz, B.E.1    Ambacher, O.2    Murphy, M.J.3    Tilak, V.4    Eastman, L.F.5


* 이 정보는 Elsevier사의 SCOPUS DB에서 KISTI가 분석하여 추출한 것입니다.