Photoluminescence of Cd1-xZnxTe crystals grown by high-pressure bridgman technique

Physica Status Solidi (A) Applied Research

Volumn 162, Issue 2, 1997, Pages 747-763

  Hjelt, K ^a   Juvonen, M ^a   Tuomi, T ^a   Nenonen, S ^b   Eissler, E E ^c   Bavdaz, M ^d  

^a AALTO UNIVERSITY   (Finland)

^b Mectorex International Oy   (Finland)

^c eV Products   (United States)

^d EUROPEAN SPACE AGENCY   (Netherlands)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

BINDING ENERGY; COMPOSITION EFFECTS; CRYSTAL DEFECTS; CRYSTAL GROWTH; ELECTRON TRANSITIONS; ENERGY GAP; EXCITONS; PHOTOLUMINESCENCE; SPECTROSCOPIC ANALYSIS; THERMAL EFFECTS;

HIGH PRESSURE BRIDGMAN TECHNIQUE; PHOTOLUMINESCENCE SPECTROSCOPY;

SEMICONDUCTING CADMIUM COMPOUNDS;

EID: 0031212144     PISSN: 00318965     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1002/1521-396X(199708)162:2<747::AID-PSSA747>3.0.CO;2-2     Document Type: Article

References (41)

1. R. B. JAMES, T. E. SCHLESINGER, J. LUND, and M. SCHIEBER, Semiconductors and metals, Vol. 43, Ed. T. E. SCHLESINGER and R. B. JAMES, Academic Press, Inc., 1995 (p. 335).
2. K. B. PARNHAM, Nucl. Instr. Meth. A 377, 487 (1996).
3. F. P. DOTY, J. F. BUTLER, J. F. SCHETZINA, And K. A. BOWERS, J. Vac. Sci. 10, 1418 (1992).
4. CS. SZELES, Y. V. SHAN, K. G. LYNN, and E. E. EISSLER, Nucl. Instr. Meth. A 380, 148 (1996)
5. J. E. TONEY, B. A. BRUNETT, T. E. SCHLESINGER, J. M. VAN SCYOC, R. B. JAMES M. SHIEBER, M. GOORSKY, H. YOON, E. EISSLER, and C. JOHNSON. Nucl. Instr. A 380, 132 (1996).
6. J. E. TONEY. B. A. BRUNETT, T. E. SCHLESINGER, H. YOON, J. M. VAN SCYOC, A. J. ANTOLAK, D. H. MORSE, E. E. EISSLER, C. J. JOHNSON, J. C. LUND, and R. B. JAMES, in: Hard X-Ray/Gamma Ray and Neutron Optics, Sensors, and Applications, Ed. R. B. HOOVER and F. P. DOTY, Proc SPIE 2859 17 (1996)
7. E. LÓPEZ-CRUZ, J. GONZÁLEZ-HERNÁNDEZ, D. D. ALLRED, and W. P. ALLRED, J. Vac. Sci. Technol. A 8, 1934 (1990).
8. J. GONZÁLEZ-HERNÁNDEZ, E. LÓPFZ-CRUZ, D. D. ALLRED, W. P. ALLRED, J. Vac. Sci. Technol. A 8, 3255 (1990).
9. J. KRUSTOK. J. MÄDASSON. K. HJELT, and H. COLLAN, J. Mater. Sci. 32, 1545 (1997).
10. J. KRUSTOK, V. VALDNA, K. HJELT, and H. COLLAN, J. Appl. Phys. 80, 1757 (1996).
11. J. KRUSTOK, H. COLLAN, and K. HJELT. J. Appl. Phys. 81, 1442 (1997).
12. T. TAGUCHI, J. SHIRAFUJI, and Y. INUISHI, Japan. J. Appl. Phys. 12, 1558 (1973).
13. M. SOLTANI, M. CERTIER, R. EVRARD, and E. KARTHEUSER, J. Appl. Phys. 78, 5626 (1995).
14. H. CHEN, S. U. EGARIEVWE, Z, Hu, J. TONG, D. T. TONG, D. T. SHI, G. H. Wu, K.-T. CHEN, M. A. GEORGE, W. E. COLLINS, A. BURGER, R. B. JAMES, C. M. STAHLE, and L. M. BARTLETT, sec [6] (p. 254).
15. H. CHEN, J. TONG, Z. Hu, D. T. SHI, G. H. Wu, K.-T. CHEN, M. A. GEORGE, W. E. COLLINS, A. BURGER, R. B. JAMES, C. M. STAHLE, and L. M. BARTLETT, J. Appl. Phys. 80, 3509 (1996).
