Control of ion energy in a capacitively coupled reactive ion etcher

Journal of the Electrochemical Society

Volumn 145, Issue 12, 1998, Pages 4247-4252

  Park, H M ^a   Garvin, C ^a   Grimard, D S ^a   Grizzle, J W ^a  

^a University of Michigan   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EMISSION SPECTROSCOPY; INTEGRATED CIRCUIT MANUFACTURE; ION BOMBARDMENT; PLASMA APPLICATIONS; WSI CIRCUITS;

CHAMBER PRESSURE; ION ENERGY; OPTICAL EMISSION SPECTROSCOPY;

REACTIVE ION ETCHING;

EID: 0032296516     PISSN: 00134651     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1149/1.1838945     Document Type: Article

References (33)

1. J. W. Coburn, J. Vac. Sci. Technol. A, 12, 1417 (1994).
2. K. P. Giapis, N. Sadeghi, J. Margot, R. A. Gottscho, and T. C. J. Lee, J. Appl. Phys., 73, 7188 (1993).
3. R. H. Bruce, Solid State Technol., 24, 64 (1981).
4. A. G. Nagy, Solid State Technol., 26, 173 (1983).
5. H. Kawata, K. Murata, and K. Nagami, J. Electrochem. Soc., 132, 206 (1985).
6. K. L. Tai and F. Vratny, U.S. Pat. 4,496,448 (1985).
7. J. Brcka and R. Harman, Vacuum, 36, 531 (1986).
8. R. H. Bruce and A. R. Reinberg, J. Electrochem. Soc., 129, 393 (1982).
9. J. L. Mauer and J. S. Logan, J. Vac. Sci. Technol., 16, 404 (1979).
10. A. S. Kao and G. S. Stenger, Jr., J. Electrochem. Soc., 137, 954 (1990).
11. M. A. Lieberman and A. J. Lichtenberg, Principles of Plasma Discharges and Materials Processing, p. 387, Wiley-Interscience, New York (1994).
12. Y. Ra, S. G. Bradley, and C. H. Chen, J. Vac. Sci. Technol., A, 12, 1328 (1994).
13. H. H. Sawin, Microelectron. Eng., 23, 15 (1994).
14. J. H. Keller, Plasma Sources Sci. Technol., 5, 166 (1996).
15. B. Chapman, Glow Discharge Processes: Sputtering and Plasma Etching, p. 145, Wiley-Interscience, New York (1980).
16. J. Ding, J. S. Jenq, G. H. Kim, H. L. Maynard, J. S. Hamers, N. Hershkowitz, and J. W. Taylor, J. Vac. Sci. Technol., A, 11, 1283 (1993).
17. T. Arikado and Y. Horiike, Jpn. J. Appl. Phys., 22, 799 (1983).
18. K. Köhler, J. W. Coburn, D. E. Horne, E. Kay, and J. H. Keller, J. Appl. Phys., 57, 59 (1985).
19. G. Fortuño, Plasma Chem. Plasma Process., 8, 19 (1988).
20. Y. H. Lee and M. Chen, J. Appl. Phys., 54, 5966 (1983).
21. Y. H. Lee, G. S. Oehrlein, and C. Ransom, Radiat. Eff. Defects Solids, 111-112, 221 (1989).
22. S. Watanabe, Jpn. J. Appl. Phys., 31, 1491 (1992).
23. K. Ino, I. Natori, A. Ichikawa, R. N. Vrtis, and T. Ohmi, IEEE Trans. Semicond. Manuf., 9, 230 (1996).
24. J. K. Olthoff and K. E. Greenberg, J. Res. Natl. Inst. Stand. Technol., 100, 327 (1995).
25. P. Hargis, Jr., K. E. Greenberg, P. A. Miller, J. B. Gerardo, J. R. Torczynski, M. E. Riley, G. A. Hebner, J. R. Roberts, J. K. Olthoff, J. R. Whetstone, R. J. V. Brunt, M. A. Sobolewski, H. M. Anderson, M. P. Splichal, J. L. Mock, P. Bletzinger, A. Garascadden, R. A. Gottscho, G. Selwyn, M. Dalvie, J. E. Heidenrech, J. W. Butterbaugh, M. L. Brake, M. L. Passow, J. Pender, A. Lujan, M. E. Elta, D. B. Graves, H. H. Sawin, M. J. Kushner, J. T. Verdeyen, R. Horwath, and T. R. Turner, Rev. Sci. Instrum., 65, 140 (1994).
26. C. Garvin, B. E. Gilchrist, D. S. Grimard, and J. W. Grizzle, J. Vac. Sci. Technol., A, 16, 595 (1998).
27. A. P. Paranjpe, J. P. McVittie, and S. A. Self, J. Appl. Phys., 67, 6718 (1990).
28. M. B. Hopkins, W. G. Graham, and T. J. Griffin, Rev. Sci. Instrum., 58, 475 (1987).
29. M. B. Hopkins, J. Res. Natl. Inst. Stand. Technol., 100, 415 (1995).
30. S. Wolf and R. N. Tauber, Silicon Processing for the VLSI Era: Vol. 1, Process Technology, p. 572, Lattice Press, Sunset Beach, CA (1986).
31. B. A. Rashap, M. E. Elta, H. Etemad, J. P. Fournier, J. S. Freudenberg, M. D. Giles, J. W. Grizzle, P. T. Kabamba, P. P. Khargonekar, S. Lafortune, J. R. M. and D. Teneketzis, and F. L. Terry, Jr., IEEE Trans. Semicond. Manuf., 8, 286 (1995).
32. T. E. Benson, L. I. Kamlet, S. M. Ruegsegger, C. K. Hanish, P. D. Hanish, B. A. Rashap, P. Klimecky, J. S. Freudenberg, J. W. Grizzle, P. P. Khargonekar, and F. L. Terry, Jr., J. Vac. Sci. Technol., B, 14, 483 (1996).
33. H. H. Goto, H. Lowe, and T. Ohmi, IEEE Trans. Semicond. Manuf., 6, 58 (1993).