Improved reliability of wet oxidized nitride MOS capacitors in comparison to RTP N2O oxidized nitride films

Solid-State Electronics

Volumn 41, Issue 5, 1997, Pages 749-755

  Mazumder, Motaharul Kabir ^a   Kobayashi, Kiyoteru ^a   Ogata, Tamotsu ^a   Mitsuhashi, Jun Ichi ^a   Mashiko, Yoji ^a   Kawazu, Satoru ^a   Sekine, Masahiro ^a   Koyama, Hiroshi ^a   Yasuoka, Akihiko ^a  

^a MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION   (Japan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CAPACITORS; FILM GROWTH; MOS DEVICES; NITRIDES; THERMOOXIDATION;

TIME DEPENDENT DIELECTRIC BREAKDOWN (TDDB);

SEMICONDUCTING FILMS;

EID: 0031143958     PISSN: 00381101     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1016/S0038-1101(96)00217-1     Document Type: Article

References (32)

1. S. Murarka, C. Chang and A. Adams, J. Electrochem. Soc. 126, 996 (1979).
2. N. J. Chou and J. M. Eldridge, J. Electrochem. Soc. 117, 1287 (1970).
3. C. M. Osburn and D. W. Ormond, J. Electrochem. Soc. 119, 597 (1972).
4. D. Baglee, A. K. Zakzouk, W. Eccleston and R. A. Stuart, Solid-State Electron. 21, 763 (1978).
5. T. Ito, T. Nakamura and H. Ishikawa, IEEE Trans. Electron. Dev. 29, 498 (1982).
6. M. M. Moslehi and K. C. Saraswat, IEEE Trans. Electron. Dev. ED-32, 106 (1985).
7. T. Ito, T. Nozaki, H. Arakawa and M. Shinoda, Appl. Phys. Lett. 32, 330 (1978).
8. T. Ito, T. Nozaki, H. Ishikawa and Y. Fukukawa, in ISSCC Dig. Tech. papers, p. 33 (1981).
9. T. Ito, T. Nozaki, H. Ishikawa and Y. Fukukawa, in ISSCC Dig. Tech. papers, p. 74 (1980).
10. A. Ishitani and S. Koseki, Jpn. J. Appl. Phys. 29, L2322 (1990).
11. K. Ando, A. Ishitani and K. Hamano, Appl. Phys. Lett. 59, 1081 (1991).
12. N. Ajika, M. Ohi, H. Arima, T. Matsukawa and N. Tsubouchi, Symp. VLSI Tech. Dig., pp. 63-64 (1991).
13. H. J. Stein, P. S. Peercy and R. J. Sokel, Thin Solid Films 101, 291 (1983).
14. D. F. Bentchkowsky and M. Lenzlinger. J. Appl. Phys. 40, 3307 (1969).
15. D. F. Bentchkowsky, Proc. IEEE, 58, 1207 (1970).
16. R. P. Vollertson, L. Do, Thank, J. Hirschler, V. V. Sichart, K. H. Kusters, J. Hirschler and M. Komolz, J. Electrochem. Soc. 137, 3942 (1990).
17. Y. Ohji, T. Kusaka, I. Yoshida, A. Hiraiwa, K. Yagi and K. Mohawk, in Proc. Int. Rel. Phys. Symp., p. 55 (1987).
18. G. W. Yoon, G. Q. Lo, J. Kim, L. K. Han and D. L. Kwong, IEEE Electron. Dev. Lett. 15 (8), 266 (1994).
19. V. J. Kapoor, R. S. Bailey and H. J. Stein, J. Vac. Sci. Technol. A1, 600 (1983).
20. J. Kumagai, K. Toita, S. Kaki and S. Sawada, in Proc. Int. Rel. Phys. Symp., pp. 170-177 (1990).
21. L. K. Han, G. W. Yoon, J. Kim, J. Yan and D. L. Kwong, IEEE Electron. Dev. Lett. 15, 266 (1994).
22. Z. A. Weinberg and R. A. Pollack, Appl. Phys. Lett. 27 (4), 254-255 (1975).
23. Z. A. Weinberg, Appl. Phys. Lett. 29 (9), 617-619 (1976).
24. F. T. Liou and S. O. Chen, IEEE Trans. Electron. Dev. ED31, 1736-1741 (1984).
25. K. Kobayashi, H. Miyatake, M. Hirayama, T. Higaki and H. Abe, J. Electrochem. Soc. 139 (6), 1693-1699 (1992). V. J. Kapoor and S. B. Bibyk, The Physics of MOS Insulators (Edited by G. Lucovsky), p. 117. Pergamon, New York (1980).
26. K. Kobayashi, H. Miyatake, M. Hirayama, T. Higaki and H. Abe, J. Electrochem. Soc. 139 (6), 1693-1699 (1992). V. J. Kapoor and S. B. Bibyk, The Physics of MOS Insulators (Edited by G. Lucovsky), p. 117. Pergamon, New York (1980).
27. T. Hori, H. Iwasaki and K. Tsuji, IEEE Trans. Electron. Dev. 36, 340 (1989).
28. M. K. Mazumder, T. Katayama, K. Kobayashi, Y. Mashiko, H. Koyama and A. Yasuoka, Appl. Phys. Lett. 69 (8), 1140 (1996).
29. S. Mori, E. Sakagami, H. Araki and K. Yoshikawa, IEEE Trans. Electron. Dev. 38, 386 (1991).
30. M. L. Green, D. Brasen, K. W. Evans-Lutterodth and L. C. Feldman, Appl. Phys. Lett. 65, 848 (1994).
31. H. Hwang, W. Ting, D.-L. Kwong and L. Lee, in IEDM Tech. Dig. 421 (1991).
32. W. M. Arnoldbik, C. H. M. Mare'e, A. J. H. Maas,* M. J. van den Boogaard, F. H. P. M. Habraken and A. E. T. Kuiper, Phys. Rev. B, 48, 5444 (1993).