Surface studies on SiC as related to contacts

Physica Status Solidi (B) Basic Research

Volumn 202, Issue 1, 1997, Pages 549-580

  Bozack, M J ^a  

^a AUBURN UNIVERSITY   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0031515389     PISSN: 03701972     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1002/1521-3951(199707)202:1<549::AID-PSSB549>3.0.CO;2-6     Document Type: Article

References (127)

1. W. SCHOTTKY, Naturwissenschaften 26, 843 (1938).
2. J. BARDEEN, Phys. Rev. 71, 717 (1947).
3. A. M. COWLEY and S. M. SZE, J. Appl. Phys. 36, 3212 (1965).
4. J. M. ANDREWS and J. C. PHILLIPS, Phys. Rev. Lett. 35, 56 (1975).
5. I. OHDOMARI, T. S. KUAN, and K. N. TU, J. Appl. Phys. 50, 7020 (1979).
6. G. OTTAVIANI, K. N. TU, and J. W. MAYER, Phys. Rev. Lett. 44, 284 (1980).
7. S. KURTIN, T. C. MCGILL, and C. A. MEAD, Phys. Rev. Lett. 22, 3212 (1969).
8. W. GORDY and W. J. O. THOMAS, J. Chem. Phys. 24, 439 (1956).
9. C. A. MEAD, Appl. Phys. Lett. 6, 103 (1965).
10. C. A. MEAD, Solid State Electronics 9, 1023 (1966).
11. S. KURTIN, T. C. MCGILL, and C. A. MEAD, Phys. Rev. Lett. 22, 1433 (1969)
12. B. E. DEAL, E. H. SNOW, and C. A. MEAD, J. Phys. Chem. Solids 27, 1873 (1966).
13. M. J TURNER and E. H. RHODERICK, Solid State Electonics 11, 291 (1968).
14. L. PAULING, The Nature of the Chemical Bond, 3rd ed., Cornell University Press, Ithaca. NY, 1967.
15. T. C. MCGILL and C. A. MEAD, J. Vacuum Sci. Technol. 11, 122 (1974).
16. C. A. MEAD, Solid State Electronics 9, 1023 (1966).
17. M. SCHLUTER, J. Vacuum Sci. Technol. 15, 1374 (1978).
18. L. J. BRILLSON, Phys. Rev. B 18, 2431 (1978).
19. C. A. MEAD, Solid State Electronics 9, 1023 (1966).
20. J. C. PHILLIPS, J. Vacuum Sci. Technol. 11, 947 (1974).
21. L. J. BRILLSON, Phys. Rev. Lett. 40, 260 (1978).
22. S. P. KOWALCZYK, J. R. WALDROP, and R. W. GRANT, Appl. Phys. Lett. 38, 167 (1981); J. Vacuum Sci. Technol. 19, 611 (1981).
23. S. P. KOWALCZYK, J. R. WALDROP, and R. W. GRANT, Appl. Phys. Lett. 38, 167 (1981); J. Vacuum Sci. Technol. 19, 611 (1981).
24. L. J. BRILLSON, C. F. BRUCKER, A. D. KATNANI, N. G. STOFFEL, DANIELS, and G. MARCARITONDO, Physics and Chemistry of Semiconductor Interfaces Conference, Asilomar, Calif., 1982.
25. E. HOKELEK and G. Y. ROBINSON, Appl. Phys. Lett. 40, 426 (1982).
26. J. M. WOODALL and J. L. FREEOUF, J. Vacuum Sci. Technol. 19, 794 (1981); Appl. Phys. Lett. 39, 727 (1981).
27. J. M. WOODALL and J. L. FREEOUF, J. Vacuum Sci. Technol. 19, 794 (1981); Appl. Phys. Lett. 39, 727 (1981).
28. S. P. MURARKA, J. Vacuum Sci. Technol. 17, 775 (1980).
29. C. A. MEAD and W. G. SPITZER, Phys. Rev. 134, A713 (1964).
30. J. O. MCCALDIN, T. C. MCGILL, and C. A. MEAD, Phys. Rev. Lett. 36, 56 (1976): J. Vacuum Sci. Technol. 13, 802 (1976).
