X-ray investigation of the degradation of Zn-doped GaInAsP/InP heterointerface

Surface Review and Letters

Volumn 5, Issue 1, 1998, Pages 295-298

  Aleksandrov, P A ^a   Belova, N E ^a   Nazarov, S A ^a   Nefedov, A A ^a   Fanchenko, S S ^a   Chaplanov, V A ^a   Schumilov, D Yu ^a  

^a KURCHATOV INSTITUTE   (Russian Federation)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0032400124     PISSN: 0218625X     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1142/S0218625X98000542     Document Type: Article

References (13)

1. H. H. Park, K. H. Lee, J. K. Lee, Y. T. Lee, E. H. Lee, J. Y. Lee, S. K. Hong and O'D Kwon, J. Appl. Phys. 72(9), 4063 (1992).
2. J. S. Tsang, C. P. Lee, S. H. Lee, K. C. Tsai, C. M. Tsai and J. C. Fan, J. Appl. Phys. 79(2), 664 (1996).
3. G. J. van Gurp, W. M. van de Wijgert, G. M. Fontijn and P. J. A. Thijs, J. Appl. Phys. 67(6), 2919 (1990).
4. H. H. Park, B. K. Kang, E. S. Nam, Y. T. Lee, J. H. Kim and O'D. Kwon, Appl. Phys. Lett. 55(17), 1768 (1989).
5. G. J. van Gurp, D. L. A. Tjaden, G. M. Fontijn and P. R. Boudewijn, J. Appl. Phys. 64(7), 3468 (1988).
6. Yu. P. Hapachev and F. N. Chuhovski, Cristallographia 34(3), 776 (1989) (in Russian).
7. W. Walukiewicz, Materials Science Forum 143-147, 519 (1994).
8. A. M. Afanas'ev, P. A. Aleksandrov, S. S. Fanchenko, V. A. Chaplanov and S. S. Yakimov, Acta Cryst. A42, 116 (1986).
9. I. Robinson, Phys. Rev. B33, 3830 (1986).
10. V. A. Chaplanov, I. Galkin, A. A. Nefedov and S. S. Yakimov, Jpn. J. Appl. Phys. 30A, 636L (1991).
11. A. A. Lomov, Z. Ch. Margushev and S. S. Fanchenko, Microelectronika 5, 448 (1990) (in Russian).
12. J. Bernholz, B. Chen, Q. Zhang, C. Wang and B. Yakobson, Materials Science Forum 143-147, 593 (1994).
13. F. Dildey, M. C. Amann and R. Treichler, Jpn. J. Appl. Phys. 29(5), 810 (1990).