Operating characteristics and their anisotropy in a high-power laser (1.5 W, 300 K) with a quantum-dot active region

Technical Physics Letters

Volumn 24, Issue 5, 1998, Pages 351-353

  Shernyakov, Yu M ^a,b   Egorov, A Yu ^a,b   Volovik, B V ^a,b   Zhukov, A E ^a,b   Kovsh, A R ^a,b   Lunev, A V ^a,b   Ledentsov, N N ^a,b   Maksimov, M V ^a,b   Sakharov, A V ^a,b   Ustinov, V M ^a,b   Zhao, Zhen ^a,b   Kop'ev P S ^a,b   Alferov, Zh I ^a,b   Bimberg, D ^a,b  

^a IOFFE INSTITUTE   (Russian Federation)

^b TECHNISCHE UNIVERSITÄT BERLIN   (Germany)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0032379836     PISSN: 10637850     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1134/1.1262118     Document Type: Article

References (13)

1. N. N. Ledentsov, V. M. Ustinov, A. Yu. Egorov, A. E. Zhukov, M. V. Maximov, I. G. Tabatadze, and P. S. Kop'ev, Fiz. Tekh. Poluprovodn. 28, 1484 (1994) [Semiconductors 28, 832 (1994)].
2. N. N. Ledentsov, V. M. Ustinov, A. Yu. Egorov, A. E. Zhukov, M. V. Maximov, I. G. Tabatadze, and P. S. Kop'ev, Fiz. Tekh. Poluprovodn. 28, 1484 (1994) [Semiconductors 28, 832 (1994)].
3. A. Yu. Egorov, A. E. Zhukov, P. S. Kop'ev, N. N. Ledentsov, M. V. Maksimov, and V. M. Ustinov, Fiz. Tekh. Poluprovodn. 28, 1439 (1994) [Semiconductors 28, 809 (1994)].
4. A. Yu. Egorov, A. E. Zhukov, P. S. Kop'ev, N. N. Ledentsov, M. V. Maksimov, and V. M. Ustinov, Fiz. Tekh. Poluprovodn. 28, 1439 (1994) [Semiconductors 28, 809 (1994)].
5. N. Kirstaedter, N. N. Ledentsov, M. Grundmann, D. Bimberg, U. Richter, S. S. Ruvimov, P. Werner, J. Heydenreich, V. M. Ustinov, M. V. Maximov, P. S. Kop'ev, and Zh. I. Alferov, Electron. Lett. 30, 1416 (1994).
6. M. V. Maximov, Yu. M. Shernyakov, N. N. Ledentsov, A. F. Tsatsul'nikov, Zhen Zhao, A. V. Lunev, A. V. Sakharov, V. M. Ustinov, A. Yu. Egorov, A. E. Zhukov, A. R. Kovsh, S. V. Zaitsev, N. Yu. Gordeev, P. S. Kop'ev, Zh. I. Alferov, and D. Bimberg, Extended Abstracts of the Annual International Symposium "Nanostructures: Physics and Technology," St. Petersburg, 1997, pp. 202-205.
7. J. A. Lott, N. N. Ledentsov, V. M. Ustinov, A. Yu. Egorov, A. E. Zhukov, P. S. Kop'ev, Zh. I. Alferov, and D. Bimberg, Electron. Lett. 33, 1150 (1997).
8. Zh. I. Alferov, N. Yu. Gordeev, S. V. Zaitsev, P. S. Kop'ev, I. V. Kochnev, V. V. Komin, I. L. Krestnikov, N. N. Ledentsov, A. V. Lunev, M. V. Maximov, S. S. Ruvimov, A. V. Sakharov, A. F. Tsatsul'nikov, Yu. M. Shernyakov, and D. Bimberg, Fiz. Tekh. Poluprovodn. 30, 357 (1996) [Semiconductors 30, 197 (1996)].
9. Zh. I. Alferov, N. Yu. Gordeev, S. V. Zaitsev, P. S. Kop'ev, I. V. Kochnev, V. V. Komin, I. L. Krestnikov, N. N. Ledentsov, A. V. Lunev, M. V. Maximov, S. S. Ruvimov, A. V. Sakharov, A. F. Tsatsul'nikov, Yu. M. Shernyakov, and D. Bimberg, Fiz. Tekh. Poluprovodn. 30, 357 (1996) [Semiconductors 30, 197 (1996)].
10. N. N. Ledentsov, V. A. Shchukin, M. Grundmann, N. Kirstaedter, J. Böhrer, O. Schmidt, D. Bimberg, V. M. Ustinov, A. Yu. Egorov, A. E. Zhukov, P. S. Kop'ev, S. V. Zaitsev, N. Yu. Gordeev, Zh. I. Alferov, A. I. Borovkov, A. O. Kosogov, S. S. Ruvimov, P. Werner, U. Gösele, and J. Heydenreich, Phys. Rev. B 54, 8743 (1996).
11. A. F. Tsatsul'nikov, N. N. Ledentsov, M. V. Maximov, A. Yu. Egorov, A. E. Zhukov, S. S. Ruvimov, V. M. Ustinov, V. V. Komin, I. V. Kochnev, P. S. Kop'ev, Zh. I. Alferov, and D. Bimberg, Fiz. Tekh. Poluprovodn. 30, 1793 (1996) [Semiconductors 30, 938 (1996)].
12. A. F. Tsatsul'nikov, N. N. Ledentsov, M. V. Maximov, A. Yu. Egorov, A. E. Zhukov, S. S. Ruvimov, V. M. Ustinov, V. V. Komin, I. V. Kochnev, P. S. Kop'ev, Zh. I. Alferov, and D. Bimberg, Fiz. Tekh. Poluprovodn. 30, 1793 (1996) [Semiconductors 30, 938 (1996)].
13. A. E. Zhukov, V. M. Ustinov, A. Yu. Egorov, A. R. Kovsh, A. F. Tsatsul'nikov, N. N. Ledentsov, S. V. Zaitsev, N. Yu. Gordeev, P. S. Kop'ev, and Zh. I. Alferov, International Symposium on Formation, Physics and Device Application of Quantum Dot Structures, Sapporo, Japan, Jpn. J. Appl. Phys., 36, Part 1, 4216 (1997).