31. J. O. MCCALDIN, T. C. MCGILL, and C. A. MEAD, Phys. Rev. Lett. 36, 56 (1976): J. Vacuum Sci. Technol. 13, 802 (1976).
32. W. E. SPICER, I. LINDAU, P. SKEATH, C. Y. SU, and P. CHYE, Phys. Rev. Lett. 44, 420 (1980); J. Vacuum Sci. Technol. 17, 1019 (1980).
33. W. E. SPICER, I. LINDAU, P. SKEATH, C. Y. SU, and P. CHYE, Phys. Rev. Lett. 44, 420 (1980); J. Vacuum Sci. Technol. 17, 1019 (1980).
34. CREE Research, Inc., 2810 Meridian Parkway, Durham, NC 27713, USA.
35. Epitronics, 7 Commerce Drive, Danbury, CT 06810, USA.
36. K. BRACK, J. Appl. Phys. 36, 3560 (1965).
37. J. W. FAUST, JR., in: Silicon Carbide, A High Temperature Semiconductor, Eds. J. R. O'CONNOR and J. SMILTENS, Pergamon Press, New York 1960 (p. 403).
38. A. SUZUKI, H. I. MATSUNAMI, and T. TANAKA, J. Electrochem. Soc. 125, 1897 (1978).
39. R. C. A. HARRIS and R. L. CALL, in: Silicon Carbide 1973, Eds. R. C. MARSHALL, J. W. FAUST, JR., and C. E. RYAN, University of South Carolina, Columbia 1974 (p. 329).
40. L. MUEHLHOFF, W. J. CHOYKE, M. J. BOZACK, aud J. T. YATES, JR., J. Appl. Phys. 60, 2558 (1986).
41. M. J. BOZACK, Surf. Sci. Spectra 3, 82, 86 (1995).
42. F. BOZSO, L. MUEHLHOFF, M. TRENARY, W. J. CHOYKE, and J. T. YATES, JR., J. Vacuum Sci. Tochnol. A 2, 1271 (1984).
43. L. MUEHLHOFF, W. J. CHOYKE, M. J. BOZACK, and J. T. YATES, JR., J. Appl. Phys. 60, 2842 (1986).
44. B. B. PATE, M. OSHIMA, J. A. SILBERMAN, G. ROSSI, I. LINDAU, and W. E. SPICER, J. Vacuum Sci. Technol. A 2, 957 (1984).
45. J. W. ROGERS, J. E. HOUSTON, R. R. RYE, F. H. HUTSON, and D. E. RAMAKER, J. Vacuum Sci. Technol. A 4, 1601 (1986).
46. J. W. GADZUK, J. Electron Spectroscopy Related Phenomena 11, 355 (1977).
47. W. J. PARDEE, G. D. MAHAN, D. E. EASTMAN, and R. A. POLLAK, Phys. Rev. B 11, 3615 (1975).
48. A. M. BRADSHAW and W. WYROBISCH, J. Electron Spectroscopy Related Phenomena 7, 45 (1975).
49. M. GHAMNIA, C. JARDIN, D. KADRI, and M. BOUSLAMA, Vacuum 47, 141 (1996).
50. F. BOZSO, J. T. YATES, JR., W. J. CHOYKE, and L. MUEHLHOFF, J. Appl. Phys. 57, 2771 (1985).
51. J. TOPPING, Proc. Roy. Soc. (London) A114, 67 (1927).
52. J. PELLETIER, D. GERVAIS, and C. POMOT, J. Appl. Phys. 55, 994 (1984).
53. K. W. FRESE, JR., J. Vacuum Sci. Technol. 16, 1042 (1979).
54. S. KENNOU, J. Appl. Phys. 78, 587 (1995).
55. V. VAN ELSBERGEN, T. U. KAMPEN, and W. MUNCH, J. Appl. Phys. 79, 316 (1996).
56. J. A. POWELL, J. B. PETIT, J. H. EDGAR, I. G. JENKINS, L. G. MATUS, J. W. YANG, P. PIROUZ, W. J. CHOYKE, L. CLEMEN, and M. YOGANATHAN, Appl. Phys. Lett. 59, 333 (1991).
