Pd/Si/Pd/Ti/Au ohmic contacts to N-type InGaAs for high temperature operation of AlGaAs/GaAs HBTs

Journal of the Korean Physical Society

Volumn 34, Issue SUPPL. 3, 1999, Pages

  Park, S H ^a   Lee, T W ^a   Lee, J M ^a   Min, B G ^a   Park, M P ^a   Kim, J Y ^b   Kim, I H ^c  

^a Electronics and Telecommunications Research Institute (ETRI)   (South Korea)

^b Hoseo University   (South Korea)

^c Chungju National University   (South Korea)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0033459593     PISSN: 03744884     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: None     Document Type: Article

References (12)

1. T. G. Shen, G. B. Gao and H. J. Morkoc, J. Vac. Sci. Technol. B10, 2113 (1992).
2. E. D. Marshall, W. X. Chen, C. S. Wu, S. S. Lau and T. F. Keuch, Appl. Phys. Lett. 48, 535 (1985).
3. J. Tsuchimoto, S. Shikata and H. Hayashi, J. Appl. Phys. 69, 6556 (1991).
4. L. C. Wang, S. S. Lau, E. K. Hsieh and J. R. Velebir, Appl. Phys. Lett. 54, 2677 (1989).
5. A. Katz, C. R. Abermathy, S. J. Pearton, B. E. Weir and W. Savin, J. Appl. Phys. 69, 2276 (1991).
6. M. W. Cole, W. Y. Han, L. M. Casas, D. W. Eckart and K. A, Jones, J. Vac. Sci. Technol. A12, 1904 (1994).
7. I.-H. Kim, S. H. Park, T.-W. Lee and M. P. Park, Appl. Phys. Lett. 71, 1854 (1997).
8. J. T. Lai and J. Y. Lee, Appl. Phys. Lett. 64, 229 (1994).
9. J. S. Kwak, H. N. Kim, H. K. Baek, J.-L. Lee, H. Kim, H. M. Park and S. K. Noh, Appl. Phys. Lett. 67, 2465 (1995).
10. L. S. Yu, L. C. Wang, E. D. Marshall, S. S. Lau and T. F. Kuech, J. Appl. Phys. 65, 1621 (1989).
11. L. G. Shantharama, H. Schumacher, H. P. Leblanc, R. Esagui, R. Bhat and M. Koza, Electron. Lett. 26, 1127 (1990).
12. S. H. Park, M. P. Park, T. W. Lee, K. M. Song, K. E. Pyun and H. M. Park, Inst. Phys. Conf. Ser. 145, 295 (1996).