Changes in the environment of hydrogen in porous silicon with thermal annealing

Journal of the Electrochemical Society

Volumn 145, Issue 7, 1998, Pages 2439-2444

  Ogata, Yukio H ^a,b   Kato, Fumio ^a   Tsuboi, Takashi ^a   Sakka, Tetsuo ^a  

^a KYOTO UNIVERSITY   (Japan)

^b ELECTROCHEMICAL SOCIETY   (Japan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ANNEALING; CHEMICAL BONDS; DESORPTION; HYDROGEN; INFRARED SPECTROSCOPY; LIGHT ABSORPTION; MOLECULAR STRUCTURE; MOLECULAR VIBRATIONS; OXIDATION; SILANES; SILICON WAFERS; THERMAL EFFECTS;

WAGGING MODES;

POROUS SILICON;

EID: 0032121944     PISSN: 00134651     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1149/1.1838655     Document Type: Article

References (35)

1. L. T. Canham, Appl. Phys. Lett., 57, 1046 (1990).
2. A. G. Cullis and L. T. Canham, Nature, 353, 335 (1991).
3. V. Lehman and U. Gosele, Appl. Phys. Lett., 58, 856 (1991).
4. C. Tsai, K.-H. Li, J. Sarathy, S. Shin, J. C. Campbell, B. K. Hance, and J. M. White, Appl. Phys. Lett., 59, 2814 (1991).
5. M. S. Brandt, H. D. Fuchs, M. Stutzman, J. Weber, and M. Cardona, Solid State Commun., 81, 307 (1992).
6. P. Gupta, V. L. Colvin, and S. M. George, Phys. Rev. B, 37, 8234 (1988).
7. R. P. Vasquez, R. W. Fathauer, T. George, A. Ksendzov, and T. L. Lin, Appl. Phys. Lett., 60, 1004 (1992).
8. S.-L. Yau, M. Arendt, A. J. Bard, B. Evans, C. Tsai, J. Sarathu, and J. C. Campbell, J. Electrochem. Soc., 141, 402 (1994).
9. L. T. Canham, M. R. Houlton, W. Y Leong, C. Pickering, and J. M. Keen, J. Appl. Phys., 70, 422 (1991).
10. K. H. Jung, S. Shih, D. L. Kwong, T. George, T. L. Lin, H. Y. Liu, and J. Zavada, J. Electrochem. Soc., 139, 3363 (1992).
11. R. Tsu, H. Shen, and M. Dutta, Appl. Phys. Lett., 60, 112 (1992).
12. M. Yang, D. Huang, P Hao, F. Zhang, X. Huo, and X. Wang, J. Appl. Phys., 75, 651 (1994).
13. A. V. Rao, F. Ozanum, and J.-N. Chazalviel, J. Electrochem. Soc., 138, 153 (1991).
14. C. da Fonseca, F. Ozanum, and J.-N. Chazalviel, Surf. Sci., 365, 1 (1996).
15. K. Imai, Solid-State Electron., 24, 159 (1981).
16. S. Konaka, M. Tabe, and T. Sakai, Appl. Phys. Lett., 41, 86 (1982).
17. Y. J. Mii, T. L. Lin, Y. C. Kao, B. J. Wu, L. Wang, C. W. Nieh, D. N. Jamieson, and J. K. Liu, J. Vac. Sci. Technol., 86, 696 (1988).
18. R. Herino, P. Jan, and G. Bomchil, J. Electrochem. Soc., 132, 2513 (1985).
19. Y. Ogata, H. Niki, T. Sakka, and M. Iwasaki, J. Electrochem. Soc., 142, 195 (1995).
20. R. J. Collins and H. Y. Fan, Phys. Rev., 93, 674 (1954).
21. M. H. Brodsky and A. Lurio, Phys. Rev., B9, 1646 (1974).
22. E Gupta, A. C. Dillon, A. S. Bracker, and S. M. George, Surf. Sci., 245, 360 (1991).
23. Y. Ogata, H. Niki, T. Sakka, and M. Iwasaki, J. Electrochem. Soc., 142, 1595 (1995).
24. Y. Kato, T. Ito, and A. Hiraki, Jpn. J. Appl. Phys., 27, L1406 (1988).
25. G. Lucovsky, Solid State Commun., 29, 571 (1979).
26. A. Borghesi, G. Guizzetti, A. Sassella, O. Bisi, and L. Pavesi, Solid State Commun., 89, 615 (1994).
27. T. Ito and Y. Kato, Oyo Buturi, 57, 1712 (1988).
28. M. J. Frisch, G. W. Trucks, M. Head-Gordon, P. M. W. Gill, M. W. Wong, J. B. Foresman, B. G. Johnson, H. B. Schlegel, M. A. Robb, E. S. Replogle, R. Gomperts, J. L. Andres, K. Raghavachari, J. S. Binkley, C. Gonzalez, R. L. Martin, D. J. Fox, D. J. Defrees, J. Baker, J. J. P. Steart, and J. A. Pople, Gaussian '92 Revision C, Gaussian Inc., Pittsburgh, PA (1992).
29. Y. J. Chabal, G. S. Higashi, K. Raghavachari, and V. A. Burrows, J. Vac. Sci. Technol., A7, 2104 (1989).
30. T. Unagami, J. Electrochem. Soc., 127, 476 (1980).
31. R. C. Anderson, R. S. Muller, and C. W. Tobias, J. Electrochem. Soc., 140, 1393 (1993).
32. Y. H. Ogata, F. Kato, and T. Sakka, In preparation.
33. S. Watanabe and Y. Sugita, Chem. Phys. Lett., 244, 105 (1995).
34. Y. J. Chabal and K. Raghavachari, Phys. Rev. Lett., 53, 282 (1984).
35. G. W. Trucks, K. Raghavachari, and G. S. Higashi, Phys. Rev. Lett., 65, 504 (1990).