57. J. PEZOLDT, A. A. KALNIN, and W. D. SAVELYEV, Nuclear Instrum. and Methods B 65, 361 (1992).
58. J. COMAS and C. B. COOPER, J. Appl. Phys. 37, 2820 (1966).
59. M. MOHRI, K. WATANABE, K. YAMASHITA, H. DOI, and K. HAYAKAWA, J. Nuclear Mater. 75, 309 (1978).
60. E. E. VIOLIN, Izv. Leningr. Elektrotekh. Int. 250, 77 (1979).
61. J. PEZOLDT, B. STOTTKO, G. KUPRIS, and G. ECKE, Mater. Sci. Engng. B 29, 94 (1995).
62. J. BOHDANSKY, H. LINDNER, E. HECHT, A. P. MARTINELLI, and J. ROTH, Nuclear Instrum. and Methods B 18, 509 (1987).
63. M. MOHRI, K. WATANABE, and T. YAMASHINA, J. Nuclear Mater. 75, 7 (1978).
64. T. YAMASHINA, M. MOHRI, K. WATANABE, H. DOI, and K. HAYAKAWA, J. Nuclear Mater. 76/77, 202 (1978).
65. W.-Y. LEE, J. Appl. Phys. 51, 3365 (1980).
66. L. MUEHLHOFF, W. J. CHOYKE, M. J. BOZACK, and J. T. YATES, JR., J. Appl. Phys. 60, 2842 (1986).
67. B. JORGENSEN and P. MORGEN, J. Vacuum Sci. Technol. 4, 1701 (1986).
68. J. A. DILLON, R. E. SCHLIER, and H. E. FARNSWORTH, J. Appl. Phys. 30, 675 (1959).
69. P. MORGEN, K. L. SEAWARD, and T. W. BARBEE, J. Vacuum Sci. Technol. A 3, 2108 (1985).
70. P. H. YIH and A. J. STECKL, Proc. 5th Internat. Conf. SiC and Related Materials, 1993 (p. 317).
71. P. H. YIH and A. J. STECKL, J. Electrochem. Soc. 140, 1813 (1993).
72. J. CASADY, E. D. LUCKOWSKI, M. J. BOZACK, D. SHERIDAN, R. W. JOHNSON, and J. R. WILLIAMS, Inst. Phys. Conf. Ser. No. 142, 625 (1996).
73. A. J. VAN BOMMEL, J. E. CROMBEEN, and A. VAN TOOREN Surf. Sci. 48, 463 (1975).
74. T. W. HASS, J. T. GRANT, and G. J. DOOLET, JR., J. Appl. Phys. 43, 1853 (1972).
75. R. KAPLAN and T. M. PARRILL, Surf. Sci. 165, L45 (1986).
76. J. R. WALDROP and R. W. GRANT, Appl. Phys. Lett. 62, 2685 (1993).
77. R. KAPLAN, Surf. Sci. 215, 111 (1989).
78. A. N. ANDREEV, M. M. ANIKIN, A. L. SYRKIN, and V. E. CHELNOKOV, Semicond. 28, 577, 377 (1994).
79. L. M. PORTER, J. S. BOW, R. C. GLASS, M. J. KIM, R. W. CARPENTER, and R. F. DAVIS, J. Mater. Res. 10, 668 (1995).
80. T. M. PARRILL and V. M. BERMUDEZ, Solid State Commun. 63, 231 (1987).
81. R. G. VERUNCHIKOVA, V. I. SANKIN, and E. I. RADOVANOVA, Soviet Phys. - Semicond. 17, 1123 (1983).
82. A. L. SYRKIN, A. N. ANDREEV, A. A. LEBEDEV, M. G. RASTEGAEVA, and V. E. CHELNOKOV, Mater. Sci. Engng. B 29, 198 (1994).
