Ordering and Microstructures of GaN1-xAsx Layers Grown on (0001) GaN/Sapphire Substrates

Electrochemical and Solid-State Letters

Volumn 2, Issue 2, 1999, Pages 94-96

  Seong, Tae Yeon ^a   Bae, In Tae ^a   Choi, Chel Jong ^a   Zhao, Y ^b   Tu, C W ^b  

^a Gwangju Institute of Science and Technology (GIST)   (South Korea)

^b UNIVERSITY OF CALIFORNIA   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CRYSTAL MICROSTRUCTURE; ELECTRON DIFFRACTION; MOLECULAR BEAM EPITAXY; POLYCRYSTALLINE MATERIALS; SEMICONDUCTOR GROWTH; SUBSTRATES; TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY;

GALLIUM NITRIDE; TRANSMISSION ELECTRON DIFFRACTION;

SEMICONDUCTING GALLIUM ARSENIDE;

EID: 0033075256     PISSN: 10990062     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1149/1.1390746     Document Type: Article

References (28)

1. M. A. Khan, J. N. Kuznia, A. R. Bhattarai, and D. T. Olson, Appl. Phys. Lett., 62, 1789 (1993).
2. S. Nakamura, T. Mukai, and M. Senoh, Appl. Phys. Lett., 64, 28 (1994).
3. M. A. Khan, J. N. Kuznia, D. T. Olson, J. M. Van Hove, M. Blasingame, and L. F. Reitz, Appl. Phys. Lett., 66, 1 (1995).
4. G. C. Osbourn, J. Vac. Sci. Technol., B. 2, 176 (1984).
5. J. E. Bernard, S.-H. Wei, D. M. Wood, and A. Zunger, Appl. Phys. Lett., 52, 311 (1988).
6. S. R. Kurtz, J. M. Olson, and A. Kibbler, Appl. Phys. Lett., 57, 192 (1990).
7. A. Gomyo, K. Makita, I. Hino, and T. Suzuki, Phys. Rev. Lett., 72, 673 (1994).
8. D. J. Arent, M. Bode, K. A. Bertness, S. R. Kurtz, and J. M. Olson, Appl. Phys. Lett., 62, 1806 (1993).
9. T-Y. Seong, J. J. Yang, J-I. Song, M. I. Yu, and P. W. Yu, J. Electron. Mater., 27, 409 (1998).
10. T. S. Kuan, T. F. Kuech, W. I. Wang, and E. L. Wilkie, Phys. Rev. Lett., 54, 201 (1985).
11. H. Nakayama and H. Fujita, Inst. Phys. Conf. Ser., 79, 289 (1985).
12. G. B. Stringfellow and G. S. Chen, J. Vac. Sci. Technol., B, 9, 2182 (1991).
13. C. S. Baxter and W. M. Stobbs, Philos. Mag., 69, 615 (1994).
14. T-Y. Seong, A. G. Norman, G. R. Booker, and A. G. Cullis, J. Appl. Phys., 75, 7852 (1994).
15. A. G. Norman, T-Y. Seong, I. T. Ferguson, G. R. Booker, and B. A. Joyce, Semicond. Sci. Technol., 8, S9 (1993); A. G. Norman, T-Y. Seong, B. A. Philips, G. R. Booker, and S. Mahajan, Inst. Phys. Conf. Ser., 134, 279 (1993) and references therein.
16. A. G. Norman, T-Y. Seong, I. T. Ferguson, G. R. Booker, and B. A. Joyce, Semicond. Sci. Technol., 8, S9 (1993); A. G. Norman, T-Y. Seong, B. A. Philips, G. R. Booker, and S. Mahajan, Inst. Phys. Conf. Ser., 134, 279 (1993) and references therein.
17. D. Korakis, K. F. Ludwig, and T. D. Mustakas, Appl. Phys. Lett., 71, 72 (1997).
18. P. Ruterana, G. Nouet, W. Van der Stricht, I. Moerman, and L. Considine, Appl. Phys. Lett., 72, 1742 (1998).
19. S. M. Sze, Physics of Semiconductor Devices, John-Wiley & Sons, New York (1981).
20. D. Chandrasekhar, D. J. Smith, S. Strite, M. E. Lin, and H. Morkoá, J. Cryst. Growth, 152, 135 (1995).
21. A. Trampent, O. Brandt, H. Yang, and K. H. Ploog, Appl. Phys. Lett., 70, 583 (1997).
22. I.-T. Bae, T-Y. Seong, Y. J. Park, and E-K. Kim, Unpublished results.
23. H. R. Jen, K. Y. Ma, and G. B. Stringfellow, Appl. Phys. Lett., 54, 1154 (1989).
24. T-Y. Seong, A. G. Norman, G. R. Booker, R. Droopad, R. L. Williams, S. D. Parker, P. D. Wang, and R. A. Stradling, Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 163, 907 (1990).
25. G. B. Stringfellow and G. S. Chen, J. Vac. Sci. Technol., B, 9, 2182 (1991).
26. A. Zunger and S. Mahajan, in Handbook on Semiconductors, Vol. 3, S. Mahajan, Editor, Elsevier Science, Amsterdam (1994).
27. B. A. Philips, A. G. Norman, T-Y. Seong, S. Mahajan, G. R. Booker, M. Skowronski, J. P. Harbison, and V. G. Keramidas, J. Cryst. Growth, 140, 249 (1994).
28. T. Suzuki and A. Gomyo, J. Cryst. Growth. 111, 353 (1991).