16. Z. C. FENG, A. MASCARENHAS, and W. J. CHOYKE, J. Lum. 35, 329 (1986).
17. N. MAGNEA, F. DAL'BO, J. L. PAUTRAT, A. MILLION, L. DI CICCIO, and G. FEUILLET, Mater, Res. Soc. Symp. Proc. 90, 450 (1987).
18. E. COHEN, R. A. STREET, and A. MURANEVICH, Phys. Rev. B 28, 7115 (1983).
19. D. E. COOPER, J. BAJAJ, and P. R. NEWMAN, J. Cryst. Growth 86, 544 (1988).
20. Z. C. FENG, M. G. BURKE, and W. J. CHOYKE, Appl. Phys. Lett. 53, 128 (1988).
21. B. K. MEYER, W. STADLER, D. M. HOFMANN, P. OMLING, D. SINERIUS, and K. W. BENZ, J. Cryst. Growth 117, 656 (1992).
22. D. M. HOFMANN, W. STADLER. K. OETTINGER, B. K. MEYER, P. OMLING, M. SALK, K. W. BENZ, E. WEIGEL, and G. MULLER-VOGT, Mater. Sci, Engng. B 16, 128 (1993).
23. D. M. HOFMANN, P. OMLING, H. G. GRIMMEISS, B. K. MEYER, K. W. BENZ, and D. SINERIUS, Phys. Rev. B 45, 6247 (1992).
24. W. STADLER, D. M. HOFMANN. H. C. ALT. T, MUSCHIK, B. K. MEYER, E. WEIGEL, G. MÜLLER-VOGT, M. SALK. E. RUPP, and K. W. BENZ, Phys, Rev. B 51, 10619 (1994).
25. C. B. DAVIS, D. D. ALLRED, A. REYES-MENA, J. GONZÁLEZ-HERNÁNDEZ, O. GONZÁLEZ, B. C. HESS, and W. P. ALLRED, Phys. Rev. B 47, 13363 (1993).
26. A. CASTALDINI, A. CAVALLINI, B. FRABONI, L. POLENTA, P. FERNANDEZ, and J. PIQUERAS, Phys. Rev, B 54, 7622 (1996).
27. A. CASTALDINI, A. CAVALLINI, B. FRABONI, P. FERNANDEZ, and J. PIQUERAS, Appl. Phys. Lett. 69, 3510 (1996).
28. J. LEE, N. C. GILES, D. RAJAVEL, and C. J. SUMMERS, J. Appl. Phys. 78, 5669 (1995).
29. N. C. GILES-TAYLOR, R. N. BICKNELL, D. K. BLANKS. T. H, MYERS, and J. F. SCHETZINA, J. Vac. Sci. Technol, A 3, 76 (1985).
30. Y. F. CHEN. C. S. TSAI, Y. H. CHANG, Y. M. CHANG, T. K. CHEN, and Y. M. PANG, Appl. Phys. Lett. 58, 493 (1991).
31. T. SCHMIDT, K. LISCHKA, and W. ZULEHNER, Phys. Rev. B 45, 8989 (1992).
32. D. BIMBERG, M. SONDERGELD, and E. GROBE, Phys. Rev. B 4, 3451 (1971).
33. P. J. DEAN, Progr. Cryst. Growth Charact. 5, 89 (1982).
34. J. M. FRANCOU, K. SAMINADAYAR, E. MOLVA, and J. L. PAUTRAT 13th Internat. Conf. Defects in Semiconductors, Ed. L. C. KIMERLING and J. M. PARSEY, Metall. Soc. AIME, Warrendale (PA) 1995 (p. 1213).
35. T. TAGUCHI J. SHIRAFUJI, and Y. INUISHI, phys. stat. sol. (b) 68, 727 (1975).
36. J. P. CHAMONAL, E. MOLVA, and J. L. PAUTRAT, Solid State Commun. 43, 801 (1982).
37. E. MOLVA, J. L. PAUTRAT, K. SAMINADAYAR, G. MILCHBERG, and N. MAGNEA, Phys. Rev. B 30, 3344 (1983).
38. E. MOLVA, J. M. FRANCOU, J. L. PAUTRAT, K. SAMINADAYAR, and L. S. DANG, J. Appl. Phys. 56, 2241 (1984).
39. A. SHER, A.-B. CHEN, W. E. SPICER, and C.-K. SHIH, J. Vac. Sci. Technol. A 3, 105 (1985).
40. N. V. SOCHINSKII, V. MUÑOZ, V. BELLANI, L. VIÑA, E. DIÉGUEZ, E. ALVES, M. F. DA SILVA, J. C. SOARES, and S. BERNARDI, Appl. Phys. Lett. 70, 1314 (1997).
41. E. MOLVA, K. SAMINADAYAR, J. L. PAUTRAT, and E. LIGEON, Solid State Commun. 48, 955 (1983).