83. A. L. SYRKIN, A. N. ANDREEV, A. A. LEDEDEV, M. G. RASTEGAEVA, and V. E. CHELNOKOV, J. Appl. Phys. 78, 5511 (1995).
84. S. YU, DAVIDOV and S. K. TIKHONOV, Phys. Solid State 37, 1514 (1995).
85. C. A. MEAD and W. G. SPITZER, Phys. Rev. 134, A713 (1964).
86. S. H. HAGEN, J. Appl. Phys. 39, 1458 (1968).
87. S. Y. WU and R. B. CAMPBELL, Solid State Commun. 17, 683 (1974).
88. L. A. KOSYACHENKO, E. F. KUKHTO, and V. M. SKLYARCHUK, Zh. Prikladnoi Spektroskopii 41, 615 (1984).
89. L. M. PORTER, J. S. BOW, R. C. GLASS, M. J. KIM, R. W. CARPENTER, and R. F. DAVIS, J. Mater. Res. 10, 668 (1995).
90. L. M. SPELLMAN, R. C. GLASS, R. F. DAVIS, T. P. HUMPHREYS, H. JEON, R. J. NEMANICH, S. CHEVACHAROENKUL, and N. R. PARIKH, Mater Res. Soc. Symp. Proc. 221, 99 (1991).
91. L. M. SPELLMANN, R. C. GLASS, R., F. DAVIS, T. P. HUMPHREYS, R. J. NEMANICH, K. DAS, and S. CHEVACHAROENKUL, in: Springer Proc. Phys., Vol. 71, Eds. C. Y. YANG, M. M. RAHMAN, and G. L. HARRIS, 1992 (p. 417).
92. J. S. BOW, L. M. PORTER, M. J. KIM, R. W. CARPENTER, and R. F. DAVIS, Ultramicroscopy 52, 289 (1993).
93. J. R. WALDROP, R. W. GRANT, Y. C. WANG, and R. F. DAVIS, J. Appl. Phys. 72, 4757 (1992).
94. L. M. PORTER and R. F. DAVIS, Mater Sci. Engng. B 34, 83 (1995).
95. J. R. WALDROP and R. W. GRANT, Appl. Phys. Lett. 62, 2685 (1993).
96. L. M. PORTER, R. C. GLASS, R. F. DAVIS, J. S. BOW, M. J. KIM, and R. W. CARPENTER, Mater. Res. Soc. Syrup. Proc. 282, 471 (1993).
97. L. M. PORTER, J. S. BOW, M. J. KIM, R. W. CARPENTER, and R. F. DAVIS, J. Mater. Res. 10, 26 (1995).
98. L. M. PORTER, J. S. BOW, M. J. KIM, R. W. CARPENTER, and R. F. DAVIS, J. Mater. Res. (1995).
99. S. H. HAGEN, J. Appl. Phys. 39, 1458 (1968).
100. L. M. PORTER and R. F. DAVIS, Mater. Sci. Engng. B 34, 83 (1995).
101. J. CROFTON, P. G. MCMULLIN, J. R. WILLIAMS, and M. J. BOZACK, Trans. 2nd High Temperature Electronics Confer., Charlotte (NC) 1994, IOP Publ. Ltd., London 1994.
102. EMIS DataReviews, Vol. 13, Ed. G. L. Harris, INSPEC, London 1995.
103. I. OHDOMARI, S. SHA, H. AOCHI, T. CHIKYOW, and S. SUZUKI, J. Appl. Phys. 62, 3747 (1987).
104. C. S. PAI, C. M. HANSON, and S. S. LAU, J. Appl. Phys. 57, 618 (1985).
105. W. F. J. SLIJKERMAN, A. E. M. J. FISCHER, J. F. VAN DER VEEN, I. OHDOMARI, S. YOSHIDA, and S. MISAWA, J. Appl. Phys. 66, 666 (1989).
