Two interferometric methods for the mechanical characterization of thin films by bulging tests. Application to single crystal of silicon

Journal of Materials Research

Volumn 12, Issue 9, 1997, Pages 2234-2245

  Bonnette, E ^a   Delobelle, P ^a   Bornier, L ^a   Trolard, B ^a   Tribillon, G ^a  

^a CNRS   (France)

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FINITE ELEMENT METHOD; HOLOGRAPHIC INTERFEROMETRY; SENSITIVITY ANALYSIS; SINGLE CRYSTALS; THIN FILMS;

BULGING TESTS; CONTOURING;

SEMICONDUCTING SILICON;

EID: 0031236257     PISSN: 08842914     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1557/jmr.1997.0299     Document Type: Article

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