Asymmetric induction at a silicon surface

Journal of the American Chemical Society

Volumn 121, Issue 18, 1999, Pages 4532-4533

  Lopinski, G P ^a   Moffatt, D J ^a   Wayner, D D M ^a   Zgierski, M Z ^a   Wolkow, R A ^a  

^a NATIONAL RESEARCH COUNCIL CANADA   (Canada)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

SILICON;

ADSORPTION; ARTICLE; CHEMICAL MODIFICATION; CHIRALITY; CONFORMATION; SCANNING TUNNELING MICROSCOPY; SURFACE PROPERTY;

EID: 0033549111     PISSN: 00027863     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1021/ja9900858     Document Type: Article

References (23)

1. Lindford, M. R.; Chidsey, C. E. D. J. Am. Chem. Soc. 1993, 115, 12631.
2. Lindford, M. R.; Fenter, P.; Eisenberger, P. M.; Chidsey, C. E. D. J. Am. Chem. Soc. 1995, 117, 3145.
3. Banshal, A.; Li, X.; Lauermann, I.; Lewis, N. S.; Yi, S. I.; Weinberg, W. H. J. Am. Chem. Soc. 1996, 118, 7225.
4. Hamers, R. J.; Hovis, J. S.; Lee, S.; Liu, H.; Shan, J. J. Phys. Chem. B 1997, 101, 1489.
5. Hovis, J. S.; Hamers, R. J. J. Phys. Chem. B 1997, 101, 9581.
6. Teplyakov, A. V.; Kong, M. J.; Bent, S. F. J. Am. Chem. Soc. 1997, 119, 11100.
7. He, J.; Patitsas, S. N.; Preston, K. F.; Wolkow, R. A.; Wayner, D. D. M. Chem. Phys. Lett. 1998, 286, 508.
8. Lopinski, G. P.; Fortier, T. M.; Moffatt, D. J.; Wolkow, R. A. J. Vac. Sci. Technol. A 1998, 16, 1037.
9. Borovsky, B.; Krueger, M.; Ganz, E. Phys. Rev. B 1998, 57, R4269.
10. Lopinski, G. P.; Moffatt, D. J.; Wayner, D. D. M.; Wolkow, R. A. Nature 1998, 392, 909.
11. Fang, H.; Giancarlo, L. C.; Flynn, G. W. J. Phys. Chem. B 1998, 102, 7311.
12. Yoshinobu, J.; Tsuda, H.; Onchi, M.; Nishijima, M. J. Chem Phys. 1987, 87, 7332.
13. Clemen, L.; Wallace, R. M.; Taylor, P. A.; Choyke, W. J.; Weinberg, W. H.; Yates, J. T. Surf. Sci. 1992, 268, 205.
14. Mayne, A. J., et al. Surf. Sci. 1993, 284, 247.
15. Fisher, A. J.; Blochl, P. E.; Briggs, G. A. D. Surf. Sci. 1997, 374, 298.
16. Pan, W.; Zhu, T.; Yang, W. J. Chem Phys. 1997, 107, 3981.
17. Frisch, M. J., et al. Gaussian 94 (Revision D.1); Gaussian Inc.: Pittsburgh, PA, 1995.
18. Chabal, Y. J.; Raghavachari, K. Phys. Rev. Lett. 1984, 53, 282.
19. Weldon, M. K.; Stefano, B. B. Raghavachari, K.; Chabal, Y. J. Phys. Rev. Lett. 1997, 79, 2851.
20. Konecny, R.; Doren, D. J. J. Am. Chem. Soc. 1997, 119, 11098.
21. Wolkow, R. A.; Lopinski, G. P.; Moffatt, D. J. Surf. Sci. 1998, 416, L1107.
22. Tersoff, J.; Hamman, D. R. Phys. Rev. Lett. 1983, 50, 1998.
23. Waltenburg, H. N.; Yates, J. T. Chem. Rev. 1995, 95, 1589.