106. M. LEVIT, I. GRIMBERG, and B.-Z. WEISS, J. Appl. Phys. 80, 167 (1996).
107. J. CROFTON, P. G. MCMILLIN, J. R. WILLIAMS, and M. J. BOZACK, J. Appl. Phys. 77, 1317 (1995).
108. T. MARINOVA and V. KRASTEV, Appl. Surf. Sci. 99, 119 (1996).
109. M. NATHAN and J. S. AHEARN, J. Appl. Phys. 70, 811 (1991).
110. C. S. PAI, C. M. HANSON, and S. S. LAU, J. Appl. Phys. 57, 618 (1985).
111. H. HOCHST, D. W. NILES, G. W. ZAJAC, T. H. GLEISCH, B. C. JOHNSON, and J. M. MEESE, J. Vacuum Sci. Technol. B 6, 1320 (1988).
112. L. M. PORTER, J. S. BOW, M. J. KIM, R. W. CARPENTER, and R. F. Davis, J. Mater. Res. 10, 26 (1995).
113. N. LUNDBERG, C.-M. ZETTERLING, and M. OSTLING, Appl. Surf. Sci. 73, 316 (1993).
114. C. S. PAI, C. M. HANSON, and S. S. LAU, J. Appl. Phys. 57, 618 (1985).
115. V. M. BERMUDEZ, Appl. Surf. Sci. 17, 12 (1983).
116. L. M. PORTER, J. S. BOW, R. C. GLASS, M. J. KIM, R. W. CARPENTER, and R. F. DAVIS, J. Mater. Res. 10, 668 (1995).
117. M. BACKHAUS-RICOULT, in: Metal-Ceramic Interfaces, Vol. 4, Acta Scripta Metallurgica. Proc. Series, Eds. M. RUHLE, A. G. EVANS, M. F. ASHBY, and J. P. HIRTH, Perganion Press, New York 1990 (p. 79).
118. C. G. RHODES and R. A. SPRULING, in: Recent Advances in Composites in the United States and Japan, Vol. 864, ASTM Spec. Tech. Publ., Eds. J. R. VINSON and M. TAYA, Amer. Soc. for Testing and Materials, Philadelphia (PA) 1985 (p. 585).
119. M. BACKHAUS-RICOULT, Ber. Bunsenges. Phys. Chem. 93, 1277 (1989).
120. I. GOTMAN, E. Y. GUTMANAS, and P. MOGILEVSKY, J. Mater. Res. 8, 2725 (1993).
121. S. HARA, K. SUZUKI, A. FURUYA, Y. MATSUI, T. UENO, and I. OHDOMARI, J. Appl. Phys. 29, L394 (1990).
122. R. KAPLAN, P. H. KLEIN, and A. ADDAMIANO, J. Appl. Phys. 58, 321 (1985).
123. K. M. GEIB, C. W. WILMSEN, J. E. MAHAN, and M. C. BOST, J. Appl. Phys. 61, 5299 (1987).
124. D. L. YANEY and A. JOSHI, J. Mater. Res. 5, 2197 (1990).
125. L. BAUD, C. JAUSSAUD, R. MADAR, C. BERNARD, J. S. CHEN, and M. A. NICOLET, Mater. Sci. Engng. B 29, 126 (1995).
126. W. QIAN, M. SKOWRONSKI, G. AUGUSTINE, R. C. GLASS, I. MCD. HOBGOOD, and R. H. HOPKINS, J. Electrochem. Soc. 142, 4290 (1995).
127. E. DUCKE, R. KRIEGEL, A. FISSEL, U. KAISER, B. SCHROTER, P. MULLER, and W. RICHTER, in: Silicon Carbide and Related Materials 1995, Proc. 6th Internat. Confer., Kyoto (Japan) 1995, IOP Publ. Ltd., London 1995 (p. 18).